コンテンツにスキップ

SF32承認ベンダーリスト

このリストの目的

**承認ベンダーリスト（AVL）**は、SF32設計向けにSiFliが実施した部品の適格性評価を記録したものです。V0.3には水晶振動子、降圧用インダクター、NOR／NAND Flash、SD-NAND、LCDドライバー1種類を掲載し、タッチコントローラーのシートに記載はありません。候補部品や代替供給元の検討に活用し、実際のPCB、ファームウェア、筐体、量産工程、供給体制で検証してください。掲載だけで製品としての検証を終えたことにはなりません。

このページはSiFli公式AVLスプレッドシート **SIFLI-MCU-AVL-认证表、V0.3（2026-01-21）**に基づいています。新たな部品の評価・登録に伴いAVLは更新されるため、本ページは日付の明記されたV0.3のスナップショットであり、リアルタイムのデータベースではありません。今回確認したのはV0.3の記載内容のみです。後続版でも各部品が引き続き掲載・承認されているかは確認していません。BOMを確定する前に最新の原表を確認してください。

このリストの使い方

原表には水晶振動子と降圧用インダクターの共通要件があり、その他の表は主に個別部品のデータを記録しています。要件に沿って候補を絞り込めますが、掲載部品が共通要件のすべての限界値を満たすとは限りません。原表の不整合は以下に示します。Flashのダウンロードツール対応など、全行が空欄の列は省略しており、対応確認済みを意味しません。詳細表の「—」は通常、V0.3の原表にその項目の値が記載されていないことを示します。ただし、NOR FlashのDTRクロック欄では、原表の「非対応」を表します。詳しくはNOR Flashの注記を参照してください。

部品番号だけで決めて次へ進むのではなく、次の3段階でBOM候補を評価してください。

  1. 要件に照らして候補を絞る。 容量、電源レール、パッケージに加え、部品種別ごとの要件（水晶振動子の負荷容量、インダクターのDCR／Isat、FlashのSDR／DTRクロック）を回路図と電力予算に照らして確認します。
  2. データシートの代表値だけではわからない制約を確認する。 動作・保管環境に対する温度範囲、ファームウェアが想定する正確なManufacturer／JEDEC ID、OTA、ファイルシステム、ダウンロードツールの対応が同じシリーズの別部品ではなく、採用する部品そのもので検証されているかを確認します。
  3. 量産採用を決める前に実機で検証する。 自社基板で待機時／動作時電流を測定し、最終PCBと筐体で水晶振動子のRF校正を再確認します。また、単一ベンダーの部品はすべて、セカンドソース候補を少なくとも1つ特定してください。

掲載内容の概要

表: 掲載内容の概要
カテゴリ 掲載部品数 主な選定基準
48 MHz水晶振動子 10 負荷容量、周波数偏差、ESR、起動時間、CBANK校正、Bluetooth周波数オフセット
32.768 kHz水晶振動子 5 負荷容量、周波数許容差、ESR、パッケージ、動作温度
降圧コンバーター用インダクター 8 4.7 µH、DCR、飽和電流（Isat）、定格電流（Irms）、SRF、2016サイズとの互換性
NOR Flash 44 容量、電源レール、SDR／DTRクロック、記載ID、待機／ディープパワーダウン電流
SPI-NAND Flash 18 容量、ECCモード、ページ／ブロック構成、Golden Block、待機／読み出し／書き込み電流
SD-NAND Flash 5 SD 2.0互換性、50 MHz動作、待機電流、動作温度範囲
LCDドライバー 1 掲載は1種類。製品リリース前にパネルタイミング、ドライバー対応、インターフェースモードを確認する
タッチパネルコントローラー 0 V0.3には掲載なし。適合性確認の状況とドライバー対応を別途確認する

この概要でV0.3の対象範囲を確認してください。LCDドライバーは1種類のみで、タッチコントローラーの掲載はないため、ディスプレイとタッチ部品の選定には特に注意が必要です。採用部品をSiFliに確認し、製品で検証してください。後続版に部品が追加されても、製品レベルの検証は省略できません。

改訂履歴

表: 改訂履歴
バージョン 日付 作成者 変更内容
V0.1 2023-12-29 yzli 初版。
V0.2 2025-07-16 yzli HuilunおよびJWT（晶威特）の48 MHz水晶振動子を追加。
V0.3 2026-01-21 yzli UCUN NOR Flash（UC25WQ80IB、UC25IQ32A、UC25IQ64A、UC25IQ128A）を追加。

