Перейти к содержанию

Перечень одобренных компонентов для SF32

Назначение перечня

Перечень одобренных компонентов (Approved Vendor List, AVL) фиксирует результаты квалификации компонентов, проведенной SiFli для проектов на базе SF32. В V0.3 перечислены пассивные кварцевые резонаторы, дроссели понижающих преобразователей, NOR/NAND Flash, SD-NAND и один драйвер LCD; в листе сенсорных контроллеров записей нет. Используйте перечень для отбора компонентов-кандидатов и поиска альтернативных поставщиков. Затем проверьте конкретную модель на своей плате с целевой прошивкой и в корпусе конечного изделия, а также убедитесь, что она подходит для выбранного производственного процесса и цепочки поставок. Включение в AVL не заменяет проверку изделия в составе конечного продукта.

Эта страница составлена непосредственно по официальной таблице AVL компании SiFli SIFLI-MCU-AVL-认证表, версия V0.3 от 2026-01-21. По мере квалификации новых компонентов AVL может обновляться; эта страница отражает датированную версию V0.3 и не обновляется в реальном времени. Проверка подтверждает только содержание V0.3 и не устанавливает, сохраняет ли какая-либо позиция статус одобренной в последующих редакциях AVL. Перед окончательным утверждением BOM сверяйтесь с актуальным исходным файлом:

Как пользоваться перечнем

Источник содержит общие требования к кварцевым резонаторам и дросселям понижающих преобразователей; остальные таблицы в основном фиксируют данные отдельных моделей. Оценивайте кандидатов по этим требованиям, но не считайте, что каждая включённая модель соответствует всем общим пределам: противоречия источника отмечены ниже. Полностью пустые столбцы, например поддержка инструментов программирования флеш-памяти, опущены; это не подтверждает такую поддержку. В подробных таблицах тире (—) обычно означает, что в V0.3 для этого поля значение не приведено. Однако в ячейках частоты DTR для NOR Flash оно обозначает явную пометку источника «не поддерживается»; см. примечание к NOR Flash.

При выборе компонентов для BOM пройдите три этапа, а не ограничивайтесь выбором номера детали:

  1. Сначала отберите детали по требованиям. Сопоставьте ёмкость, напряжение питания, корпус и требования к классу компонентов (нагрузочную ёмкость кварцевых резонаторов, DCR/Isat дросселей, частоту SDR/DTR для Flash) со схемой и бюджетом энергопотребления.
  2. Проверьте ограничения, которые не видны в ключевых цифрах даташита. Убедитесь, что температурный диапазон соответствует условиям эксплуатации и хранения изделия, прошивка ожидает именно этот Manufacturer/JEDEC ID, а поддержка OTA, файловой системы и инструмента загрузки проверена на выбранной детали, а не только на другой микросхеме того же семейства.
  3. Проверьте реальное устройство до заказа серийного объёма. Измерьте ток в режиме ожидания и активном режиме на собственной плате, повторно проверьте RF-калибровку кварцевого резонатора на окончательной PCB и в корпусе и найдите как минимум одного альтернативного поставщика для каждой позиции, доступной только из одного источника.

Обзор покрытия

Таблица: обзор покрытия
Категория Квалифицированные компоненты Основные критерии выбора
Кварцевые резонаторы 48 MHz 10 Нагрузочная ёмкость, допуск частоты, ESR, время запуска, калибровка CBANK, частотное смещение Bluetooth
Кварцевые резонаторы 32,768 kHz 5 Нагрузочная ёмкость, допуск частоты, ESR, корпус, рабочая температура
Buck-дроссели 8 Индуктивность 4,7 µH, DCR, ток насыщения (Isat), номинальный ток (Irms), SRF, совместимость с корпусом 2016
NOR Flash 44 Ёмкость, напряжение питания, частота SDR/DTR, ID из источника, ток в ожидании и глубоком выключении
SPI-NAND Flash 18 Ёмкость, режим ECC, геометрия страниц и блоков, Golden Block, токи ожидания, чтения и программирования
SD-NAND Flash 5 Совместимость с SD 2.0, работа на частоте 50 MHz, ток ожидания, рабочий температурный диапазон
LCD-драйверы 1 Указана одна модель; перед выпуском проверьте временные параметры панели, драйвер и режим интерфейса
Контроллеры сенсорных панелей 0 В V0.3 нет записей; отдельно уточните квалификацию и поддержку драйвера

Эта сводка показывает охват V0.3. Выбор дисплея и сенсорного контроллера требует особого внимания: в версии указан только один драйвер LCD и нет сенсорных контроллеров. Уточните выбранную модель у SiFli и проверьте её в изделии. Включение в более позднюю версию AVL не отменяет эту проверку.

