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Lista de fornecedores aprovados para SF32

Para que serve esta lista

A lista de fornecedores aprovados (Approved Vendor List, AVL) registra os resultados da qualificação de componentes conduzida pela SiFli para projetos SF32. A V0.3 lista cristais, indutores buck, memórias Flash NOR/NAND, SD-NAND e um controlador LCD; a aba de controladores de toque não contém registros. Use a lista para selecionar componentes candidatos e possíveis fornecedores alternativos. Depois, valide a peça exata na PCB do produto com o firmware previsto, considerando o gabinete, o processo de fabricação e a cadeia de suprimentos. A inclusão na AVL não substitui a validação do produto.

Esta página foi elaborada diretamente a partir da planilha oficial de AVL da SiFli, SIFLI-MCU-AVL-认证表, versão V0.3 (2026-01-21). Como a AVL pode mudar à medida que novos componentes são qualificados, esta página registra a versão V0.3, datada de 2026-01-21, e não é atualizada em tempo real. Esta revisão confirma apenas o conteúdo da V0.3; não estabelece se algum componente continua aprovado em revisões posteriores da AVL. Consulte a planilha-fonte vigente antes de fechar a BOM:

Como usar esta lista

A fonte apresenta requisitos gerais para cristais e indutores buck; as demais tabelas registram principalmente dados de cada referência. Avalie os candidatos por esses requisitos sem presumir que todos os componentes listados atendam a cada limite geral: as inconsistências da fonte são indicadas abaixo. Colunas inteiramente vazias, como o suporte a ferramentas de gravação de Flash, foram omitidas; isso não confirma tal suporte. Nas tabelas detalhadas, um travessão (—) normalmente indica que a versão V0.3 não informa um valor para aquele campo. Nas células de clock DTR de NOR Flash, porém, representa a indicação explícita da fonte de que o modo não é suportado; consulte a nota sobre NOR Flash.

Avalie cada escolha para a BOM em três etapas, em vez de selecionar um número de peça e seguir adiante:

  1. Faça uma pré-seleção pelos requisitos. Compare capacidade, tensão de alimentação, encapsulamento e requisitos de cada tipo de componente (capacitância de carga dos cristais, DCR/Isat dos indutores e frequência SDR/DTR das memórias Flash) com o esquemático e o orçamento de energia.
  2. Verifique as restrições que não ficam evidentes no parâmetro destacado do datasheet. Confirme se a faixa de temperatura atende às condições de operação e armazenamento do produto, se o firmware espera exatamente o ID de fabricante/JEDEC daquela peça e se o suporte a OTA, sistema de arquivos e ferramentas de gravação foi testado com essa peça específica, não apenas com outra da mesma família.
  3. Valide em hardware real antes da produção em escala. Meça a corrente em repouso e em atividade na sua placa, repita a calibração RF do cristal na PCB e no gabinete finais e identifique pelo menos um fornecedor alternativo para cada item da BOM com fornecedor único.

Visão geral da cobertura

Tabela: visão geral da cobertura
Categoria Componentes qualificados Principais critérios de seleção
Cristais de 48 MHz 10 Capacitância de carga, tolerância de frequência, ESR, tempo de partida, calibração CBANK e desvio de frequência Bluetooth
Cristais de 32,768 kHz 5 Capacitância de carga, tolerância de frequência, ESR, encapsulamento, temperatura de operação
Indutores buck 8 Indutância de 4,7 µH, DCR, corrente de saturação (Isat), corrente nominal (Irms), SRF e compatibilidade com encapsulamento 2016
Flash NOR 44 Capacidade, trilho de tensão, frequência SDR/DTR, ID informado e corrente em repouso/no modo de desligamento profundo
Flash SPI-NAND 18 Capacidade, modo ECC, geometria de páginas/blocos, Golden Block e correntes em repouso, leitura e programação
Flash SD-NAND 5 Compatibilidade com SD 2.0, operação a 50 MHz, corrente em repouso e faixa de temperatura de operação
Controladores LCD 1 Uma referência listada; confirme temporização do painel, suporte do driver e modo de interface antes da liberação
Controladores de painel de toque 0 Nenhuma entrada na V0.3; confirme separadamente a qualificação e o suporte do driver

Use o resumo para conhecer a cobertura da V0.3. A seleção do display e do painel de toque merece atenção especial: essa versão contém apenas um controlador LCD e nenhum controlador de toque. Confirme a referência com a SiFli e valide-a no produto; sua inclusão em uma revisão posterior não elimina essa necessidade.