水晶振動子

AVLは、48 MHzのシステム用水晶振動子と32.768 kHzのRTC用水晶振動子を対象としています。採用するSF32デバイスの設計ガイドでクロック源の要件を確認し、負荷容量、周波数許容差、ESR、起動特性、電力予算に基づいて選定してください。以下の一覧は、すべてのSF32製品に同じクロック構成を必須とするものではありません。

48 MHzシステム用水晶振動子

要件

負荷容量CL ≤ 12 pF（7 pF推奨）・周波数偏差 ΔF/F0 ≤ ±10 ppm・ESR ≤ 30 Ω（22 Ω推奨）

48 MHzシステム用水晶振動子の掲載部品
掲載品番 ベンダー CL ΔF/F0 ESR 動作温度 パッケージ 起動時間 追加電流 最適CBANK_SEL TX Ch39周波数オフセット（−35°C / 25°C / 105°C）
E1SB48E001G00E Hosonic (鸿星) 8.8 pF −10～+9 ppm ≤22 Ω −30°C～+85°C 2016（メートル法） <700 µs 0 µA 0x1C9 −32～−1 kHz / ±20 kHz / +33～+73 kHz
SX20Y048000B31T-8.8 TKD (泰晶) 8.8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −20°C～+75°C 2016（メートル法） <800 µs <30 µA 0x1DC −52～−15 kHz / ±22 kHz / +50～+100 kHz
SX20Y048000B31T001 TKD (泰晶) 8.8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −40°C～+85°C 2016（メートル法） <800 µs <30 µA 0x1F7 −53～+13 kHz / ±30 kHz / +44～+90 kHz
CN4048M00085C822000 JWT (晶威特) 8 pF ±8 ppm ≤22 Ω −30°C～+85°C 2016（メートル法） <700 µs 0 µA 0x195 −40～+1 kHz / −25～+14 kHz / +12～+45 kHz
HS48000013 汇隆电子 8.8 pF ±10 ppm ≤22 Ω −30°C～+85°C 2016（メートル法） <700 µs <12 µA 0x1F3 −27～+8 kHz / −25～+10 kHz / −1.2～+32 kHz
SX20Y048000B81T003 TKD (泰晶) 8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −30°C～+85°C 2016（メートル法） <700 µs <10 µA 0x1F4 −41～+7 kHz / −30～+20 kHz / +5～+57 kHz
L214S480D11-S Lucki (蓝晶) 8 pF ±10 ppm ≤30 Ω −30°C～+85°C 2016（メートル法） <750 µs <50 µA 0x196 −38～0 kHz / −28～0 kHz / −4～+45 kHz
8Y48090002 TXC (晶技) 8.8 pF −6～+8 ppm ≤22 Ω −30°C～+85°C 2016（メートル法） <700 µs <30 µA 0x1D0 −34～−9.6 kHz / — / +27.9～+46.1 kHz
9S48000051 惠伦晶体 8.8 pF −6～+8 ppm ≤20 Ω −30°C～+85°C 2016（メートル法） <700 µs <15 µA — —
CN4048M000885C822000 JWT (晶威特) 8.8 pF ±8 ppm ≤22 Ω −30°C～+85°C 2016（メートル法） <700 µs <10 µA 0x1D0 −34～−9.6 kHz / −25～+10 kHz / +27.9～+46.1 kHz

RF校正欄の意味

CBANK_SELはSiFliの評価データに記録されたトリム設定です。TX Ch39 Freq Offsetは、元の試験名と3つの温度点での結果をそのまま示しています。元の表にはBluetoothのモードや試験周波数が記載されていないため、BLEのアドバタイジングチャネル39や特定の中間帯チャネルを意味すると判断しないでください。結果の比較や自分の基板へのトリム設定の適用前に、試験条件と校正手順を確認してください。また、TKDの3製品ではESR上限が40 Ωと記載され、一般要件の30 Ωを超えています。この差異も確認が必要です。

水晶振動子の表にある追加電流には、比較の基準値や試験構成の詳細が記載されていません。水晶振動子単体の供給電流ではないため、候補の比較やシステムの電力予算に使用する前に、測定値の定義を確認してください。

32.768 kHz RTC用水晶振動子

要件

負荷容量CL ≤ 12.5 pF（7 pF推奨）・周波数偏差 ΔF/F0 ≤ ±20 ppm・ESR ≤ 80 kΩ（38 kΩ推奨）

32.768 kHz RTC用水晶振動子の掲載部品
掲載品番 ベンダー CL ΔF/F0 ESR 動作温度 パッケージ 元データの百分率・意味未確認（−35°C / 25°C / 105°C）
ETST00327000LE Hosonic (鸿星) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40°C～+85°C 3215（メートル法） 32%～55% / 43%～54% / 38%～45%
SF32K32768D71T01 TKD (泰晶) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40°C～+85°C 3215（メートル法） 33%～54% / 42%～56% / 35%～44%
X1A0001210008xx Epson (爱普生) 7 pF ±20 ppm ≤90 kΩ −40°C～+85°C 1610（メートル法） 35%～61% / 42%～58% / 36%～48%
DH2032K76807T2719002 JWT (晶威特) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40°C～+85°C 3215（メートル法） 43%～60% / 45%～59% / 37%～48%
SF32WK32768D71T024 TKD (泰晶) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40°C～+85°C 3215（メートル法） 34%～55% / 41%～54% / 36%～46%

元の表には、各部品について−35°C、25°C、105°Cの3つの個別試験温度で32.76 kHzと記録されています。この表示精度だけでは、ppm単位の精度や温度範囲全域の性能は確認できません。上表の百分率データは、元の表ではTX_CH39_Freq_offset(KHz)という見出しの列にありますが、値の形式はデューティ比を示すように見えます。デューティ比の限界値として使用する前に、SiFliに意味を確認してください。また、105°Cでの試験は、記載された−40°C～+85°Cの動作温度範囲を拡張するものではありません。Epson部品のESR上限90 kΩも、一般要件の80 kΩを超えています。元の値を保持しているため、設計への適用可否を確認してください。

降圧コンバーター用インダクター

要件

インダクタンスL = 4.7 µH ±20% · 直流抵抗（DCR）≤ 0.4 Ω · 飽和電流（Isat）≥ 450 mA

降圧コンバーター用インダクターの掲載部品
掲載品番 ベンダー 種類 許容差 SRF DCR Isat Irms パッケージ
WPN201610U4R7MT Sunlord 巻線 ±20% 21 MHz ≤288 mΩ 1.3 A 1.45 A 0806（2016メートル法）
WPN201610H4R7MT Sunlord 巻線 ±20% 25 MHz ≤425 mΩ 1.2 A 1.0 A 0806（2016メートル法）
HTTX20161T-4R7MDR Cyntec 巻線 ±20% — ≤250 mΩ 1.7 A 1.5 A 0806（2016メートル法）
VLS201612CX-4R7M-1 TDK 巻線 ±20% 51 MHz ≤252 mΩ 0.88 A 1.32 A 0806（2016メートル法）
CIGW201610GL4R7MLE Samsung 巻線 ±20% — ≤240 mΩ 1.4 A 1.4 A 0806（2016メートル法）
DFE201612E-4R7M=P2 Murata 巻線 ±20% — ≤252 mΩ 1.8 A 1.2 A 0806（2016メートル法）
SWAI201610H4R7M 三体微 巻線 ±20% — ≤390 mΩ 1.3 A 1.05 A 0806（2016メートル法）
FSHJ201610-4R7M 方磁 巻線 ±20% — ≤425 mΩ 1.1 A 0.9 A 0806（2016メートル法）

本表への掲載は、8製品を電気的にそのまま置き換えられることを意味しません。WPN201610H4R7MTとFSHJ201610-4R7Mの最大DCRは、いずれも425 mΩと記載され、一般要件の0.4 Ωを超えています。元の表には理由が記載されていないため、要件を満たすと判断せず、SiFliに適用可否を確認してください。各候補について、製品全体の平均電流ではなく、コンバーターの実際のインダクター電流と動作条件に基づき、DCR損失、Isat、Irms、SRF、ランドパターン、高さ、温度上昇を確認してください。

NOR Flash

V0.3には、4 Mb～256 MbのNOR Flash部品44種類を容量別に掲載しています。表のクロック値はメモリー側の仕様であり、すべてのSF32や基板でその動作速度を保証するものではありません。対象設計の読み出しコマンド、コントローラーの制約、タイミング、ドライバーの識別処理を確認してください。原表の「Manufacture ID」という16進数の値にはデバイス識別フィールドも含まれるため、メーカーの1バイトだけでなく、想定する応答全体を比較します。動作時と待機時の消費電力は、動作条件が明記された電流値で算出してください。