История версий

Таблица: история версий
Версия Дата Автор Изменение
V0.1 2023-12-29 yzli Первоначальный выпуск.
V0.2 2025-07-16 yzli Добавлены кварцевые резонаторы Huilun и JWT (晶威特) на 48 MHz.
V0.3 2026-01-21 yzli Добавлена NOR Flash от UCUN: UC25WQ80IB, UC25IQ32A, UC25IQ64A и UC25IQ128A.

Кварцевые резонаторы

AVL охватывает системные кварцевые резонаторы на 48 MHz и резонаторы RTC на 32,768 kHz. Требования к источникам тактового сигнала проверяйте по руководству по проектированию для конкретного устройства SF32, затем выбирайте по нагрузочной ёмкости, допуску частоты, ESR, характеристикам запуска и бюджету энергопотребления. Эти квалификационные таблицы не устанавливают единственную обязательную конфигурацию тактирования для всех продуктов SF32.

Системный кварцевый резонатор 48 MHz

Требования

Ёмкость нагрузки CL ≤ 12 pF (рекомендуется 7 pF) · Отклонение частоты ΔF/F0 ≤ ±10 ppm · ESR ≤ 30 Ω (рекомендуется 22 Ω)

Квалифицированные системные кварцевые резонаторы 48 MHz
Номер квалифицированной детали Поставщик CL ΔF/F0 ESR Рабочая температура Корпус Время запуска Дополнительный ток Оптимальное CBANK_SEL Частотное смещение TX Ch39 (−35 °C / 25 °C / 105 °C)
E1SB48E001G00E Hosonic (鸿星) 8,8 pF −10 до +9 ppm ≤22 Ω −30 °C до +85 °C 2016 (метрический типоразмер) <700 µs 0 µA 0x1C9 −32 до −1 kHz / ±20 kHz / +33 до +73 kHz
SX20Y048000B31T-8.8 TKD (泰晶) 8,8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −20 °C до +75 °C 2016 (метрический типоразмер) <800 µs <30 µA 0x1DC −52 до −15 kHz / ±22 kHz / +50 до +100 kHz
SX20Y048000B31T001 TKD (泰晶) 8,8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −40 °C до +85 °C 2016 (метрический типоразмер) <800 µs <30 µA 0x1F7 −53 до +13 kHz / ±30 kHz / +44 до +90 kHz
CN4048M00085C822000 JWT (晶威特) 8 pF ±8 ppm ≤22 Ω −30 °C до +85 °C 2016 (метрический типоразмер) <700 µs 0 µA 0x195 −40 до +1 kHz / −25 до +14 kHz / +12 до +45 kHz
HS48000013 汇隆电子 8,8 pF ±10 ppm ≤22 Ω −30 °C до +85 °C 2016 (метрический типоразмер) <700 µs <12 µA 0x1F3 −27 до +8 kHz / −25 до +10 kHz / −1,2 до +32 kHz
SX20Y048000B81T003 TKD (泰晶) 8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −30 °C до +85 °C 2016 (метрический типоразмер) <700 µs <10 µA 0x1F4 −41 до +7 kHz / −30 до +20 kHz / +5 до +57 kHz
L214S480D11-S Lucki (蓝晶) 8 pF ±10 ppm ≤30 Ω −30 °C до +85 °C 2016 (метрический типоразмер) <750 µs <50 µA 0x196 −38 до 0 kHz / −28 до 0 kHz / −4 до +45 kHz
8Y48090002 TXC (晶技) 8,8 pF −6 до +8 ppm ≤22 Ω −30 °C до +85 °C 2016 (метрический типоразмер) <700 µs <30 µA 0x1D0 −34 до −9,6 kHz / — / +27,9 до +46,1 kHz
9S48000051 惠伦晶体 8,8 pF −6 до +8 ppm ≤20 Ω −30 °C до +85 °C 2016 (метрический типоразмер) <700 µs <15 µA — —
CN4048M000885C822000 JWT (晶威特) 8,8 pF ±8 ppm ≤22 Ω −30 °C до +85 °C 2016 (метрический типоразмер) <700 µs <10 µA 0x1D0 −34 до −9,6 kHz / −25 до +10 kHz / +27,9 до +46,1 kHz

Что означают столбцы RF-калибровки

CBANK_SEL — настройка подстройки, указанная в квалификационных данных SiFli. TX Ch39 Freq Offset сохраняет исходное название испытания и результаты при трёх температурах. В таблице не указаны режим Bluetooth и испытательная частота. Не считайте, что это рекламный канал BLE с номером 39 или определённый канал в середине диапазона. Уточните условия испытания и процедуру калибровки, прежде чем сравнивать результаты или применять настройки на своей плате. Для трёх компонентов TKD указано ESR ≤40 Ω при общем требовании ≤30 Ω; это расхождение также необходимо уточнить.

Для значений дополнительного тока в таблице кварцевых резонаторов не указаны базовый уровень сравнения и полная схема испытания. Это не ток питания самого резонатора; уточните определение измеряемой величины перед сравнением кандидатов или использованием значений в бюджете энергопотребления системы.

RTC-кварцевый резонатор 32,768 kHz

Требования

Ёмкость нагрузки CL ≤ 12,5 pF (рекомендуется 7 pF) · Отклонение частоты ΔF/F0 ≤ ±20 ppm · ESR ≤ 80 kΩ (рекомендуется 38 kΩ)

Квалифицированные RTC-кварцевые резонаторы 32,768 kHz
Номер квалифицированной детали Поставщик CL ΔF/F0 ESR Рабочая температура Корпус Проценты из источника; смысл не подтверждён (−35 °C / 25 °C / 105 °C)
ETST00327000LE Hosonic (鸿星) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40 °C до +85 °C 3215 (метрический типоразмер) 32% до 55% / 43% до 54% / 38% до 45%
SF32K32768D71T01 TKD (泰晶) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40 °C до +85 °C 3215 (метрический типоразмер) 33% до 54% / 42% до 56% / 35% до 44%
X1A0001210008xx Epson (爱普生) 7 pF ±20 ppm ≤90 kΩ −40 °C до +85 °C 1610 (метрический типоразмер) 35% до 61% / 42% до 58% / 36% до 48%
DH2032K76807T2719002 JWT (晶威特) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40 °C до +85 °C 3215 (метрический типоразмер) 43% до 60% / 45% до 59% / 37% до 48%
SF32WK32768D71T024 TKD (泰晶) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40 °C до +85 °C 3215 (метрический типоразмер) 34% до 55% / 41% до 54% / 36% до 46%

В таблице для каждого компонента указана частота 32,76 kHz при трёх отдельных испытательных температурах: −35 °C, 25 °C и 105 °C. Такая точность отображения не подтверждает точность на уровне ppm или характеристики во всём температурном диапазоне. Процентные значения в таблице находятся в столбцах с исходным заголовком TX_CH39_Freq_offset(KHz), хотя их формат похож на результаты измерения коэффициента заполнения. Уточните их смысл у SiFli, прежде чем использовать их как допустимые границы коэффициента заполнения. Испытание при 105 °C также не расширяет указанный рабочий диапазон от −40 °C до +85 °C. Предел ESR компонента Epson, равный 90 kΩ, превышает общее требование 80 kΩ. Это расхождение сохранено; подтвердите допустимость компонента для своего устройства.

Buck-дроссели

Требования

Индуктивность L = 4,7 µH ±20% · Сопротивление постоянному току (DCR) ≤ 0,4 Ω · Ток насыщения (Isat) ≥ 450 mA

Квалифицированные buck-дроссели
Номер квалифицированной детали Поставщик Тип Допуск SRF DCR Isat Irms Корпус
WPN201610U4R7MT Sunlord Проволочная намотка ±20% 21 MHz ≤288 mΩ 1,3 A 1,45 A 0806 (метрический типоразмер 2016)
WPN201610H4R7MT Sunlord Проволочная намотка ±20% 25 MHz ≤425 mΩ 1,2 A 1,0 A 0806 (метрический типоразмер 2016)
HTTX20161T-4R7MDR Cyntec Проволочная намотка ±20% — ≤250 mΩ 1,7 A 1,5 A 0806 (метрический типоразмер 2016)
VLS201612CX-4R7M-1 TDK Проволочная намотка ±20% 51 MHz ≤252 mΩ 0,88 A 1,32 A 0806 (метрический типоразмер 2016)
CIGW201610GL4R7MLE Samsung Проволочная намотка ±20% — ≤240 mΩ 1,4 A 1,4 A 0806 (метрический типоразмер 2016)
DFE201612E-4R7M=P2 Murata Проволочная намотка ±20% — ≤252 mΩ 1,8 A 1,2 A 0806 (метрический типоразмер 2016)
SWAI201610H4R7M 三体微 Проволочная намотка ±20% — ≤390 mΩ 1,3 A 1,05 A 0806 (метрический типоразмер 2016)
FSHJ201610-4R7M 方磁 Проволочная намотка ±20% — ≤425 mΩ 1,1 A 0,9 A 0806 (метрический типоразмер 2016)

Наличие в таблице не означает, что все восемь дросселей электрически взаимозаменяемы. Для WPN201610H4R7MT и FSHJ201610-4R7M указан максимальный DCR 425 mΩ, что превышает общее требование 0,4 Ω. В исходной таблице это расхождение не объяснено. Подтвердите допустимость у SiFli, а не считайте эти компоненты соответствующими указанному пределу. Для каждого кандидата проверяйте потери на DCR, Isat, Irms, SRF, посадочное место, высоту и нагрев по фактическому току дросселя и условиям работы преобразователя, а не по среднему току всего устройства.

NOR Flash

В V0.3 перечислены 44 модели NOR Flash ёмкостью от 4 Mb до 256 Mb, сгруппированные по ёмкости. Указанные частоты относятся к микросхемам памяти и не гарантируют такую скорость на любом устройстве SF32 или плате. Для конкретной конструкции проверьте команды чтения, ограничения контроллера, временные параметры и распознавание микросхемы драйвером. В источнике шестнадцатеричные значения названы «Manufacture ID», однако они включают и поля идентификации устройства: сравнивайте полный ожидаемый ответ, а не только байт производителя. Рассчитывайте потребление при работе и в ожидании по значениям тока с документированными условиями измерения.

4 Mb – 16 Mb

Ни один из шести компонентов этой группы ёмкости не поддерживает режим DTR, поэтому в таблице приведён только один столбец частоты SDR.

Квалифицированные компоненты NOR Flash ёмкостью от 4 Mb до 16 Mb
Номер квалифицированной детали Поставщик Ёмкость Напряжение Температурный диапазон Макс. частота SDR ID из источника Ток ожидания Ток в режиме глубокого выключения Ток активного чтения
P25Q40SU PUYA 4 Mb 1,65–3,6 V −40 °C до +85 °C 85 MHz @1,8 V / 104 MHz @3,3 V 0x856013 10 µA 0,1 µA @1,8 V / 0,6 µA @3,3 V 3,5 mA @85 MHz (1,8 V) / 5 mA @85 MHz (3,3 V) / EDH: не поддерживается
P25Q80LE PUYA 8 Mb 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 104 MHz 0x856014 9 µA 0,1 µA 1,5 mA @85 MHz / EDH: не поддерживается
GD25LE80E GD (GigaDevice) 8 Mb 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 133 MHz 0xC86014 10 µA 0,2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: не поддерживается
UC25WQ80IB UCUN 8 Mb 1,65–3,6 V −40 °C до +85 °C 104 MHz 0xB36014 1,5 µA 0,5 µA 6 mA @85 MHz / EDH: не указан
P25Q16LE PUYA 16 Mb 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 104 MHz 0x856015 18 µA 0,1 µA 3 mA @85 MHz / EDH: не поддерживается
GD25LE16E GD (GigaDevice) 16 Mb 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 133 MHz 0xC86015 10 µA 0,2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: не поддерживается

32 Mb – 64 Mb

Квалифицированные компоненты NOR Flash ёмкостью от 32 Mb до 64 Mb
Номер квалифицированной детали Поставщик Ёмкость Напряжение Температурный диапазон Макс. частота (SDR / DTR) ID из источника Ток ожидания Ток в режиме глубокого выключения Ток активного чтения
P25Q32L PUYA 32 Mb 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 120 MHz / — 0x856016 9 µA 0,2 µA 2 mA @85 MHz / EDH: не поддерживается
SK25LE032 SK 32 Mb 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / 80 MHz 0x257016 10 µA 0,1 µA 2 mA @80 MHz (SDR) / 2,6 mA @80 MHz (DTR)
GD25LE32E GD (GigaDevice) 32 Mb 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / — 0xC86016 10 µA 0,2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: не поддерживается
UC25IQ32A UCUN 32 Mb 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / 66 MHz 0xB34014 15 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: не указан
P25Q64LE PUYA 64 Mb 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 104 MHz / — 0x856017 18 µA 0,3 µA 2 mA @85 MHz / EDH: не поддерживается
P25Q64H PUYA 64 Mb 2,3–3,6 V −40 °C до +85 °C 120 MHz / — 0x856017 18 µA 0,6 µA 4 mA @85 MHz / EDH: не поддерживается
P25Q64SH PUYA 64 Mb 2,3–3,6 V −40 °C до +85 °C 120 MHz / 70 MHz 0x856017 10 µA 0,3 µA 6,8 mA @85 MHz (SDR) / 9,45 mA @70 MHz (DTR)
GD25LE64E GD (GigaDevice) 64 Mb 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / — 0xC86017 10 µA 0,2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: не поддерживается
ZB25LQ64A ZBIT 64 Mb 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / 66 MHz 0x5E7017 10 µA 1 µA 4 mA @104 MHz / EDH: не указан
BY25Q64ES BOYA 64 Mb 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 120 MHz / — 0x684017 9 µA 0,4 µA 6 mA @80 MHz / EDH: не поддерживается
UC25IQ64A UCUN 64 Mb 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / 66 MHz 0xB34017 10 µA 1 µA 15 mA @80 MHz / EDH: не указан

128 Mb

Квалифицированные компоненты NOR Flash ёмкостью 128 Mb
Номер квалифицированной детали Поставщик Напряжение Температурный диапазон Макс. частота (SDR / DTR) ID из источника Ток ожидания Ток в режиме глубокого выключения Ток активного чтения
P25Q128L PUYA 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 70 MHz / 43 MHz 0x856018 15 µA 0,5 µA 4,5 mA @85 MHz / EDH: не указан
PY25Q128HA PUYA 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 104 MHz / 66 MHz 0x852018 15 µA 1 µA 7 mA @85 MHz (SDR) / 9 mA @66 MHz (DTR)
SK25LP128 SK 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 166 MHz / 104 MHz 0x257018 8 µA 0,1 µA 2 mA @80 MHz (SDR) / 2,6 mA @80 MHz (DTR)
GD25LQ128E GD (GigaDevice) 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 120 MHz / — 0xC86018 35 µA 1 µA 13 mA @80 MHz / EDH: не поддерживается
GD25Q128E GD (GigaDevice) 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / — 0xC84018 14 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: не поддерживается
GD25F128F GD (GigaDevice) 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 166 MHz / 104 MHz 0xC84318 16 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: не указан
W25Q128JW Winbond 1,7–1,95 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / — 0xEF6018 10 µA 1 µA — / EDH: не поддерживается
W25Q128JV Winbond 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / — 0xEF4018 10 µA 1 µA 12 mA @104 MHz / EDH: не поддерживается
XT25F128F XTX 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / 104 MHz 0x0B4018 15 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: не указан
XT25Q128DW XTX 1,7–2,0 V −40 °C до +85 °C 108 MHz / 76 MHz 0x0B6018 12 µA 0,4 µA 9 mA @80 MHz / EDH: не указан
FM25W128 FM 1,65–3,6 V −40 °C до +85 °C 50 MHz @1,8 V / 100 MHz @3,3 V (только SDR, DTR не поддерживается) 0xA12818 5 µA 1 µA @3,3 V — / EDH: не поддерживается
XM25QU128C XMC 1,65–1,95 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / — 0x204118 18 µA 6 µA 6 mA @66 MHz / EDH: не поддерживается
ZB25VQ128D ZBIT 2,3–3,6 V −40 °C до +85 °C 104 MHz / — 0x5E4018 10 µA 1 µA 4 mA @104 MHz / EDH: не поддерживается
ZB25LQ128B ZBIT 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 104 MHz / — 0x5E5018 9 µA 3 µA 9 mA @104 MHz / EDH: не поддерживается
BY25Q128ES BOYA 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 108 MHz / — 0x684018 14 µA 0,2 µA 6 mA @80 MHz / EDH: не поддерживается
UC25IQ128A UCUN 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / 66 MHz 0xB34018 15 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: не указан

256 Mb

Квалифицированные компоненты NOR Flash ёмкостью 256 Mb
Номер квалифицированной детали Поставщик Напряжение Температурный диапазон Макс. частота (SDR / DTR) ID из источника Ток ожидания Ток в режиме глубокого выключения Ток активного чтения
W25Q256JW Winbond 1,7–1,95 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / — 0xEF6019 10 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: не поддерживается
W25Q256JV Winbond 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / — 0xEF7019 10 µA 1 µA 12 mA @104 MHz / EDH: не поддерживается
PY25Q256HB PUYA 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / 100 MHz 0x852019 20 µA 1 µA 7 mA @80 MHz (SDR) / 11,5 mA @80 MHz (DTR)
GD25LQ256D GD (GigaDevice) 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 120 MHz / — 0xC86019 70 µA 2 µA 10 mA @80 MHz / EDH: не поддерживается
GD25Q256E GD (GigaDevice) 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / — 0xC84019 16 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: не поддерживается
XM25QU256C XMC 1,65–1,95 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / — 0x204119 15 µA 7 µA 11 mA @66 MHz / EDH: не поддерживается
XM25QH256C XMC 2,3–3,6 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / — 0x204019 15 µA 7 µA 7 mA @66 MHz / EDH: не поддерживается
XT25F256BW XTX 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 104 MHz / 50 MHz 0x0B4019 15 µA 0,5 µA 8 mA @80 MHz / EDH: не указан
DS25M4BA Dosilicon 1,65–1,95 V −40 °C до +85 °C 108 MHz / 80 MHz 0xE54219 15 µA 5 µA 13 mA @108 MHz / EDH: не указан
BY25Q256FS BOYA 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 100 MHz / 54 MHz 0x684919 28 µA 2 µA 13 mA @80 MHz / EDH: не указан
MX25U25643G MXIC (Macronix) 1,65–2,0 V −40 °C до +85 °C 133 MHz / 54 MHz 0xC22539 15 µA 0,8 µA 7 mA @84 MHz / EDH: не указан

Токи и ограничения режимов требуют исходных условий

Это значения из AVL, а не независимые измерения этого сайта. Без явного указания не считайте значение типовым или максимальным и не предполагайте, что неуказанные напряжение, температура и частота совпадают с условиями другой строки. Проверьте даташит и измерьте свою плату. Токи чтения взяты из исходных столбцов EBH и EDH. «—» в ячейке тока означает отсутствие значения, а в столбце частоты DTR — режим, обозначенный в источнике как неподдерживаемый. В источнике второй столбец частоты называется TDR; здесь используется DTR, но режим чтения и команду необходимо проверить для точного компонента.

Пометки EDH сохраняют различие источника между отсутствующими данными и неподдерживаемой операцией; они не выведены из столбца частоты. Для P25Q128L источник противоречив: максимальная частота SDR указана как 70 MHz, а ток чтения — для 85 MHz. Оба исходных значения сохранены; перед использованием уточните допустимые условия.

Флеш-память SPI-NAND

В V0.3 перечислены 18 моделей SPI-NAND ёмкостью 512 Mb и 1 Gb. С совместимым драйвером и программным стеком они могут хранить файлы или данные; примеры — FatFS, FlashDB и LittleFS, но совместимость с выбранной микросхемой нужно проверить. Страничный доступ, ECC и управление дефектными блоками NAND отличаются от прямого XIP-доступа к NOR. Для всех моделей в таблице Golden Block указан как block0, но условия гарантии и зависящие от него процедуры прошивки не описаны. Уточните эти предпосылки по документации микросхемы и SDK.

Для GD5F1GM7RE и GD5F1GM7UE в источнике указано 2048+64 байт на страницу, но 128K+8K байт на блок. Размеры резервной области не согласуются при прямом расчёте от страницы к блоку. В таблице сохранены оба значения; перед настройкой драйвера уточните геометрию страниц, блоков и резервных областей по даташиту точной модели.

512 Mb

Квалифицированные компоненты SPI-NAND Flash ёмкостью 512 Mb
Квалифицированная деталь Поставщик Напряжение Температурный диапазон ID из источника Размер страницы / блока Макс. частота ECC Golden Block Ток ожидания Ток чтения страницы Ток программирования / стирания
F35SQA512M FORESEE 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 0xCD7070 2048+64 B / 128K+4K 133 MHz Аппаратная, 1 бит block0 10 µA 10 mA 15 mA
F35UQA512M FORESEE 1,7–1,95 V −40 °C до +85 °C 0xCD6060 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz Аппаратная, 1 бит block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35M12B Dosilicon 1,7–1,95 V −40 °C до +85 °C 0xE5A5E5 2048+128 B / 128K+8K 83 MHz Аппаратная, 8 бит block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35Q12B Dosilicon 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 0xE5F5E5 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz Аппаратная, 8 бит block0 10 µA 10 mA 15 mA

1 Gb

Таблица: квалифицированные компоненты SPI-NAND Flash ёмкостью 1 Gb
Квалифицированная деталь Поставщик Напряжение Температурный диапазон ID из источника Размер страницы / блока Макс. частота ECC Golden Block Ток ожидания Ток чтения страницы Ток программирования / стирания
W25N01GW Winbond 1,7–1,95 V −40 °C до +85 °C 0xEFBA21 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz Аппаратная, 1 бит block0 10 µA 25 mA 25 mA
W25N01GV Winbond 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 0xEFAA21 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz Аппаратная, 1 бит block0 10 µA 25 mA 25 mA
GD5F1GM7RE GD (GigaDevice) 1,7–2,0 V −40 °C до +85 °C 0xC881C8 2048+64 B / 128K+8K 104 MHz SDR / 80 MHz DTR Аппаратная, 8 бит block0 10 µA 10 mA 10 mA
GD5F1GM7UE GD (GigaDevice) 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 0xC891C8 2048+64 B / 128K+8K 133 MHz SDR / 104 MHz DTR Аппаратная, 8 бит block0 10 µA 15 mA 15 mA
F35SQA001G FORESEE 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 0xCD7171 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz Аппаратная, 1 бит block0 10 µA 10 mA 15 mA
HYF1GQ4IDACAE HeYangTek 1,7–1,98 V −40 °C до +85 °C 0xC981C9 2048+64 B / 128K+4K 80 MHz Аппаратная, 4 бита block0 10 µA 5 mA —
HYF1GQ4UDACAE HeYangTek 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 0xC921C9 2048+64 B / 128K+4K 108 MHz Аппаратная, 4 бита block0 10 µA 15 mA —
XT26Q01D XTX 1,7–1,95 V −40 °C до +85 °C 0x0B5100 2048+128 B / 128K+8K 108 MHz Аппаратная, 8 бит block0 15 µA 26 mA 28 mA / 18 mA
XT26G01C XTX 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 0x0B3100 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz Аппаратная, 8 бит block0 180 µA 25 mA 30 mA / 25 mA
DS35M1GB Dosilicon 1,7–1,95 V −40 °C до +85 °C 0xE5A1E5 2048+128 B / 128K+8K 83 MHz Аппаратная, 8 бит block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35Q1GB Dosilicon 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 0xE5F1E5 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz Аппаратная, 8 бит block0 10 µA 10 mA 15 mA
ZB35Q01A ZBIT 2,7–3,6 V −40 °C до +85 °C 0x5E415E 2048+64 B / 128K+4K 80 MHz Аппаратная, 8 бит block0 10 µA 10 mA 10 mA
FM25SL01 FM 1,75–1,95 V −40 °C до +85 °C 0xA1A5A1 2048+128 B / 128K+8K 80 MHz Аппаратная, 1 бит block0 10 µA 16 mA 16 mA
TC58CYG0S3HRAIJ KIOXIA 1,7–1,95 V −40 °C до +85 °C 0x98D240 2048+64 B / 128K+4K 133 MHz Аппаратная, 8 бит block0 30 µA 17 mA 26 mA

Перед реализацией обнаружения флеш-памяти проверьте в даташите каждой детали последовательность чтения JEDEC/ID производителя. Число байтов ID, возвращаемых после команды 0x9F, зависит от поставщика: некоторые компоненты возвращают двухбайтовый ID устройства — DID1 и DID2, другие только один байт. Поэтому при первом запуске новой детали от альтернативного поставщика может возникнуть ошибка «флеш-память не распознана».

Последовательности чтения ID из источника

В таблице приведены следующие три формата чтения ID. MID обозначает ID производителя, а DID, DID1 и DID2 — поля ID устройства. Это строки из источника, а не непосредственно исполняемые транзакции. Перед реализацией уточните команду, dummy-фазу или адресную фазу, число возвращаемых байтов и временные параметры выбора микросхемы по даташиту точного компонента. Шестнадцатеричные ID в таблицах компонентов не всегда обозначают один байт ID производителя.

Последовательности чтения ID SPI-NAND в V0.3
Компоненты Последовательность из источника
F35SQA512M, F35UQA512M, W25N01GW, W25N01GV, F35SQA001G, TC58CYG0S3HRAIJ 9F+dummy(8bit)+MID+DID1+DID2
DS35M12B, DS35Q12B, GD5F1GM7RE, GD5F1GM7UE, DS35M1GB, DS35Q1GB, FM25SL01 9F+dummy(8bit)+MID+DID
HYF1GQ4IDACAE, HYF1GQ4UDACAE, XT26Q01D, XT26G01C, ZB35Q01A 9F+00+MID+DID

Флеш-память SD-NAND

В V0.3 перечислены пять квалифицированных компонентов SD-NAND ёмкостью 1 Gb с интерфейсом SD 2.0. Их можно рассматривать для встроенного хранения данных с доступом через интерфейс SD, без физического слота для карты памяти. Перед выбором проверьте совместимость контроллера и драйвера с точной моделью памяти и конструкцией изделия.

Квалифицированные компоненты SD-NAND Flash
Квалифицированная деталь Поставщик Температурный диапазон Напряжение Интерфейс Макс. частота Ток ожидания Рабочий ток
CSNP1GCR01-BOW CS −30 °C до +85 °C 2,7–3,6 V SD 2.0 50 MHz 150 µA (typ) 15 mA @50 MHz (typ)
XTSD01GLGEAG XTX −30 °C до +85 °C 2,7–3,6 V SD 2.0 50 MHz 200 µA (max) 30 mA @50 MHz (max)
XSSD01GGAI XSS 0 °C до +70 °C 2,7–3,6 V SD 2.0 50 MHz 300 µA (max) 45 mA @50 MHz (max)
MKDV1GCL-AB MK −25 °C до +85 °C 2,7–3,6 V SD 2.0 50 MHz 50 µA (max) 28 mA @50 MHz (max)
XS26D01GACW Icthink −25 °C до +85 °C 2,7–3,6 V SD 2.0 50 MHz 250 µA (max) 100 mA @50 MHz (max)

Для XSSD01GGAI указан диапазон от 0 °C до +70 °C. У остальных четырёх моделей нижний предел составляет −25 °C или −30 °C, верхний — +85 °C. Используйте фактические пределы каждой строки, не предполагая единого температурного класса, и проверяйте необходимый запас для условий эксплуатации изделия.

Драйвер LCD

Драйверы дисплея в V0.3

В V0.3 указан один драйвер LCD. Таблица V0.3 — фиксированная версия, а не ссылка на будущие редакции. Отсутствие модели не означает отсутствия поддержки; до выбора для производства уточните её у SiFli. MIPI и QSPI относятся к драйверу дисплея, а не обязательно к каждому устройству SF32. Проверьте интерфейсы и программный драйвер выбранного чипа; см. обзор графической подсистемы и графический движок ePicasso 2D/2.5D. Для скорости SDR источник указывает ?MHz, то есть конкретного значения нет; DDR отмечен как неподдерживаемый.

Квалифицированные драйверы LCD
Квалифицированная деталь Поставщик Разрешение Тип Напряжение ввода-вывода Интерфейс GRAM Глубина цвета Макс. частота (SDR / DDR)
RM69090 Raydium 368×448 AMOLED 1,65–3,3 V MIPI, QSPI Да 16,7 млн цветов Не указана / не поддерживается

Контроллер сенсорной панели

В V0.3 нет записей о сенсорных контроллерах. Это не определяет их статус квалификации в более поздних версиях и не означает отсутствия поддержки конкретного устройства. Для планируемой к применению детали уточните квалификацию и поддержку драйвера у FAE или отдела продаж SiFli, указав точный код заказа и требования к продукту. См. контактную информацию.

Контрольный список проверки проекта

Перед фиксацией схемы или BOM проверьте каждую выбранную по AVL деталь с учётом реального проекта изделия:

  • Точный номер детали, корпус, температурный класс и суффикс заказа совпадают с утверждённой строкой либо предусмотрен явный порядок инженерного согласования.
  • Диапазон напряжения соответствует напряжению питания ввода-вывода SF32, памяти Flash, дисплея или преобразователя на плате.
  • Корпус, геометрия контактных площадок, высота и ограничения монтажа соответствуют библиотеке PCB и производственному процессу.
  • Если это применимо, прошивка правильно распознаёт компонент по JEDEC/ID производителя или с помощью эквивалентной проверки во время работы.
  • На конкретном компоненте проверена работа при загрузке, программировании, обновлении OTA, с файловой системой, дисплеем или сенсорным драйвером.
  • Ток в режиме низкого энергопотребления измерен на реальном устройстве, а не перенесён напрямую из AVL или даташита компонента.
  • Смещение частоты кварцевого резонатора, настройка CBANK_SEL и RF-калибровка проверены на окончательной PCB, с антенной и в корпусе изделия.
  • Время стирания, программирования и чтения флеш-памяти проверено в ожидаемом для изделия диапазоне напряжения и температуры.
  • Для каждой позиции BOM с повышенным риском — например, кварца, дросселя, Flash или панели дисплея — найден как минимум один альтернативный поставщик.

Этот список намеренно строже критерия «деталь есть в AVL». AVL сужает круг поиска, но выпуск изделия по-прежнему требует подтверждения на уровне платы.

Контрольный список снабжения

  • Сверьте номер детали и суффикс ревизии с актуальной загружаемой версией AVL: табличные снимки, включая эту страницу, устаревают по мере квалификации новых партий.
  • Для Flash-компонентов проверьте, что ожидаемый кодом первичного запуска ID производителя/JEDEC соответствует заказанной детали, а не просто её семейству: компоненты с общим коммерческим названием могут возвращать разные байты ID.
  • Для NAND, SD-NAND и любых компонентов, на которых размещается файловая система, проверьте на реальном устройстве поддержку загрузки и инструмента программирования, сценарий OTA-обновления и работу FatFS/FlashDB/LittleFS. Успешное чтение при первичной проверке само по себе не подтверждает готовность компонента к OTA.
  • Проверьте CBANK_SEL и указанный сдвиг частоты TX Ch39 на своей плате. В таблице не указаны эталонная разводка и полная схема измерений; перед сравнением результатов уточните режим и условия испытания.
  • Измерьте на своей плате ток в ожидании, в deep-power-down и при чтении. AVL не полностью документирует происхождение и условия каждого значения; проверьте даташит и условия измерения.
  • Убедитесь, что корпус и посадочное место соответствуют библиотеке PCB и возможностям монтажа, а не только электрическим требованиям.
  • Если детали нет в перечне, до включения в BOM проверьте её по требованиям для соответствующего класса компонентов и рассмотрите возможность передать результаты квалификации SiFli.
  • Найдите альтернативного поставщика для каждой позиции, доступной только у одного поставщика. В V0.3 указан один драйвер LCD и нет сенсорных контроллеров; актуальную доступность и поддержку уточняйте отдельно, не считая этот документ последней версией.
  • Пересматривайте перечень перед каждым крупным утверждением BOM: это датированный срез данных, а не постоянно обновляемая база.

Последнее обновление: