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SF32 合格供应商名录

本列表的用途

**合格供应商名录（AVL）**记录了思澈科技（SiFli）针对 SF32 设计开展的器件验证。V0.3 收录了无源晶体、Buck 电感、NOR/NAND Flash、SD-NAND 和一款 LCD 驱动器，触控控制器工作表中没有条目。可据此筛选候选器件、寻找替代供应商，并结合实际 PCB、固件、外壳、生产工艺和供应链条件完成验证。列入 AVL 不等于已经通过具体产品的验证。

本页根据思澈科技（SiFli）官方 AVL 电子表格 **SIFLI-MCU-AVL-认证表 V0.3（2026-01-21）**整理。随着新器件通过验证，AVL 可能更新；本页仅反映截至该日期的 V0.3 版本，并非实时数据库。本次核对只确认了 V0.3 所列内容，不能据此判断任何器件在后续 AVL 版本中是否仍获认可。冻结 BOM 前，请查阅最新原始文件：

如何使用此列表

原表为晶体和 Buck 电感给出了通用要求，其他表格主要记录各料号的参数。可以按这些要求筛选候选器件，但不能默认所有已列入器件都满足每项通用限值；下文会标出原始数据中的差异。原表中整列为空的字段，例如 Flash 下载工具支持，本页予以省略，不能据此认定已经验证了相应支持。详细表格中的“—”通常表示 V0.3 原表未提供该字段数值；NOR Flash 的 DTR 时钟列除外，该列用“—”表示原表标注为“不支持”，详见下文 NOR Flash 说明。

做 BOM 选型时，建议按下面三个步骤推进，而不是看到一个料号就直接定案：

  1. 先按要求筛选候选料号。 核对容量、电源电压、封装及各类器件的要求，例如晶体的负载电容、电感的 DCR/Isat、Flash 的 SDR/DTR 时钟，确认它们与原理图设计和功耗预算相符。
  2. 再核对数据手册关键参数之外的约束。 确认温度范围是否匹配产品的工作和存储环境，固件期望读取的 Manufacturer ID / JEDEC ID 是否与该器件一致，以及 OTA、文件系统或下载工具是否已针对这个准确料号完成验证，而不只是验证过同系列的其他器件。
  3. 量产定型前必须完成实板验证。 在自己的板上测量待机和工作电流，在最终 PCB 和整机外壳上重新验证晶体的 RF 校准，并为目前只有单一供应商的器件各确定至少一个备选供应商。

覆盖范围概览

表：覆盖范围概览
类别 合格器件数 主要选择标准
48 MHz 晶体 10 负载电容、频率容差、ESR、启动时间、CBANK 校准和蓝牙频偏
32.768 kHz 晶体 5 负载电容、频率容差、ESR、封装和工作温度
Buck 电感 8 4.7 µH 标称值、DCR、饱和电流（Isat）、额定电流（Irms）、SRF 和 2016 封装兼容性
NOR Flash 44 容量、电源轨、SDR/DTR 时钟、原表识别码、待机/深度掉电电流
SPI-NAND Flash 18 容量、ECC 模式、页/块组织、Golden Block 和待机/读取/编程电流
SD-NAND Flash 5 SD 2.0 兼容性、50 MHz 工作能力、待机电流和工作温度范围
LCD 驱动器 1 仅列出一款；产品发布前应确认面板时序、驱动支持和接口模式
触控面板控制器 0 V0.3 没有条目；应另行确认器件验证状态和驱动支持

阅读详细表格前，可先用本摘要了解 V0.3 的覆盖范围。该版本只收录一款 LCD 驱动器，未收录触控控制器，因此显示和触控选型尤其需要向思澈科技（SiFli）确认，并在产品中验证。即使后续版本收录了所选料号，也不能省略产品级验证。

修订历史

表：修订历史
版本 日期 作者 变更
V0.1 2023-12-29 yzli 初始发布。
V0.2 2025-07-16 yzli 新增惠伦和 JWT（晶威特）48 MHz 晶体。
V0.3 2026-01-21 yzli 新增 UCUN NOR Flash：UC25WQ80IB、UC25IQ32A、UC25IQ64A、UC25IQ128A。

晶体

AVL 涵盖 48 MHz 系统晶体和 32.768 kHz RTC 晶体。先按准确芯片型号的硬件设计指南确定时钟源要求，再根据负载电容、频率容差、ESR、启动特性和功耗预算选型。下列验证表不能用于推断所有 SF32 产品都必须采用同一种时钟配置。

48 MHz 系统晶体

要求

负载电容 CL ≤ 12 pF（推荐 7 pF）· 频率偏差 ΔF/F0 ≤ ±10 ppm · ESR ≤ 30 Ω（推荐 22 Ω）

48 MHz 系统晶体合格器件
合格料号 供应商 CL ΔF/F0 ESR 工作温度 封装 启动时间 额外电流 最佳 CBANK_SEL TX Ch39 频偏（−35°C / 25°C / 105°C）
E1SB48E001G00E Hosonic (鸿星) 8.8 pF −10 至 +9 ppm ≤22 Ω −30°C 至 +85°C 2016 公制 <700 µs 0 µA 0x1C9 −32 至 −1 kHz / ±20 kHz / +33 至 +73 kHz
SX20Y048000B31T-8.8 TKD (泰晶) 8.8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −20°C 至 +75°C 2016 公制 <800 µs <30 µA 0x1DC −52 至 −15 kHz / ±22 kHz / +50 至 +100 kHz
SX20Y048000B31T001 TKD (泰晶) 8.8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −40°C 至 +85°C 2016 公制 <800 µs <30 µA 0x1F7 −53 至 +13 kHz / ±30 kHz / +44 至 +90 kHz
CN4048M00085C822000 JWT (晶威特) 8 pF ±8 ppm ≤22 Ω −30°C 至 +85°C 2016 公制 <700 µs 0 µA 0x195 −40 至 +1 kHz / −25 至 +14 kHz / +12 至 +45 kHz
HS48000013 汇隆电子 8.8 pF ±10 ppm ≤22 Ω −30°C 至 +85°C 2016 公制 <700 µs <12 µA 0x1F3 −27 至 +8 kHz / −25 至 +10 kHz / −1.2 至 +32 kHz
SX20Y048000B81T003 TKD (泰晶) 8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −30°C 至 +85°C 2016 公制 <700 µs <10 µA 0x1F4 −41 至 +7 kHz / −30 至 +20 kHz / +5 至 +57 kHz
L214S480D11-S Lucki (蓝晶) 8 pF ±10 ppm ≤30 Ω −30°C 至 +85°C 2016 公制 <750 µs <50 µA 0x196 −38 至 0 kHz / −28 至 0 kHz / −4 至 +45 kHz
8Y48090002 TXC (晶技) 8.8 pF −6 至 +8 ppm ≤22 Ω −30°C 至 +85°C 2016 公制 <700 µs <30 µA 0x1D0 −34 至 −9.6 kHz / — / +27.9 至 +46.1 kHz
9S48000051 惠伦晶体 8.8 pF −6 至 +8 ppm ≤20 Ω −30°C 至 +85°C 2016 公制 <700 µs <15 µA — —
CN4048M000885C822000 JWT (晶威特) 8.8 pF ±8 ppm ≤22 Ω −30°C 至 +85°C 2016 公制 <700 µs <10 µA 0x1D0 −34 至 −9.6 kHz / −25 至 +10 kHz / +27.9 至 +46.1 kHz

RF 校准栏的含义

CBANK_SEL 是思澈科技（SiFli）验证数据中记录的修调设置。TX Ch39 Freq Offset 保留了原表的测试名称和三个温度点的结果。原表没有注明蓝牙模式或测试频率，不能直接将其解释为 BLE 广播信道 39 或某个中频测试信道。在对比结果或将修调设置用于自己的板子前，应先确认测试条件和校准流程。另外，三款 TKD 器件所列的 ESR 上限为 40 Ω，超过通用要求的 30 Ω；这一原始数据差异也需要确认。

晶体表中的附加电流未注明比较基准和完整测试配置，不能将其当作晶体本身的独立供电电流。比较候选器件或将这些数值纳入整机功耗预算前，应先确认测量定义。

32.768 kHz RTC 晶体

要求

负载电容 CL ≤ 12.5 pF（推荐 7 pF）· 频率偏差 ΔF/F0 ≤ ±20 ppm · ESR ≤ 80 kΩ（推荐 38 kΩ）

32.768 kHz RTC 晶体合格器件
合格料号 供应商 CL ΔF/F0 ESR 工作温度 封装 原表百分比，含义待确认（−35°C / 25°C / 105°C）
ETST00327000LE Hosonic (鸿星) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40°C 至 +85°C 3215 公制 32% 至 55% / 43% 至 54% / 38% 至 45%
SF32K32768D71T01 TKD (泰晶) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40°C 至 +85°C 3215 公制 33% 至 54% / 42% 至 56% / 35% 至 44%
X1A0001210008xx Epson (爱普生) 7 pF ±20 ppm ≤90 kΩ −40°C 至 +85°C 1610 公制 35% 至 61% / 42% 至 58% / 36% 至 48%
DH2032K76807T2719002 JWT (晶威特) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40°C 至 +85°C 3215 公制 43% 至 60% / 45% 至 59% / 37% 至 48%
SF32WK32768D71T024 TKD (泰晶) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40°C 至 +85°C 3215 公制 34% 至 55% / 41% 至 54% / 36% 至 46%

原表为每款器件记录了 −35°C、25°C 和 105°C 三个独立温度点的频率，均显示为 32.76 kHz。这一显示精度不能证明 ppm 级精度，也不能证明整个温区内的性能。上表中的百分比数据在原表中位于标题为 TX_CH39_Freq_offset(KHz) 的列下，数值形式却更像占空比；在将其作为占空比限值使用前，应向思澈科技（SiFli）确认实际含义。105°C 测试点也不意味着器件的额定工作温度可从 −40°C 至 +85°C 扩展到 105°C。此外，Epson 器件所列的 ESR 上限为 90 kΩ，超过通用要求的 80 kΩ；这里保留原始数据，选用前应确认这一差异是否适用于你的设计。

Buck 电感

要求

电感值 L = 4.7 µH ±20% · 直流电阻（DCR）≤ 0.4 Ω · 饱和电流（Isat）≥ 450 mA

Buck 电感合格器件
合格料号 供应商 类型 容差 SRF DCR Isat Irms 封装
WPN201610U4R7MT Sunlord 绕线 ±20% 21 MHz ≤288 mΩ 1.3 A 1.45 A 0806 (2016 公制)
WPN201610H4R7MT Sunlord 绕线 ±20% 25 MHz ≤425 mΩ 1.2 A 1.0 A 0806 (2016 公制)
HTTX20161T-4R7MDR Cyntec 绕线 ±20% — ≤250 mΩ 1.7 A 1.5 A 0806 (2016 公制)
VLS201612CX-4R7M-1 TDK 绕线 ±20% 51 MHz ≤252 mΩ 0.88 A 1.32 A 0806 (2016 公制)
CIGW201610GL4R7MLE Samsung 绕线 ±20% — ≤240 mΩ 1.4 A 1.4 A 0806 (2016 公制)
DFE201612E-4R7M=P2 Murata 绕线 ±20% — ≤252 mΩ 1.8 A 1.2 A 0806 (2016 公制)
SWAI201610H4R7M 三体微 绕线 ±20% — ≤390 mΩ 1.3 A 1.05 A 0806 (2016 公制)
FSHJ201610-4R7M 方磁 绕线 ±20% — ≤425 mΩ 1.1 A 0.9 A 0806 (2016 公制)

列入本表不意味着这八款电感可以直接互换。WPN201610H4R7MT 和 FSHJ201610-4R7M 所列的最大 DCR 均为 425 mΩ，超过通用要求的 0.4 Ω。原表未解释这一差异，选用前应向思澈科技（SiFli）确认，不能直接判定这两款器件满足该限值。对每个候选器件，都应根据转换器实际的电感电流和工作条件核对 DCR 损耗、Isat、Irms、SRF、焊盘布局、高度及温升，不能用整机平均电流代替电感电流。

NOR Flash

V0.3 收录了 44 个 NOR Flash 料号，容量从 4 Mb 到 256 Mb，按容量分组列出。表中的时钟参数属于存储器本身，并不代表所有 SF32 芯片或开发板都能以该频率工作。选型时应核对具体设计支持的读取命令、控制器限制、时序和驱动识别逻辑。原表将十六进制识别码标为“Manufacture ID”，但这些值还包含器件识别字段，因此应比较完整的预期返回值，而不只是厂商字节。计算工作和待机功耗时，应采用测试条件明确的电流数据。

4 Mb – 16 Mb

这一容量段的 6 个器件都不支持 DTR 模式，因此这里只列出单独的 SDR 时钟列。

4 Mb 至 16 Mb NOR Flash 合格器件
合格料号 供应商 容量 电压 温度范围 最高 SDR 时钟 原表识别码 待机电流 深掉电电流 主动读取电流
P25Q40SU PUYA 4 Mb 1.65–3.6 V −40°C 至 +85°C 85 MHz @1.8 V / 104 MHz @3.3 V 0x856013 10 µA 0.1 µA @1.8 V / 0.6 µA @3.3 V 3.5 mA @85 MHz (1.8 V) / 5 mA @85 MHz (3.3 V) / EDH: 不支持
P25Q80LE PUYA 8 Mb 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 104 MHz 0x856014 9 µA 0.1 µA 1.5 mA @85 MHz / EDH: 不支持
GD25LE80E GD (GigaDevice) 8 Mb 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 133 MHz 0xC86014 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: 不支持
UC25WQ80IB UCUN 8 Mb 1.65–3.6 V −40°C 至 +85°C 104 MHz 0xB36014 1.5 µA 0.5 µA 6 mA @85 MHz / EDH: 未提供
P25Q16LE PUYA 16 Mb 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 104 MHz 0x856015 18 µA 0.1 µA 3 mA @85 MHz / EDH: 不支持
GD25LE16E GD (GigaDevice) 16 Mb 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 133 MHz 0xC86015 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: 不支持

32 Mb – 64 Mb

32 Mb 至 64 Mb NOR Flash 合格器件
合格料号 供应商 容量 电压 温度范围 最高时钟（SDR / DTR） 原表识别码 待机电流 深掉电电流 主动读取电流
P25Q32L PUYA 32 Mb 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 120 MHz / — 0x856016 9 µA 0.2 µA 2 mA @85 MHz / EDH: 不支持
SK25LE032 SK 32 Mb 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / 80 MHz 0x257016 10 µA 0.1 µA 2 mA @80 MHz (SDR) / 2.6 mA @80 MHz (DTR)
GD25LE32E GD (GigaDevice) 32 Mb 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / — 0xC86016 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: 不支持
UC25IQ32A UCUN 32 Mb 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / 66 MHz 0xB34014 15 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 未提供
P25Q64LE PUYA 64 Mb 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 104 MHz / — 0x856017 18 µA 0.3 µA 2 mA @85 MHz / EDH: 不支持
P25Q64H PUYA 64 Mb 2.3–3.6 V −40°C 至 +85°C 120 MHz / — 0x856017 18 µA 0.6 µA 4 mA @85 MHz / EDH: 不支持
P25Q64SH PUYA 64 Mb 2.3–3.6 V −40°C 至 +85°C 120 MHz / 70 MHz 0x856017 10 µA 0.3 µA 6.8 mA @85 MHz (SDR) / 9.45 mA @70 MHz (DTR)
GD25LE64E GD (GigaDevice) 64 Mb 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / — 0xC86017 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: 不支持
ZB25LQ64A ZBIT 64 Mb 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / 66 MHz 0x5E7017 10 µA 1 µA 4 mA @104 MHz / EDH: 未提供
BY25Q64ES BOYA 64 Mb 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 120 MHz / — 0x684017 9 µA 0.4 µA 6 mA @80 MHz / EDH: 不支持
UC25IQ64A UCUN 64 Mb 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / 66 MHz 0xB34017 10 µA 1 µA 15 mA @80 MHz / EDH: 未提供

128 Mb

128 Mb NOR Flash 合格器件
合格料号 供应商 电压 温度范围 最高时钟（SDR / DTR） 原表识别码 待机电流 深掉电电流 主动读取电流
P25Q128L PUYA 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 70 MHz / 43 MHz 0x856018 15 µA 0.5 µA 4.5 mA @85 MHz / EDH: 未提供
PY25Q128HA PUYA 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 104 MHz / 66 MHz 0x852018 15 µA 1 µA 7 mA @85 MHz (SDR) / 9 mA @66 MHz (DTR)
SK25LP128 SK 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 166 MHz / 104 MHz 0x257018 8 µA 0.1 µA 2 mA @80 MHz (SDR) / 2.6 mA @80 MHz (DTR)
GD25LQ128E GD (GigaDevice) 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 120 MHz / — 0xC86018 35 µA 1 µA 13 mA @80 MHz / EDH: 不支持
GD25Q128E GD (GigaDevice) 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / — 0xC84018 14 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 不支持
GD25F128F GD (GigaDevice) 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 166 MHz / 104 MHz 0xC84318 16 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: 未提供
W25Q128JW Winbond 1.7–1.95 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / — 0xEF6018 10 µA 1 µA — / EDH: 不支持
W25Q128JV Winbond 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / — 0xEF4018 10 µA 1 µA 12 mA @104 MHz / EDH: 不支持
XT25F128F XTX 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / 104 MHz 0x0B4018 15 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 未提供
XT25Q128DW XTX 1.7–2.0 V −40°C 至 +85°C 108 MHz / 76 MHz 0x0B6018 12 µA 0.4 µA 9 mA @80 MHz / EDH: 未提供
FM25W128 FM 1.65–3.6 V −40°C 至 +85°C 50 MHz @1.8 V / 100 MHz @3.3 V（仅支持 SDR，不支持 DTR） 0xA12818 5 µA 1 µA @3.3 V — / EDH: 不支持
XM25QU128C XMC 1.65–1.95 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / — 0x204118 18 µA 6 µA 6 mA @66 MHz / EDH: 不支持
ZB25VQ128D ZBIT 2.3–3.6 V −40°C 至 +85°C 104 MHz / — 0x5E4018 10 µA 1 µA 4 mA @104 MHz / EDH: 不支持
ZB25LQ128B ZBIT 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 104 MHz / — 0x5E5018 9 µA 3 µA 9 mA @104 MHz / EDH: 不支持
BY25Q128ES BOYA 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 108 MHz / — 0x684018 14 µA 0.2 µA 6 mA @80 MHz / EDH: 不支持
UC25IQ128A UCUN 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / 66 MHz 0xB34018 15 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: 未提供

256 Mb

256 Mb NOR Flash 合格器件
合格料号 供应商 电压 温度范围 最高时钟（SDR / DTR） 原表识别码 待机电流 深掉电电流 主动读取电流
W25Q256JW Winbond 1.7–1.95 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / — 0xEF6019 10 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 不支持
W25Q256JV Winbond 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / — 0xEF7019 10 µA 1 µA 12 mA @104 MHz / EDH: 不支持
PY25Q256HB PUYA 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / 100 MHz 0x852019 20 µA 1 µA 7 mA @80 MHz (SDR) / 11.5 mA @80 MHz (DTR)
GD25LQ256D GD (GigaDevice) 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 120 MHz / — 0xC86019 70 µA 2 µA 10 mA @80 MHz / EDH: 不支持
GD25Q256E GD (GigaDevice) 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / — 0xC84019 16 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: 不支持
XM25QU256C XMC 1.65–1.95 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / — 0x204119 15 µA 7 µA 11 mA @66 MHz / EDH: 不支持
XM25QH256C XMC 2.3–3.6 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / — 0x204019 15 µA 7 µA 7 mA @66 MHz / EDH: 不支持
XT25F256BW XTX 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 104 MHz / 50 MHz 0x0B4019 15 µA 0.5 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 未提供
DS25M4BA Dosilicon 1.65–1.95 V −40°C 至 +85°C 108 MHz / 80 MHz 0xE54219 15 µA 5 µA 13 mA @108 MHz / EDH: 未提供
BY25Q256FS BOYA 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 100 MHz / 54 MHz 0x684919 28 µA 2 µA 13 mA @80 MHz / EDH: 未提供
MX25U25643G MXIC (Macronix) 1.65–2.0 V −40°C 至 +85°C 133 MHz / 54 MHz 0xC22539 15 µA 0.8 µA 7 mA @84 MHz / EDH: 未提供

电流和模式限值必须结合原始条件使用

这里列出的是 AVL 中记录的数值，不是本站独立测量的结果。除非明确注明，否则不能假定数值是典型值或最大值，也不能假定未注明的电压、温度和时钟条件与其他条目相同。应核对器件数据手册，并在自己的板上实测。读取电流来自原表的 EBH 和 EDH 列。电流单元格中的“—”表示未提供数值；DTR 时钟列中的“—”则对应原表的“不支持”。原表将第二个时钟列写作 TDR，本页采用 DTR 表述；具体读取模式和指令仍应按准确器件型号确认。

EDH 标注保留了原表中“未提供”与“不支持”的区别，并非根据时钟列推断。P25Q128L 的原始数据存在矛盾：最大 SDR 时钟为 70 MHz，读取电流却注明在 85 MHz 下测得。本页保留两项原值，使用前应确认有效工作条件。

SPI-NAND Flash

V0.3 收录了 18 个 SPI-NAND 料号，容量为 512 Mb 和 1 Gb。配合兼容的驱动和软件栈，这些器件可用于文件或数据存储，例如 FatFS、FlashDB 和 LittleFS；具体料号是否兼容仍需验证。NAND 的页访问、ECC 和坏块管理与 NOR 的直接 XIP 访问不同。原表中所有料号的 Golden Block 均为 block0，但未说明保证条件，也未说明哪些固件流程依赖该块。应结合器件和 SDK 文档确认这些前提。

GD5F1GM7RE 和 GD5F1GM7UE 的源表页大小为 2048+64 字节，块大小却为 128K+8K 字节。按页大小直接推算块大小时，备用区容量无法对应。下表保留了这两项原值；配置驱动前，应查阅具体器件的数据手册，确认页、块和备用区的实际布局。

512 Mb

512 Mb SPI-NAND Flash 合格器件
合格料号 供应商 电压 温度范围 原表识别码 页 / 块大小 最高速率 ECC Golden Block 待机电流 页读取电流 编程/擦除电流
F35SQA512M FORESEE 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 0xCD7070 2048+64 B / 128K+4K 133 MHz 硬件 1-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
F35UQA512M FORESEE 1.7–1.95 V −40°C 至 +85°C 0xCD6060 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz 硬件 1-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35M12B Dosilicon 1.7–1.95 V −40°C 至 +85°C 0xE5A5E5 2048+128 B / 128K+8K 83 MHz 硬件 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35Q12B Dosilicon 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 0xE5F5E5 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz 硬件 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA

1 Gb

1 Gb SPI-NAND Flash 合格器件
合格料号 供应商 电压 温度范围 原表识别码 页 / 块大小 最高速率 ECC Golden Block 待机电流 页读取电流 编程/擦除电流
W25N01GW Winbond 1.7–1.95 V −40°C 至 +85°C 0xEFBA21 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz 硬件 1-bit block0 10 µA 25 mA 25 mA
W25N01GV Winbond 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 0xEFAA21 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz 硬件 1-bit block0 10 µA 25 mA 25 mA
GD5F1GM7RE GD (GigaDevice) 1.7–2.0 V −40°C 至 +85°C 0xC881C8 2048+64 B / 128K+8K 104 MHz SDR / 80 MHz DTR 硬件 8-bit block0 10 µA 10 mA 10 mA
GD5F1GM7UE GD (GigaDevice) 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 0xC891C8 2048+64 B / 128K+8K 133 MHz SDR / 104 MHz DTR 硬件 8-bit block0 10 µA 15 mA 15 mA
F35SQA001G FORESEE 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 0xCD7171 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz 硬件 1-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
HYF1GQ4IDACAE HeYangTek 1.7–1.98 V −40°C 至 +85°C 0xC981C9 2048+64 B / 128K+4K 80 MHz 硬件 4-bit block0 10 µA 5 mA —
HYF1GQ4UDACAE HeYangTek 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 0xC921C9 2048+64 B / 128K+4K 108 MHz 硬件 4-bit block0 10 µA 15 mA —
XT26Q01D XTX 1.7–1.95 V −40°C 至 +85°C 0x0B5100 2048+128 B / 128K+8K 108 MHz 硬件 8-bit block0 15 µA 26 mA 28 mA / 18 mA
XT26G01C XTX 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 0x0B3100 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz 硬件 8-bit block0 180 µA 25 mA 30 mA / 25 mA
DS35M1GB Dosilicon 1.7–1.95 V −40°C 至 +85°C 0xE5A1E5 2048+128 B / 128K+8K 83 MHz 硬件 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35Q1GB Dosilicon 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 0xE5F1E5 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz 硬件 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
ZB35Q01A ZBIT 2.7–3.6 V −40°C 至 +85°C 0x5E415E 2048+64 B / 128K+4K 80 MHz 硬件 8-bit block0 10 µA 10 mA 10 mA
FM25SL01 FM 1.75–1.95 V −40°C 至 +85°C 0xA1A5A1 2048+128 B / 128K+8K 80 MHz 硬件 1-bit block0 10 µA 16 mA 16 mA
TC58CYG0S3HRAIJ KIOXIA 1.7–1.95 V −40°C 至 +85°C 0x98D240 2048+64 B / 128K+4K 133 MHz 硬件 8-bit block0 30 µA 17 mA 26 mA

在编写 Flash 探测代码之前，请先查阅每颗器件的数据手册，确认 JEDEC / Manufacturer ID 的返回格式。不同器件在执行 0x9F 指令后返回的 ID 字节数可能不同：有的返回由 DID1 和 DID2 组成的两字节器件 ID，有的则只返回一个字节。这些差异可能导致启动调试新的第二来源器件时出现“Flash 无法识别”错误。

原表记录的 ID 读取序列

原表按器件记录了以下三种 ID 读取格式。MID 表示厂商 ID，DID、DID1 和 DID2 表示器件 ID 字段。这些字符串只是原表记录，不能直接当作可执行事务。实现驱动前，应根据准确料号的数据手册确认指令、空周期或地址阶段、返回字节数，以及片选时序。器件表中的十六进制 ID 并不都只是一个厂商 ID 字节。

V0.3 记录的 SPI-NAND ID 读取序列
器件 原表序列
F35SQA512M, F35UQA512M, W25N01GW, W25N01GV, F35SQA001G, TC58CYG0S3HRAIJ 9F+dummy(8bit)+MID+DID1+DID2
DS35M12B, DS35Q12B, GD5F1GM7RE, GD5F1GM7UE, DS35M1GB, DS35Q1GB, FM25SL01 9F+dummy(8bit)+MID+DID
HYF1GQ4IDACAE, HYF1GQ4UDACAE, XT26Q01D, XT26G01C, ZB35Q01A 9F+00+MID+DID

SD-NAND Flash

V0.3 收录了 5 个通过验证的 SD-NAND 器件，容量均为 1 Gb，采用 SD 2.0 接口。对于需要通过 SD 接口访问板载存储、但不设实体卡槽的产品，可以将它们列为候选器件。选型前，应针对具体料号和产品验证控制器与驱动的兼容性。

SD-NAND Flash 合格器件
合格料号 供应商 温度范围 电压 接口 最高时钟 待机电流 工作电流
CSNP1GCR01-BOW CS −30°C 至 +85°C 2.7–3.6 V SD 2.0 50 MHz 150 µA (typ) 15 mA @50 MHz (typ)
XTSD01GLGEAG XTX −30°C 至 +85°C 2.7–3.6 V SD 2.0 50 MHz 200 µA (max) 30 mA @50 MHz (max)
XSSD01GGAI XSS 0°C 至 +70°C 2.7–3.6 V SD 2.0 50 MHz 300 µA (max) 45 mA @50 MHz (max)
MKDV1GCL-AB MK −25°C 至 +85°C 2.7–3.6 V SD 2.0 50 MHz 50 µA (max) 28 mA @50 MHz (max)
XS26D01GACW Icthink −25°C 至 +85°C 2.7–3.6 V SD 2.0 50 MHz 250 µA (max) 100 mA @50 MHz (max)

XSSD01GGAI 的标称范围为 0°C 至 +70°C。其余四款的下限为 −25°C 或 −30°C，上限为 +85°C。应逐项采用表中的实际限值，不能默认它们具有相同的温度等级，并应确认这些范围能为产品使用环境留出足够裕量。

LCD 驱动器

V0.3 显示驱动器收录范围

V0.3 仅列出一款 LCD 驱动器。V0.3 原始电子表格是固定版本，不会随后续修订自动更新。未列入名录不等于不受支持；量产选型前应向思澈科技（SiFli）确认。表中的 MIPI 和 QSPI 是显示驱动器的接口，不能据此认定每款 SF32 都支持这些接口。应核对所选芯片的接口及驱动支持，参见图形概览和 ePicasso GPU 架构。原表的 SDR 速率为 ?MHz，即未给出具体数值；DDR 则标为不支持。

LCD 驱动器合格器件
合格料号 供应商 分辨率 类型 IO 电压 接口 GRAM 色深 最高速率（SDR / DDR）
RM69090 Raydium 368×448 AMOLED 1.65–3.3 V MIPI, QSPI 是 1670 万色 未给出 / 不支持

触控面板控制器

V0.3 中没有触控控制器条目。这既不能说明后续版本的验证状态，也不代表某个器件不受支持。如果计划采用某个料号，应向思澈科技（SiFli）的 FAE 或销售人员确认其验证状态和驱动支持，并提供准确的订购型号及产品需求。联系方式见联系信息。

设计审查核对清单

在冻结原理图或 BOM 之前，请结合实际产品设计，逐项审查每个选定的 AVL 器件：

  • 准确料号、封装、温度等级和订货后缀与 AVL 中批准条目一致，或者已有明确的工程放行路径。
  • 电压范围与板上使用的 SF32 IO 电源轨、Flash 电源轨、显示电源轨或电源转换器电压相匹配。
  • 封装、焊盘、器件高度和装配限制与 PCB 库及制造工艺匹配。
  • 固件能够在适用场景下通过 JEDEC / Manufacturer ID 或等效运行时探测机制正确识别该器件。
  • Boot、下载、OTA、文件系统、显示或触控驱动行为已在该准确器件上完成验证。
  • 低功耗电流数据来自真实硬件测量，而不是直接照抄 AVL 或器件数据手册。
  • 晶体的 CBANK_SEL 行为、频偏表现和 RF 校准已在最终 PCB、天线和整机结构上完成验证。
  • Flash 擦除 / 编程 / 读取时间已在产品目标电压和温度范围内测试通过。
  • 对于晶体、电感、存储器和显示面板等高风险 BOM 项，至少确定了一个可行的替代来源。

这份核对清单有意采用比“器件出现在 AVL 中”更严格的标准。AVL 只能帮助缩小选型范围；产品能否发布，最终仍取决于板级验证证据。

选型检查清单

  • 对照当前可下载的 AVL 原始电子表格，重新核对料号和修订后缀；电子表格快照（包括本页）会随新器件通过验证而过期。
  • 对于 Flash 器件，确认启动调试代码期望的 Manufacturer / JEDEC ID 与订购的准确料号一致，而不是只核对系列名。同一系列或商品名称下的器件也可能返回不同的 ID 字节。
  • 对于 NAND、SD-NAND，以及用于存放文件系统的器件，在真实硬件上验证启动和下载工具支持、OTA 更新流程，以及 FatFS / FlashDB / LittleFS 的运行情况。启动调试时能成功读取，并不代表已经验证了 OTA 兼容性。
  • 对于晶体，应在实际产品板上验证 CBANK_SEL 和表中所列的 TX Ch39 频偏。原表未说明参考板布局或完整测试配置，因此比较结果前应先确认测试模式和条件。
  • 在实际产品板上测量待机、深掉电和读取电流。AVL 未交代每项数据的来源及完整工作条件，因此还需核对数据手册和测试条件。
  • 确认封装和焊盘与 PCB 库、装配能力和工艺限制匹配，而不仅仅是电参数符合。
  • 对于尚未列入 AVL 的器件，在纳入 BOM 之前，应按对应器件类别的要求完成适用性验证，并视情况与思澈科技（SiFli）共享验证结果。
  • 为每个单一供应来源的器件确定替代来源。V0.3 只列出一个 LCD 驱动器，未列出触控控制器；应另行确认当前供货和支持情况，不能将此快照视为最新状态。
  • 每次重大 BOM 冻结前都重新核查一次本清单——它是快照，不是实时数据库。

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