Histórico de revisões

Tabela: histórico de revisões
Versão Data Autor Alteração
V0.1 2023-12-29 yzli Versão inicial.
V0.2 2025-07-16 yzli Inclusão dos cristais de 48 MHz da Huilun e da JWT (晶威特).
V0.3 2026-01-21 yzli Inclusão das memórias Flash NOR da UCUN: UC25WQ80IB, UC25IQ32A, UC25IQ64A e UC25IQ128A.

Cristais

A AVL inclui cristais de sistema de 48 MHz e cristais de RTC de 32,768 kHz. Consulte os requisitos das fontes de clock no guia de projeto do dispositivo SF32 exato e selecione pela capacitância de carga, tolerância de frequência, ESR, comportamento de partida e orçamento de energia. As tabelas de qualificação não estabelecem uma única configuração de clock obrigatória para todos os produtos SF32.

Cristal de sistema de 48 MHz

Requisitos

Capacitância de carga CL ≤ 12 pF (7 pF recomendados) · Desvio de frequência ΔF/F0 ≤ ±10 ppm · ESR ≤ 30 Ω (22 Ω recomendados)

Cristais de sistema de 48 MHz qualificados
Número de peça qualificado Fornecedor CL ΔF/F0 ESR Temperatura de operação Encapsulamento Tempo de partida Corrente adicional CBANK_SEL ideal Desvio de frequência TX Ch39 (−35 °C / 25 °C / 105 °C)
E1SB48E001G00E Hosonic (鸿星) 8,8 pF −10 a +9 ppm ≤22 Ω −30 °C a +85 °C 2016 (padrão métrico) <700 µs 0 µA 0x1C9 −32 a −1 kHz / ±20 kHz / +33 a +73 kHz
SX20Y048000B31T-8.8 TKD (泰晶) 8,8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −20 °C a +75 °C 2016 (padrão métrico) <800 µs <30 µA 0x1DC −52 a −15 kHz / ±22 kHz / +50 a +100 kHz
SX20Y048000B31T001 TKD (泰晶) 8,8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −40 °C a +85 °C 2016 (padrão métrico) <800 µs <30 µA 0x1F7 −53 a +13 kHz / ±30 kHz / +44 a +90 kHz
CN4048M00085C822000 JWT (晶威特) 8 pF ±8 ppm ≤22 Ω −30 °C a +85 °C 2016 (padrão métrico) <700 µs 0 µA 0x195 −40 a +1 kHz / −25 a +14 kHz / +12 a +45 kHz
HS48000013 汇隆电子 8,8 pF ±10 ppm ≤22 Ω −30 °C a +85 °C 2016 (padrão métrico) <700 µs <12 µA 0x1F3 −27 a +8 kHz / −25 a +10 kHz / −1,2 a +32 kHz
SX20Y048000B81T003 TKD (泰晶) 8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −30 °C a +85 °C 2016 (padrão métrico) <700 µs <10 µA 0x1F4 −41 a +7 kHz / −30 a +20 kHz / +5 a +57 kHz
L214S480D11-S Lucki (蓝晶) 8 pF ±10 ppm ≤30 Ω −30 °C a +85 °C 2016 (padrão métrico) <750 µs <50 µA 0x196 −38 a 0 kHz / −28 a 0 kHz / −4 a +45 kHz
8Y48090002 TXC (晶技) 8,8 pF −6 a +8 ppm ≤22 Ω −30 °C a +85 °C 2016 (padrão métrico) <700 µs <30 µA 0x1D0 −34 a −9,6 kHz / — / +27,9 a +46,1 kHz
9S48000051 惠伦晶体 8,8 pF −6 a +8 ppm ≤20 Ω −30 °C a +85 °C 2016 (padrão métrico) <700 µs <15 µA — —
CN4048M000885C822000 JWT (晶威特) 8,8 pF ±8 ppm ≤22 Ω −30 °C a +85 °C 2016 (padrão métrico) <700 µs <10 µA 0x1D0 −34 a −9,6 kHz / −25 a +10 kHz / +27,9 a +46,1 kHz

O que significam as colunas de calibração RF

CBANK_SEL é o ajuste registrado nos dados de qualificação da SiFli. TX Ch39 Freq Offset mantém o nome original do ensaio e os resultados em três temperaturas. A planilha não identifica o modo Bluetooth nem a frequência de ensaio; não presuma que se trata do canal de advertising BLE 39 ou de um canal específico na região central da banda. Confirme as condições de ensaio e o procedimento de calibração antes de comparar resultados ou aplicar os ajustes à sua placa. Três referências da TKD indicam ESR ≤40 Ω, apesar do requisito geral de ≤30 Ω; essa divergência também precisa ser confirmada.

As correntes adicionais da tabela de cristais não têm uma referência de comparação nem uma configuração completa de ensaio documentadas. Não são correntes de alimentação do cristal isolado; confirme a definição da medição antes de comparar candidatos ou usar os valores no orçamento de energia do sistema.

Cristal de RTC de 32,768 kHz

Requisitos

Capacitância de carga CL ≤ 12,5 pF (7 pF recomendados) · Desvio de frequência ΔF/F0 ≤ ±20 ppm · ESR ≤ 80 kΩ (38 kΩ recomendados)

Cristais de RTC de 32,768 kHz qualificados
Número de peça qualificado Fornecedor CL ΔF/F0 ESR Temperatura de operação Encapsulamento Percentuais da fonte; significado a confirmar (−35 °C / 25 °C / 105 °C)
ETST00327000LE Hosonic (鸿星) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40 °C a +85 °C 3215 (padrão métrico) 32% a 55% / 43% a 54% / 38% a 45%
SF32K32768D71T01 TKD (泰晶) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40 °C a +85 °C 3215 (padrão métrico) 33% a 54% / 42% a 56% / 35% a 44%
X1A0001210008xx Epson (爱普生) 7 pF ±20 ppm ≤90 kΩ −40 °C a +85 °C 1610 (padrão métrico) 35% a 61% / 42% a 58% / 36% a 48%
DH2032K76807T2719002 JWT (晶威特) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40 °C a +85 °C 3215 (padrão métrico) 43% a 60% / 45% a 59% / 37% a 48%
SF32WK32768D71T024 TKD (泰晶) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40 °C a +85 °C 3215 (padrão métrico) 34% a 55% / 41% a 54% / 36% a 46%

A planilha registra 32,76 kHz para cada peça em três temperaturas de ensaio distintas: −35 °C, 25 °C e 105 °C. Essa precisão de apresentação não comprova exatidão na ordem de ppm nem desempenho em toda a faixa de temperatura. Os percentuais da tabela aparecem em colunas cujo cabeçalho original é TX_CH39_Freq_offset(KHz), embora o formato sugira medições de ciclo de trabalho. Confirme o significado com a SiFli antes de usá-los como limites de ciclo de trabalho. O ensaio a 105 °C também não amplia a faixa de operação indicada, de −40 °C a +85 °C. O limite de ESR de 90 kΩ da peça Epson supera o requisito geral de 80 kΩ; essa divergência da fonte foi preservada e sua aceitação precisa ser confirmada para o projeto.


Indutores buck

Requisitos

Indutância L = 4,7 µH ±20% · Resistência em corrente contínua (DCR) ≤ 0,4 Ω · Corrente de saturação (Isat) ≥ 450 mA

Indutores buck qualificados
Número de peça qualificado Fornecedor Tipo Tolerância SRF DCR Isat Irms Encapsulamento
WPN201610U4R7MT Sunlord Bobinado ±20% 21 MHz ≤288 mΩ 1,3 A 1,45 A 0806 (padrão métrico 2016)
WPN201610H4R7MT Sunlord Bobinado ±20% 25 MHz ≤425 mΩ 1,2 A 1,0 A 0806 (padrão métrico 2016)
HTTX20161T-4R7MDR Cyntec Bobinado ±20% — ≤250 mΩ 1,7 A 1,5 A 0806 (padrão métrico 2016)
VLS201612CX-4R7M-1 TDK Bobinado ±20% 51 MHz ≤252 mΩ 0,88 A 1,32 A 0806 (padrão métrico 2016)
CIGW201610GL4R7MLE Samsung Bobinado ±20% — ≤240 mΩ 1,4 A 1,4 A 0806 (padrão métrico 2016)
DFE201612E-4R7M=P2 Murata Bobinado ±20% — ≤252 mΩ 1,8 A 1,2 A 0806 (padrão métrico 2016)
SWAI201610H4R7M 三体微 Bobinado ±20% — ≤390 mΩ 1,3 A 1,05 A 0806 (padrão métrico 2016)
FSHJ201610-4R7M 方磁 Bobinado ±20% — ≤425 mΩ 1,1 A 0,9 A 0806 (padrão métrico 2016)

A inclusão nesta tabela não torna os oito indutores eletricamente intercambiáveis. WPN201610H4R7MT e FSHJ201610-4R7M têm DCR máxima indicada de 425 mΩ, acima do requisito geral de 0,4 Ω. A planilha não explica essa divergência; confirme a aceitação com a SiFli, em vez de presumir que atendem ao limite. Para cada candidato, verifique as perdas por DCR, Isat, Irms, SRF, footprint, altura e elevação de temperatura com base na corrente real do indutor e nas condições do conversor, não na corrente média do produto inteiro.


Flash NOR

A V0.3 lista 44 referências de Flash NOR de 4 Mb a 256 Mb, agrupadas por capacidade. As frequências indicadas são das memórias e não garantem essas velocidades em qualquer dispositivo SF32 ou placa. Verifique os comandos de leitura, os limites do controlador, a temporização e a identificação pelo driver no seu projeto. A fonte chama os valores hexadecimais de “Manufacture ID”, mas eles também incluem campos de identificação do dispositivo: compare a resposta completa esperada, não apenas o byte do fabricante. Calcule o consumo ativo e em repouso com correntes cujas condições de operação estejam documentadas.

4 Mb – 16 Mb

Nenhum dos seis componentes desta faixa de capacidade aceita o modo DTR; por isso, a tabela mostra apenas uma coluna para a frequência SDR.

Memórias Flash NOR de 4 Mb a 16 Mb qualificadas
Número de peça qualificado Fornecedor Capacidade Tensão Faixa de temperatura Frequência SDR máx. ID informado Corrente em repouso Corrente em desligamento profundo Corrente de leitura ativa
P25Q40SU PUYA 4 Mb 1,65–3,6 V −40 °C a +85 °C 85 MHz @1,8 V / 104 MHz @3,3 V 0x856013 10 µA 0,1 µA @1,8 V / 0,6 µA @3,3 V 3,5 mA @85 MHz (1,8 V) / 5 mA @85 MHz (3,3 V) / EDH: não suportado
P25Q80LE PUYA 8 Mb 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 104 MHz 0x856014 9 µA 0,1 µA 1,5 mA @85 MHz / EDH: não suportado
GD25LE80E GD (GigaDevice) 8 Mb 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 133 MHz 0xC86014 10 µA 0,2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: não suportado
UC25WQ80IB UCUN 8 Mb 1,65–3,6 V −40 °C a +85 °C 104 MHz 0xB36014 1,5 µA 0,5 µA 6 mA @85 MHz / EDH: não informado
P25Q16LE PUYA 16 Mb 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 104 MHz 0x856015 18 µA 0,1 µA 3 mA @85 MHz / EDH: não suportado
GD25LE16E GD (GigaDevice) 16 Mb 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 133 MHz 0xC86015 10 µA 0,2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: não suportado

32 Mb – 64 Mb

Memórias Flash NOR de 32 Mb a 64 Mb qualificadas
Número de peça qualificado Fornecedor Capacidade Tensão Faixa de temperatura Frequência máx. (SDR / DTR) ID informado Corrente em repouso Corrente em desligamento profundo Corrente de leitura ativa
P25Q32L PUYA 32 Mb 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 120 MHz / — 0x856016 9 µA 0,2 µA 2 mA @85 MHz / EDH: não suportado
SK25LE032 SK 32 Mb 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / 80 MHz 0x257016 10 µA 0,1 µA 2 mA @80 MHz (SDR) / 2,6 mA @80 MHz (DTR)
GD25LE32E GD (GigaDevice) 32 Mb 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / — 0xC86016 10 µA 0,2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: não suportado
UC25IQ32A UCUN 32 Mb 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / 66 MHz 0xB34014 15 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: não informado
P25Q64LE PUYA 64 Mb 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 104 MHz / — 0x856017 18 µA 0,3 µA 2 mA @85 MHz / EDH: não suportado
P25Q64H PUYA 64 Mb 2,3–3,6 V −40 °C a +85 °C 120 MHz / — 0x856017 18 µA 0,6 µA 4 mA @85 MHz / EDH: não suportado
P25Q64SH PUYA 64 Mb 2,3–3,6 V −40 °C a +85 °C 120 MHz / 70 MHz 0x856017 10 µA 0,3 µA 6,8 mA @85 MHz (SDR) / 9,45 mA @70 MHz (DTR)
GD25LE64E GD (GigaDevice) 64 Mb 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / — 0xC86017 10 µA 0,2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: não suportado
ZB25LQ64A ZBIT 64 Mb 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / 66 MHz 0x5E7017 10 µA 1 µA 4 mA @104 MHz / EDH: não informado
BY25Q64ES BOYA 64 Mb 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 120 MHz / — 0x684017 9 µA 0,4 µA 6 mA @80 MHz / EDH: não suportado
UC25IQ64A UCUN 64 Mb 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / 66 MHz 0xB34017 10 µA 1 µA 15 mA @80 MHz / EDH: não informado

128 Mb

Memórias Flash NOR de 128 Mb qualificadas
Número de peça qualificado Fornecedor Tensão Faixa de temperatura Frequência máx. (SDR / DTR) ID informado Corrente em repouso Corrente em desligamento profundo Corrente de leitura ativa
P25Q128L PUYA 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 70 MHz / 43 MHz 0x856018 15 µA 0,5 µA 4,5 mA @85 MHz / EDH: não informado
PY25Q128HA PUYA 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 104 MHz / 66 MHz 0x852018 15 µA 1 µA 7 mA @85 MHz (SDR) / 9 mA @66 MHz (DTR)
SK25LP128 SK 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 166 MHz / 104 MHz 0x257018 8 µA 0,1 µA 2 mA @80 MHz (SDR) / 2,6 mA @80 MHz (DTR)
GD25LQ128E GD (GigaDevice) 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 120 MHz / — 0xC86018 35 µA 1 µA 13 mA @80 MHz / EDH: não suportado
GD25Q128E GD (GigaDevice) 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / — 0xC84018 14 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: não suportado
GD25F128F GD (GigaDevice) 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 166 MHz / 104 MHz 0xC84318 16 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: não informado
W25Q128JW Winbond 1,7–1,95 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / — 0xEF6018 10 µA 1 µA — / EDH: não suportado
W25Q128JV Winbond 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / — 0xEF4018 10 µA 1 µA 12 mA @104 MHz / EDH: não suportado
XT25F128F XTX 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / 104 MHz 0x0B4018 15 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: não informado
XT25Q128DW XTX 1,7–2,0 V −40 °C a +85 °C 108 MHz / 76 MHz 0x0B6018 12 µA 0,4 µA 9 mA @80 MHz / EDH: não informado
FM25W128 FM 1,65–3,6 V −40 °C a +85 °C 50 MHz @1,8 V / 100 MHz @3,3 V (somente SDR, sem suporte a DTR) 0xA12818 5 µA 1 µA @3,3 V — / EDH: não suportado
XM25QU128C XMC 1,65–1,95 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / — 0x204118 18 µA 6 µA 6 mA @66 MHz / EDH: não suportado
ZB25VQ128D ZBIT 2,3–3,6 V −40 °C a +85 °C 104 MHz / — 0x5E4018 10 µA 1 µA 4 mA @104 MHz / EDH: não suportado
ZB25LQ128B ZBIT 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 104 MHz / — 0x5E5018 9 µA 3 µA 9 mA @104 MHz / EDH: não suportado
BY25Q128ES BOYA 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 108 MHz / — 0x684018 14 µA 0,2 µA 6 mA @80 MHz / EDH: não suportado
UC25IQ128A UCUN 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / 66 MHz 0xB34018 15 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: não informado

256 Mb

Memórias Flash NOR de 256 Mb qualificadas
Número de peça qualificado Fornecedor Tensão Faixa de temperatura Frequência máx. (SDR / DTR) ID informado Corrente em repouso Corrente em desligamento profundo Corrente de leitura ativa
W25Q256JW Winbond 1,7–1,95 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / — 0xEF6019 10 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: não suportado
W25Q256JV Winbond 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / — 0xEF7019 10 µA 1 µA 12 mA @104 MHz / EDH: não suportado
PY25Q256HB PUYA 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / 100 MHz 0x852019 20 µA 1 µA 7 mA @80 MHz (SDR) / 11,5 mA @80 MHz (DTR)
GD25LQ256D GD (GigaDevice) 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 120 MHz / — 0xC86019 70 µA 2 µA 10 mA @80 MHz / EDH: não suportado
GD25Q256E GD (GigaDevice) 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / — 0xC84019 16 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: não suportado
XM25QU256C XMC 1,65–1,95 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / — 0x204119 15 µA 7 µA 11 mA @66 MHz / EDH: não suportado
XM25QH256C XMC 2,3–3,6 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / — 0x204019 15 µA 7 µA 7 mA @66 MHz / EDH: não suportado
XT25F256BW XTX 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 104 MHz / 50 MHz 0x0B4019 15 µA 0,5 µA 8 mA @80 MHz / EDH: não informado
DS25M4BA Dosilicon 1,65–1,95 V −40 °C a +85 °C 108 MHz / 80 MHz 0xE54219 15 µA 5 µA 13 mA @108 MHz / EDH: não informado
BY25Q256FS BOYA 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 100 MHz / 54 MHz 0x684919 28 µA 2 µA 13 mA @80 MHz / EDH: não informado
MX25U25643G MXIC (Macronix) 1,65–2,0 V −40 °C a +85 °C 133 MHz / 54 MHz 0xC22539 15 µA 0,8 µA 7 mA @84 MHz / EDH: não informado

Correntes e limites de modo exigem as condições originais

São valores registrados na AVL, não medições independentes deste site. Sem indicação explícita, não presuma que um valor é típico ou máximo, nem que condições não informadas de tensão, temperatura e clock coincidem com as de outra linha. Confira o datasheet e meça a sua placa. As correntes de leitura vêm das colunas EBH e EDH da fonte. “—” em uma célula de corrente indica um valor não informado; na coluna de clock DTR, representa um modo indicado como não suportado. A fonte chama a segunda coluna de clock de TDR; esta página usa DTR, mas o modo de leitura e o comando precisam ser verificados para a peça exata.

As indicações EDH preservam a distinção da fonte entre dados ausentes e operação não suportada; não são deduzidas da coluna de frequência. Há uma inconsistência no P25Q128L: a frequência SDR máxima é de 70 MHz, mas a corrente de leitura é especificada a 85 MHz. Ambos os valores são mantidos; confirme as condições válidas antes de usá-los.


Flash SPI-NAND

A V0.3 lista 18 referências SPI-NAND de 512 Mb e 1 Gb. Com um driver e uma pilha de software compatíveis, elas podem armazenar arquivos ou dados; FatFS, FlashDB e LittleFS são exemplos, mas é necessário validar a compatibilidade com a referência escolhida. O acesso página a página, o ECC e o gerenciamento de blocos defeituosos da NAND diferem do acesso XIP direto em NOR. A planilha indica Golden Block como block0 para todas as referências, sem especificar as condições da garantia nem quais rotinas de firmware dependem dele. Confirme essas premissas na documentação do dispositivo e do SDK.

Para GD5F1GM7RE e GD5F1GM7UE, a fonte informa 2048+64 bytes por página, mas 128K+8K bytes por bloco. Os tamanhos da área de reserva não coincidem com um cálculo direto a partir das páginas. A tabela mantém os dois valores; confirme a geometria das páginas, dos blocos e das áreas de reserva no datasheet do componente exato antes de configurar o driver.

512 Mb

Memórias Flash SPI-NAND de 512 Mb qualificadas
Número de peça qualificado Fornecedor Tensão Faixa de temperatura ID informado Tamanho da página/do bloco Taxa máx. ECC Golden Block Corrente em repouso Corrente de leitura de página Corrente de programação/apagamento
F35SQA512M FORESEE 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 0xCD7070 2048+64 B / 128K+4K 133 MHz HW, 1 bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
F35UQA512M FORESEE 1,7–1,95 V −40 °C a +85 °C 0xCD6060 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW, 1 bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35M12B Dosilicon 1,7–1,95 V −40 °C a +85 °C 0xE5A5E5 2048+128 B / 128K+8K 83 MHz HW, 8 bits block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35Q12B Dosilicon 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 0xE5F5E5 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz HW, 8 bits block0 10 µA 10 mA 15 mA

1 Gb

Tabela: memórias Flash SPI-NAND de 1 Gb qualificadas
Número de peça qualificado Fornecedor Tensão Faixa de temperatura ID informado Tamanho da página/do bloco Taxa máx. ECC Golden Block Corrente em repouso Corrente de leitura de página Corrente de programação/apagamento
W25N01GW Winbond 1,7–1,95 V −40 °C a +85 °C 0xEFBA21 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW, 1 bit block0 10 µA 25 mA 25 mA
W25N01GV Winbond 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 0xEFAA21 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW, 1 bit block0 10 µA 25 mA 25 mA
GD5F1GM7RE GD (GigaDevice) 1,7–2,0 V −40 °C a +85 °C 0xC881C8 2048+64 B / 128K+8K 104 MHz SDR / 80 MHz DTR HW, 8 bits block0 10 µA 10 mA 10 mA
GD5F1GM7UE GD (GigaDevice) 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 0xC891C8 2048+64 B / 128K+8K 133 MHz SDR / 104 MHz DTR HW, 8 bits block0 10 µA 15 mA 15 mA
F35SQA001G FORESEE 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 0xCD7171 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW, 1 bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
HYF1GQ4IDACAE HeYangTek 1,7–1,98 V −40 °C a +85 °C 0xC981C9 2048+64 B / 128K+4K 80 MHz HW, 4 bits block0 10 µA 5 mA —
HYF1GQ4UDACAE HeYangTek 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 0xC921C9 2048+64 B / 128K+4K 108 MHz HW, 4 bits block0 10 µA 15 mA —
XT26Q01D XTX 1,7–1,95 V −40 °C a +85 °C 0x0B5100 2048+128 B / 128K+8K 108 MHz HW, 8 bits block0 15 µA 26 mA 28 mA / 18 mA
XT26G01C XTX 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 0x0B3100 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz HW, 8 bits block0 180 µA 25 mA 30 mA / 25 mA
DS35M1GB Dosilicon 1,7–1,95 V −40 °C a +85 °C 0xE5A1E5 2048+128 B / 128K+8K 83 MHz HW, 8 bits block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35Q1GB Dosilicon 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 0xE5F1E5 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz HW, 8 bits block0 10 µA 10 mA 15 mA
ZB35Q01A ZBIT 2,7–3,6 V −40 °C a +85 °C 0x5E415E 2048+64 B / 128K+4K 80 MHz HW, 8 bits block0 10 µA 10 mA 10 mA
FM25SL01 FM 1,75–1,95 V −40 °C a +85 °C 0xA1A5A1 2048+128 B / 128K+8K 80 MHz HW, 1 bit block0 10 µA 16 mA 16 mA
TC58CYG0S3HRAIJ KIOXIA 1,7–1,95 V −40 °C a +85 °C 0x98D240 2048+64 B / 128K+4K 133 MHz HW, 8 bits block0 30 µA 17 mA 26 mA

Antes de implementar a detecção de Flash, consulte em cada datasheet a sequência de leitura do ID JEDEC/do fabricante. O número de bytes retornados após o opcode 0x9F varia conforme o fornecedor: alguns retornam um ID de dispositivo de dois bytes, DID1 + DID2; outros retornam apenas um byte. Por isso, um componente de um fornecedor alternativo pode não ser reconhecido durante a inicialização.


Sequências de leitura de ID da fonte

A planilha registra os três formatos de leitura de ID abaixo. MID indica o ID do fabricante; DID, DID1 e DID2 indicam campos de ID do dispositivo. São sequências de texto reproduzidas da fonte, não transações diretamente executáveis. Antes de implementar o driver, confirme o opcode, a fase dummy ou de endereço, a quantidade de bytes retornados e a temporização do chip select no datasheet da peça exata. Os IDs hexadecimais das tabelas nem sempre representam um único byte de ID do fabricante.

Sequências de leitura de ID SPI-NAND registradas na V0.3
Componentes Sequência da fonte
F35SQA512M, F35UQA512M, W25N01GW, W25N01GV, F35SQA001G, TC58CYG0S3HRAIJ 9F+dummy(8bit)+MID+DID1+DID2
DS35M12B, DS35Q12B, GD5F1GM7RE, GD5F1GM7UE, DS35M1GB, DS35Q1GB, FM25SL01 9F+dummy(8bit)+MID+DID
HYF1GQ4IDACAE, HYF1GQ4UDACAE, XT26Q01D, XT26G01C, ZB35Q01A 9F+00+MID+DID

Flash SD-NAND

A V0.3 lista cinco componentes SD-NAND qualificados de 1 Gb com interface SD 2.0. Eles são candidatos para armazenamento fixo acessado por uma interface SD, sem um slot físico para cartão. Antes da seleção, confirme a compatibilidade do controlador e do driver com o componente exato e o projeto do produto.

Memórias Flash SD-NAND qualificadas
Número de peça qualificado Fornecedor Faixa de temperatura Tensão Interface Frequência máx. Corrente em repouso Corrente de operação
CSNP1GCR01-BOW CS −30 °C a +85 °C 2,7–3,6 V SD 2.0 50 MHz 150 µA (típ.) 15 mA @50 MHz (típ.)
XTSD01GLGEAG XTX −30 °C a +85 °C 2,7–3,6 V SD 2.0 50 MHz 200 µA (máx.) 30 mA @50 MHz (máx.)
XSSD01GGAI XSS 0 °C a +70 °C 2,7–3,6 V SD 2.0 50 MHz 300 µA (máx.) 45 mA @50 MHz (máx.)
MKDV1GCL-AB MK −25 °C a +85 °C 2,7–3,6 V SD 2.0 50 MHz 50 µA (máx.) 28 mA @50 MHz (máx.)
XS26D01GACW Icthink −25 °C a +85 °C 2,7–3,6 V SD 2.0 50 MHz 250 µA (máx.) 100 mA @50 MHz (máx.)

A XSSD01GGAI é indicada para 0 °C a +70 °C. As outras quatro referências têm limites inferiores de −25 °C ou −30 °C e limite superior de +85 °C. Use os limites reais de cada linha, sem presumir uma mesma classe de temperatura, e verifique a margem necessária para o ambiente do produto.


Controlador LCD

Controladores de display listados na V0.3

A V0.3 lista um controlador LCD. A planilha V0.3 é uma versão fixa, não um link para revisões futuras. Uma referência ausente não significa falta de suporte; confirme com a SiFli antes de selecioná-la para produção. MIPI e QSPI são interfaces do controlador de display, não necessariamente de todos os dispositivos SF32. Verifique as interfaces e o driver do chip escolhido; consulte a visão geral de gráficos e a arquitetura da GPU ePicasso. A fonte indica ?MHz para SDR, sem valor definido, e registra DDR como não suportado.

Controladores LCD qualificados
Número de peça qualificado Fornecedor Resolução Tipo Tensão de E/S Interface GRAM Profundidade de cor Taxa máx. (SDR / DDR)
RM69090 Raydium 368×448 AMOLED 1,65–3,3 V MIPI, QSPI Sim 16,7 milhões de cores Não especificada / não suportada

Controlador de painel de toque

A V0.3 não contém referências de controladores de toque. Isso não determina a situação de qualificação em revisões posteriores nem significa que um dispositivo não tenha suporte. Para um componente em avaliação, peça à equipe FAE ou comercial da SiFli que confirme a qualificação e o suporte do driver, informando o número de peça comercial exato e os requisitos do produto. Consulte as informações de contato.


Checklist da revisão de projeto

Antes de congelar o esquemático ou a BOM, confira cada componente escolhido na AVL em relação ao projeto real do produto:

  • O número de peça, encapsulamento, grau de temperatura e sufixo de pedido exatos correspondem à linha aprovada ou têm um processo explícito de aprovação de engenharia.
  • A faixa de tensão corresponde à alimentação de E/S do SF32, da Flash, do display ou do conversor de potência usado na placa.
  • O encapsulamento, o padrão de pads, a altura e as restrições de montagem são compatíveis com a biblioteca de PCB e o processo de fabricação.
  • Quando aplicável, o firmware identifica corretamente a peça pelo ID JEDEC/do fabricante ou por uma verificação equivalente em tempo de execução.
  • O comportamento de inicialização, gravação, OTA, sistema de arquivos, display ou driver de toque foi verificado com a peça exata.
  • A corrente nos modos de baixo consumo foi medida em hardware real, e não copiada diretamente da AVL ou do datasheet do componente.
  • O desvio de frequência do cristal, o comportamento de CBANK_SEL e a calibração RF foram validados na PCB, na antena e no gabinete finais.
  • Os tempos de apagamento, programação e leitura da Flash foram testados na faixa de tensão e temperatura prevista para o produto.
  • Foi identificado pelo menos um fornecedor alternativo para cada item de alto risco da BOM, como cristais, indutores, Flash e painéis de display.

Este checklist é intencionalmente mais rigorosa do que “a peça aparece na AVL”. A AVL reduz o espaço de busca, mas a liberação do produto ainda depende de evidências obtidas na placa.

Checklist de fornecimento

  • Confira o número de peça e o sufixo de revisão na versão atual da AVL para download: versões da planilha, inclusive esta página, ficam desatualizadas à medida que novos lotes são qualificados.
  • Para memórias Flash, confirme que o ID do fabricante/JEDEC esperado pelo código de bring-up corresponde à peça exata encomendada, não apenas à família. Algumas famílias compartilham o nome comercial, mas retornam bytes de ID diferentes.
  • Para NAND, SD-NAND e qualquer componente que armazene um sistema de arquivos, verifique em hardware real o suporte de inicialização e da ferramenta de gravação, o fluxo de atualização OTA e o comportamento de FatFS/FlashDB/LittleFS. Uma peça que responde corretamente durante o bring-up não está automaticamente validada para OTA.
  • Valide CBANK_SEL e o desvio de frequência TX Ch39 indicado na sua placa. A planilha não especifica o layout de referência nem a configuração completa de medição; confirme o modo e as condições de teste antes de comparar resultados.
  • Meça na sua placa as correntes em repouso, no modo deep-power-down e durante a leitura ativa. A AVL não documenta completamente a origem e as condições de cada valor; verifique o datasheet e as condições de medição.
  • Não se limite às especificações elétricas: confirme também se o encapsulamento e o footprint correspondem à biblioteca de PCB e à capacidade de montagem.
  • Antes de incluir na BOM uma peça ainda não listada, qualifique-a conforme os requisitos da classe correspondente e considere compartilhar os dados de qualificação com a SiFli.
  • Identifique uma segunda fonte para cada item com fornecedor único. A V0.3 lista um controlador LCD e nenhum controlador de toque; confirme a disponibilidade e o suporte atuais sem tratar essa versão como a situação mais recente.
  • Revise esta lista antes de cada congelamento importante da BOM: ela é um registro datado, não uma base de dados atualizada em tempo real.

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