4 Mb～16 Mb

この容量帯の6製品はいずれもDTRモードに対応していないため、SDRクロックのみを掲載しています。

4 Mb～16 Mb NOR Flashの掲載部品
掲載品番 ベンダー 容量 電圧 温度範囲 最大SDRクロック 記載ID 待機電流 ディープパワーダウン電流 読み出し動作電流
P25Q40SU PUYA 4 Mb 1.65～3.6 V −40°C～+85°C 85 MHz @1.8 V / 104 MHz @3.3 V 0x856013 10 µA 0.1 µA @1.8 V / 0.6 µA @3.3 V 3.5 mA @85 MHz (1.8 V) / 5 mA @85 MHz (3.3 V) / EDH: 非対応
P25Q80LE PUYA 8 Mb 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 104 MHz 0x856014 9 µA 0.1 µA 1.5 mA @85 MHz / EDH: 非対応
GD25LE80E GD (GigaDevice) 8 Mb 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 133 MHz 0xC86014 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: 非対応
UC25WQ80IB UCUN 8 Mb 1.65～3.6 V −40°C～+85°C 104 MHz 0xB36014 1.5 µA 0.5 µA 6 mA @85 MHz / EDH: 未記載
P25Q16LE PUYA 16 Mb 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 104 MHz 0x856015 18 µA 0.1 µA 3 mA @85 MHz / EDH: 非対応
GD25LE16E GD (GigaDevice) 16 Mb 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 133 MHz 0xC86015 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: 非対応

32 Mb～64 Mb

32 Mb～64 Mb NOR Flashの掲載部品
掲載品番 ベンダー 容量 電圧 温度範囲 最大クロック（SDR / DTR） 記載ID 待機電流 ディープパワーダウン電流 読み出し動作電流
P25Q32L PUYA 32 Mb 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 120 MHz / — 0x856016 9 µA 0.2 µA 2 mA @85 MHz / EDH: 非対応
SK25LE032 SK 32 Mb 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 133 MHz / 80 MHz 0x257016 10 µA 0.1 µA 2 mA @80 MHz (SDR) / 2.6 mA @80 MHz (DTR)
GD25LE32E GD (GigaDevice) 32 Mb 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 133 MHz / — 0xC86016 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: 非対応
UC25IQ32A UCUN 32 Mb 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 133 MHz / 66 MHz 0xB34014 15 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 未記載
P25Q64LE PUYA 64 Mb 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 104 MHz / — 0x856017 18 µA 0.3 µA 2 mA @85 MHz / EDH: 非対応
P25Q64H PUYA 64 Mb 2.3～3.6 V −40°C～+85°C 120 MHz / — 0x856017 18 µA 0.6 µA 4 mA @85 MHz / EDH: 非対応
P25Q64SH PUYA 64 Mb 2.3～3.6 V −40°C～+85°C 120 MHz / 70 MHz 0x856017 10 µA 0.3 µA 6.8 mA @85 MHz (SDR) / 9.45 mA @70 MHz (DTR)
GD25LE64E GD (GigaDevice) 64 Mb 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 133 MHz / — 0xC86017 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: 非対応
ZB25LQ64A ZBIT 64 Mb 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 133 MHz / 66 MHz 0x5E7017 10 µA 1 µA 4 mA @104 MHz / EDH: 未記載
BY25Q64ES BOYA 64 Mb 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 120 MHz / — 0x684017 9 µA 0.4 µA 6 mA @80 MHz / EDH: 非対応
UC25IQ64A UCUN 64 Mb 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 133 MHz / 66 MHz 0xB34017 10 µA 1 µA 15 mA @80 MHz / EDH: 未記載

128 Mb

128 Mb NOR Flashの掲載部品
掲載品番 ベンダー 電圧 温度範囲 最大クロック（SDR / DTR） 記載ID 待機電流 ディープパワーダウン電流 読み出し動作電流
P25Q128L PUYA 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 70 MHz / 43 MHz 0x856018 15 µA 0.5 µA 4.5 mA @85 MHz / EDH: 未記載
PY25Q128HA PUYA 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 104 MHz / 66 MHz 0x852018 15 µA 1 µA 7 mA @85 MHz (SDR) / 9 mA @66 MHz (DTR)
SK25LP128 SK 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 166 MHz / 104 MHz 0x257018 8 µA 0.1 µA 2 mA @80 MHz (SDR) / 2.6 mA @80 MHz (DTR)
GD25LQ128E GD (GigaDevice) 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 120 MHz / — 0xC86018 35 µA 1 µA 13 mA @80 MHz / EDH: 非対応
GD25Q128E GD (GigaDevice) 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 133 MHz / — 0xC84018 14 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 非対応
GD25F128F GD (GigaDevice) 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 166 MHz / 104 MHz 0xC84318 16 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: 未記載
W25Q128JW Winbond 1.7～1.95 V −40°C～+85°C 133 MHz / — 0xEF6018 10 µA 1 µA — / EDH: 非対応
W25Q128JV Winbond 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 133 MHz / — 0xEF4018 10 µA 1 µA 12 mA @104 MHz / EDH: 非対応
XT25F128F XTX 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 133 MHz / 104 MHz 0x0B4018 15 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 未記載
XT25Q128DW XTX 1.7～2.0 V −40°C～+85°C 108 MHz / 76 MHz 0x0B6018 12 µA 0.4 µA 9 mA @80 MHz / EDH: 未記載
FM25W128 FM 1.65～3.6 V −40°C～+85°C 50 MHz @1.8 V / 100 MHz @3.3 V（SDRのみ、DTR非対応） 0xA12818 5 µA 1 µA @3.3 V — / EDH: 非対応
XM25QU128C XMC 1.65～1.95 V −40°C～+85°C 133 MHz / — 0x204118 18 µA 6 µA 6 mA @66 MHz / EDH: 非対応
ZB25VQ128D ZBIT 2.3～3.6 V −40°C～+85°C 104 MHz / — 0x5E4018 10 µA 1 µA 4 mA @104 MHz / EDH: 非対応
ZB25LQ128B ZBIT 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 104 MHz / — 0x5E5018 9 µA 3 µA 9 mA @104 MHz / EDH: 非対応
BY25Q128ES BOYA 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 108 MHz / — 0x684018 14 µA 0.2 µA 6 mA @80 MHz / EDH: 非対応
UC25IQ128A UCUN 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 133 MHz / 66 MHz 0xB34018 15 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: 未記載

256 Mb

256 Mb NOR Flashの掲載部品
掲載品番 ベンダー 電圧 温度範囲 最大クロック（SDR / DTR） 記載ID 待機電流 ディープパワーダウン電流 読み出し動作電流
W25Q256JW Winbond 1.7～1.95 V −40°C～+85°C 133 MHz / — 0xEF6019 10 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 非対応
W25Q256JV Winbond 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 133 MHz / — 0xEF7019 10 µA 1 µA 12 mA @104 MHz / EDH: 非対応
PY25Q256HB PUYA 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 133 MHz / 100 MHz 0x852019 20 µA 1 µA 7 mA @80 MHz (SDR) / 11.5 mA @80 MHz (DTR)
GD25LQ256D GD (GigaDevice) 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 120 MHz / — 0xC86019 70 µA 2 µA 10 mA @80 MHz / EDH: 非対応
GD25Q256E GD (GigaDevice) 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 133 MHz / — 0xC84019 16 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: 非対応
XM25QU256C XMC 1.65～1.95 V −40°C～+85°C 133 MHz / — 0x204119 15 µA 7 µA 11 mA @66 MHz / EDH: 非対応
XM25QH256C XMC 2.3～3.6 V −40°C～+85°C 133 MHz / — 0x204019 15 µA 7 µA 7 mA @66 MHz / EDH: 非対応
XT25F256BW XTX 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 104 MHz / 50 MHz 0x0B4019 15 µA 0.5 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 未記載
DS25M4BA Dosilicon 1.65～1.95 V −40°C～+85°C 108 MHz / 80 MHz 0xE54219 15 µA 5 µA 13 mA @108 MHz / EDH: 未記載
BY25Q256FS BOYA 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 100 MHz / 54 MHz 0x684919 28 µA 2 µA 13 mA @80 MHz / EDH: 未記載
MX25U25643G MXIC (Macronix) 1.65～2.0 V −40°C～+85°C 133 MHz / 54 MHz 0xC22539 15 µA 0.8 µA 7 mA @84 MHz / EDH: 未記載

電流値とモードの制限は元の条件と合わせて確認する

これらはAVLに記録された値であり、当サイトの独立測定値ではありません。明記されていない値を代表値や最大値と判断したり、未記載の電圧、温度、クロック条件が別の行と同じだと仮定したりしないでください。部品のデータシートを確認し、自分の基板で測定してください。読み出し電流は元のEBH列とEDH列の値です。電流欄の「—」は値が未記載であることを示し、DTRクロック欄の「—」は元の表の非対応という記載に対応します。元の表の第2クロック列はTDRと表記されていますが、本ページではDTRを使用しています。実際の読み出しモードと命令は、部品ごとに確認が必要です。

EDHの注記は、元の表の「値がない」と「非対応」の区別を保持したもので、クロック欄から推定したものではありません。P25Q128Lは、最大SDRクロックが70 MHzなのに、読み出し電流の条件が85 MHzという不整合があります。両方の原値を保持しているため、使用前に有効な条件を確認してください。

SPI-NAND Flash

V0.3には、512 Mbおよび1 GbのSPI-NAND部品18種類を掲載しています。対応するドライバーとソフトウェア構成を用いれば、ファイルやデータの保存に利用できます。FatFS、FlashDB、LittleFSなどが例ですが、選定部品との互換性は別途検証が必要です。NANDのページアクセス、ECC、不良ブロック管理は、NORの直接XIPアクセスとは異なります。原表では全掲載部品の Golden Block がblock0ですが、保証条件や、それを前提とするファームウェア処理は記載されていません。デバイスとSDKの文書で確認してください。

GD5F1GM7REとGD5F1GM7UEについて、原表のページサイズは2048+64バイト、ブロックサイズは128K+8Kバイトです。ページサイズから単純に計算した場合、スペア領域のサイズが一致しません。下表では両方の値をそのまま保持しています。ドライバーを設定する前に、対象部品のデータシートでページ、ブロック、スペア領域の構成を確認してください。

512 Mb

512 Mb SPI-NAND Flashの掲載部品
掲載品番 ベンダー 電圧 温度範囲 記載ID ページ／ブロックサイズ 最大レート ECC Golden Block 待機電流 ページ読み出し電流 書き込み／消去電流
F35SQA512M FORESEE 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 0xCD7070 2048+64 B / 128K+4K 133 MHz HW 1-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
F35UQA512M FORESEE 1.7～1.95 V −40°C～+85°C 0xCD6060 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW 1-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35M12B Dosilicon 1.7～1.95 V −40°C～+85°C 0xE5A5E5 2048+128 B / 128K+8K 83 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35Q12B Dosilicon 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 0xE5F5E5 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA

1 Gb

表: 1 Gb SPI-NAND Flashの掲載部品
掲載品番 ベンダー 電圧 温度範囲 記載ID ページ／ブロックサイズ 最大レート ECC Golden Block 待機電流 ページ読み出し電流 書き込み／消去電流
W25N01GW Winbond 1.7～1.95 V −40°C～+85°C 0xEFBA21 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW 1-bit block0 10 µA 25 mA 25 mA
W25N01GV Winbond 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 0xEFAA21 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW 1-bit block0 10 µA 25 mA 25 mA
GD5F1GM7RE GD (GigaDevice) 1.7～2.0 V −40°C～+85°C 0xC881C8 2048+64 B / 128K+8K 104 MHz SDR / 80 MHz DTR HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 10 mA
GD5F1GM7UE GD (GigaDevice) 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 0xC891C8 2048+64 B / 128K+8K 133 MHz SDR / 104 MHz DTR HW 8-bit block0 10 µA 15 mA 15 mA
F35SQA001G FORESEE 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 0xCD7171 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW 1-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
HYF1GQ4IDACAE HeYangTek 1.7～1.98 V −40°C～+85°C 0xC981C9 2048+64 B / 128K+4K 80 MHz HW 4-bit block0 10 µA 5 mA —
HYF1GQ4UDACAE HeYangTek 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 0xC921C9 2048+64 B / 128K+4K 108 MHz HW 4-bit block0 10 µA 15 mA —
XT26Q01D XTX 1.7～1.95 V −40°C～+85°C 0x0B5100 2048+128 B / 128K+8K 108 MHz HW 8-bit block0 15 µA 26 mA 28 mA / 18 mA
XT26G01C XTX 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 0x0B3100 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz HW 8-bit block0 180 µA 25 mA 30 mA / 25 mA
DS35M1GB Dosilicon 1.7～1.95 V −40°C～+85°C 0xE5A1E5 2048+128 B / 128K+8K 83 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35Q1GB Dosilicon 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 0xE5F1E5 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
ZB35Q01A ZBIT 2.7～3.6 V −40°C～+85°C 0x5E415E 2048+64 B / 128K+4K 80 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 10 mA
FM25SL01 FM 1.75～1.95 V −40°C～+85°C 0xA1A5A1 2048+128 B / 128K+8K 80 MHz HW 1-bit block0 10 µA 16 mA 16 mA
TC58CYG0S3HRAIJ KIOXIA 1.7～1.95 V −40°C～+85°C 0x98D240 2048+64 B / 128K+4K 133 MHz HW 8-bit block0 30 µA 17 mA 26 mA

Flash検出コードを書く前に、各データシートでJEDEC／メーカーIDの読み出しシーケンスを確認してください。0x9Fオペコードの後に返るIDバイト数はベンダーによって異なります（DID1とDID2の2バイトを返す製品もあれば、デバイスIDを1バイトだけ返す製品もあります）。このため、セカンドソース部品の立ち上げ時に「Flashを認識できない」エラーが発生することがあります。

元データのID読み出しシーケンス

元の表には、部品ごとに次の3種類のID読み出し形式が記録されています。MIDはメーカーID、DID、DID1、DID2はデバイスIDのフィールドです。これらは元データの文字列であり、そのまま実行できるトランザクションではありません。実装前に、採用する部品のデータシートで命令、ダミー／アドレスフェーズ、戻り値のバイト数、チップセレクトのタイミングを確認してください。部品表の16進IDがすべて1バイトのメーカーIDだけを表すわけではありません。

V0.3に記載されたSPI-NAND ID読み出しシーケンス
部品 元データのシーケンス
F35SQA512M, F35UQA512M, W25N01GW, W25N01GV, F35SQA001G, TC58CYG0S3HRAIJ 9F+dummy(8bit)+MID+DID1+DID2
DS35M12B, DS35Q12B, GD5F1GM7RE, GD5F1GM7UE, DS35M1GB, DS35Q1GB, FM25SL01 9F+dummy(8bit)+MID+DID
HYF1GQ4IDACAE, HYF1GQ4UDACAE, XT26Q01D, XT26G01C, ZB35Q01A 9F+00+MID+DID

SD-NAND Flash

V0.3には、SD 2.0インターフェースを備えた1 Gbの検証済みSD-NAND部品を5種類掲載しています。物理的なカードスロットを設けず、SDインターフェース経由で基板上のストレージにアクセスする製品の候補になります。選定前に、対象部品と製品構成でコントローラーおよびドライバーの互換性を確認してください。

SD-NAND Flashの掲載部品
掲載品番 ベンダー 温度範囲 電圧 インターフェース 最大クロック 待機電流 動作電流
CSNP1GCR01-BOW CS −30°C～+85°C 2.7～3.6 V SD 2.0 50 MHz 150 µA (typ) 15 mA @50 MHz (typ)
XTSD01GLGEAG XTX −30°C～+85°C 2.7～3.6 V SD 2.0 50 MHz 200 µA (max) 30 mA @50 MHz (max)
XSSD01GGAI XSS 0°C～+70°C 2.7～3.6 V SD 2.0 50 MHz 300 µA (max) 45 mA @50 MHz (max)
MKDV1GCL-AB MK −25°C～+85°C 2.7～3.6 V SD 2.0 50 MHz 50 µA (max) 28 mA @50 MHz (max)
XS26D01GACW Icthink −25°C～+85°C 2.7～3.6 V SD 2.0 50 MHz 250 µA (max) 100 mA @50 MHz (max)

XSSD01GGAIの記載温度範囲は0°C～+70°Cです。他の4製品は下限が−25°Cまたは−30°C、上限が+85°Cです。同じ温度グレードとみなさず、各行の実際の限界値で製品の使用環境に対する余裕を確認してください。

LCDドライバー

V0.3のディスプレイドライバー掲載範囲

V0.3にはLCDドライバー1種類が掲載されています。V0.3の原表は固定版であり、後続の改訂には自動更新されません。未掲載は非対応を意味しないため、量産採用前にSiFliへ確認してください。MIPIとQSPIはディスプレイドライバー側のインターフェースであり、すべてのSF32で使えるとは限りません。選定チップのインターフェースとドライバー対応を確認し、グラフィックス概要とePicasso 2D / 2.5Dグラフィックスエンジンも参照してください。原表のSDR速度は?MHzで、具体値は未記載です。DDRは非対応と記載されています。

LCDドライバーの掲載部品
掲載品番 ベンダー 解像度 種類 IO電圧 インターフェース GRAM 色深度 最大レート（SDR / DDR）
RM69090 Raydium 368×448 AMOLED 1.65～3.3 V MIPI, QSPI あり 16.7M色 未記載／非対応

タッチパネルコントローラー

V0.3にはタッチコントローラーの掲載がありません。これは、後続版でのAVL掲載状況や、特定の部品が未対応であることを示すものではありません。採用候補については、正確な注文型番と製品要件を添えて、SiFliのFAEまたは営業窓口に適格性評価の状況とドライバー対応を確認してください。連絡先情報を参照できます。

設計レビュー用チェックリスト

回路図またはBOMを確定する前に、選定した各AVL部品を実際の製品設計と照合してください。

  • 正確な部品番号、パッケージ、温度グレード、発注型番末尾がAVL掲載行と一致しているか、明示的な技術承認の経路がある。
  • 電圧範囲が基板で使用するSF32のIO、Flash、ディスプレイ、または電源コンバーターの各レールに合っている。
  • パッケージ、ランドパターン、高さ、実装条件がPCBライブラリと製造工程に適合している。
  • 該当する場合、JEDEC／メーカーIDまたは同等の実行時判定によって、ファームウェアが部品を正しく識別できる。
  • 起動、ダウンロード、OTA、ファイルシステム、ディスプレイ、タッチドライバーの動作を、採用する正確な部品で検証している。
  • 低消費電力時の電流を実機で測定しており、AVLや部品データシートの値をそのまま転記していない。
  • 最終PCB、アンテナ、筐体で水晶振動子の周波数オフセット、CBANK_SELの動作、RF校正を確認している。
  • 製品の想定電圧・温度範囲でFlashの消去／書き込み／読み出し時間を試験している。
  • 水晶振動子、インダクター、Flash、ディスプレイパネルなど、リスクの高いBOM項目ごとにセカンドソース候補を1つ以上特定している。

このチェックリストは「部品がAVLに載っている」ことより厳しい基準を設けています。AVLは候補を絞り込むためのものです。製品リリースには、基板レベルでの検証結果が必要です。

調達用チェックリスト

  • 部品番号と改訂末尾を、ダウンロードできる最新版のAVLと照合する。新たな部品が適格性評価を受けると、スプレッドシートのスナップショット（このページを含む）は古くなる。
  • Flash部品では、立ち上げコードが想定するManufacturer／JEDEC IDが、シリーズ名だけでなく、実際に発注する部品と一致していることを確認する。同じシリーズ名でも返すIDバイトが異なる製品がある。
  • NAND、SD-NAND、ファイルシステム用の部品では、起動／ダウンロードツール対応、OTA更新フロー、実機でのファイルシステム（FatFS／FlashDB／LittleFS）の動作を確認する。立ち上げ時に読み出せただけでは、OTA対応が検証済みとは限らない。
  • 水晶振動子のCBANK_SELと、表に記載されたTX Ch39の周波数オフセットを実際の製品基板で検証する。原表には基板レイアウトや測定構成の詳細がないため、比較前に試験モードと条件を確認する。
  • 待機、ディープパワーダウン、読み出し時の電流を製品基板で測定する。AVLでは全値の出典や動作条件が明らかではないため、データシートと測定条件を確認する。
  • 電気仕様だけでなく、パッケージとフットプリントがPCBライブラリおよび実装能力に合っていることを確認する。
  • 未掲載部品は、BOMに採用する前に部品種別の要件行に照らして適格性を評価し、評価データをSiFliに共有することも検討する。
  • 単一供給元の部品には代替候補を確保する。V0.3にはLCDドライバー1種類が掲載され、タッチコントローラーの掲載はない。現時点の供給と対応状況は別途確認し、このスナップショットを最新状況とみなさない。
  • 主要なBOM確定前にこのリストを再確認する。これはスナップショットであり、リアルタイムデータベースではない。

最終更新: