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SF32 승인 업체 목록

이 목록의 용도

**승인 업체 목록(AVL)**은 SF32 설계에 대해 SiFli가 인증한 부품을 기록합니다. V0.3에는 패시브 크리스털, BUCK 인덕터, NOR/NAND 플래시, SD-NAND, LCD 드라이버가 등재되어 있지만, 터치 컨트롤러 시트에는 항목이 없습니다. 이 목록으로 후보 부품과 세컨드 소스를 좁힌 뒤, 실제 사용할 부품을 펌웨어, 인클로저, 생산 공정, 공급망을 포함한 제품 환경에서 검증하십시오. AVL 등재만으로 제품 수준의 검증이 면제되지는 않습니다.

이 페이지는 SiFli 공식 AVL 스프레드시트인 **SIFLI-MCU-AVL-认证表, V0.3 (2026-01-21)**을 바탕으로 직접 작성했습니다. 추가 부품이 인증되면서 AVL은 바뀔 수 있으며, 이 페이지는 라이브 데이터베이스가 아니라 날짜가 명시된 V0.3 릴리스를 반영합니다. 이번 검토는 V0.3의 내용만 확인한 것이며, 등재된 부품이 이후 AVL 리비전에서도 계속 승인 상태인지는 확인하지 않았습니다. BOM을 확정하기 전에 최신 원본 파일을 확인하십시오.

이 목록 사용 방법

원본은 크리스털과 BUCK 인덕터의 일반 요구 사항을 제공하고, 나머지 표에는 주로 개별 부품 데이터가 기록되어 있습니다. 명시된 요구 사항으로 추가 후보를 걸러내되, 등재된 모든 부품이 모든 일반 한계를 만족한다고 가정하지 마십시오. 원본의 불일치 사항은 아래에 표시했습니다. 플래시 다운로드 도구 지원처럼 원본의 모든 행에서 비어 있는 열은 검증된 지원으로 오해되지 않도록 생략했습니다. 상세 표에서 대시(—)는 일반적으로 V0.3이 해당 필드의 값을 제공하지 않는다는 뜻입니다. 다만 NOR 플래시의 DTR 클럭 열에서는 원본에 명시된 "미지원"을 나타냅니다. 자세한 내용은 아래 NOR 플래시 참고를 확인하십시오.

BOM 결정은 부품 번호 하나를 골라 넘어가지 말고 다음 세 단계로 진행하십시오.

  1. 요구 사항을 기준으로 후보를 선정합니다. 용량, 전압 레일, 패키지와 부품 분류별 요구 사항(크리스털은 부하 커패시턴스, 인덕터는 DCR/Isat, 플래시는 SDR/DTR 클럭)을 회로도와 전력 예산에 맞춥니다.
  2. 데이터시트의 대표 사양만으로는 알기 어려운 제약을 확인합니다. 제품의 동작 및 보관 환경에 맞는 온도 범위, 펌웨어가 기대하는 정확한 제조사/JEDEC ID, OTA·파일 시스템·플래싱 도구 지원이 같은 계열의 다른 부품이 아니라 해당 부품 자체에서 검증되었는지 확인합니다.
  3. 양산에 들어가기 전에 실제 하드웨어에서 검증합니다. 자체 보드에서 Standby/동작 전류를 측정하고, 최종 PCB와 인클로저에서 크리스털 RF 캘리브레이션을 다시 확인하며, 단일 업체 품목마다 세컨드 소스를 하나 이상 확보합니다.

지원 범위 한눈에 보기

표: 한눈에 보는 지원 범위
구분 인증 부품 수 주요 선정 기준
48 MHz 크리스털 10 부하 커패시턴스, 주파수 허용 오차, ESR, 시작 시간, CBANK 캘리브레이션, Bluetooth 주파수 오프셋
32.768 kHz 크리스털 5 부하 커패시턴스, 주파수 허용 오차, ESR, 패키지, 동작 온도
BUCK 인덕터 8 4.7 µH, DCR, 포화 전류(Isat), 정격 전류(Irms), SRF, 2016 패키지 호환성
NOR 플래시 44 용량, 전압 레일, SDR/DTR 클럭, 보고된 ID, Standby/Deep Power-Down 전류
SPI-NAND 플래시 18 용량, ECC 모드, 페이지/블록 구조, Golden Block, Standby/읽기/프로그램 전류
SD-NAND 플래시 5 SD 2.0 호환성, 50 MHz 동작, Standby 전류, 동작 온도 범위
LCD 드라이버 1 등재된 부품은 하나뿐입니다. 릴리스 전에 패널 타이밍, 드라이버 지원, 인터페이스 모드를 확인하십시오
터치 패널 컨트롤러 0 V0.3에는 항목이 없습니다. 인증 여부와 드라이버 지원은 별도로 확인하십시오

이 요약으로 V0.3이 다루는 부품 분류를 확인할 수 있습니다. 이 스냅샷에는 LCD 드라이버가 하나뿐이고 터치 컨트롤러가 없으므로 디스플레이와 터치 선택에는 특히 주의가 필요합니다. 선택한 부품은 SiFli에 확인하고 제품에서 검증하십시오. 이후 AVL에 등재되더라도 이 요구 사항은 사라지지 않습니다.

개정 이력

표: 개정 이력
버전 날짜 작성자 변경 사항
V0.1 2023-12-29 yzli 최초 릴리스.
V0.2 2025-07-16 yzli Huilun 및 JWT (晶威特) 48 MHz 크리스털 추가.
V0.3 2026-01-21 yzli UCUN NOR 플래시 추가: UC25WQ80IB, UC25IQ32A, UC25IQ64A, UC25IQ128A.

크리스털

AVL은 48 MHz 시스템 크리스털과 32.768 kHz RTC 크리스털을 다룹니다. 클럭 소스 요구 사항은 해당 SF32 디바이스의 설계 가이드를 따르고, 그다음 부하 커패시턴스, 주파수 허용 오차, ESR, 시작 동작, 전력 예산을 기준으로 선택하십시오. 아래의 인증 표는 모든 SF32 제품에 공통으로 필수인 단일 클럭 구성을 정하지 않습니다.

48 MHz 시스템 크리스털

요구 사항

부하 커패시턴스 CL ≤ 12 pF (7 pF 권장) · 주파수 편차 ΔF/F0 ≤ ±10 ppm · ESR ≤ 30 Ω (22 Ω 권장)

48 MHz 시스템 크리스털 인증 부품
인증 P/N 업체 CL ΔF/F0 ESR 동작 온도 패키지 시작 시간 추가 전류 최적 CBANK_SEL TX Ch39 주파수 오프셋 (−35 °C / 25 °C / 105 °C)
E1SB48E001G00E Hosonic (鸿星) 8.8 pF −10~+9 ppm ≤22 Ω −30~+85 °C 2016 메트릭 <700 µs 0 µA 0x1C9 −32~−1 kHz / ±20 kHz / +33~+73 kHz
SX20Y048000B31T-8.8 TKD (泰晶) 8.8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −20~+75 °C 2016 메트릭 <800 µs <30 µA 0x1DC −52~−15 kHz / ±22 kHz / +50~+100 kHz
SX20Y048000B31T001 TKD (泰晶) 8.8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −40~+85 °C 2016 메트릭 <800 µs <30 µA 0x1F7 −53~+13 kHz / ±30 kHz / +44~+90 kHz
CN4048M00085C822000 JWT (晶威特) 8 pF ±8 ppm ≤22 Ω −30~+85 °C 2016 메트릭 <700 µs 0 µA 0x195 −40~+1 kHz / −25~+14 kHz / +12~+45 kHz
HS48000013 汇隆电子 8.8 pF ±10 ppm ≤22 Ω −30~+85 °C 2016 메트릭 <700 µs <12 µA 0x1F3 −27~+8 kHz / −25~+10 kHz / −1.2~+32 kHz
SX20Y048000B81T003 TKD (泰晶) 8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −30~+85 °C 2016 메트릭 <700 µs <10 µA 0x1F4 −41~+7 kHz / −30~+20 kHz / +5~+57 kHz
L214S480D11-S Lucki (蓝晶) 8 pF ±10 ppm ≤30 Ω −30~+85 °C 2016 메트릭 <750 µs <50 µA 0x196 −38~0 kHz / −28~0 kHz / −4~+45 kHz
8Y48090002 TXC (晶技) 8.8 pF −6~+8 ppm ≤22 Ω −30~+85 °C 2016 메트릭 <700 µs <30 µA 0x1D0 −34~−9.6 kHz / — / +27.9~+46.1 kHz
9S48000051 惠伦晶体 8.8 pF −6~+8 ppm ≤20 Ω −30~+85 °C 2016 메트릭 <700 µs <15 µA — —
CN4048M000885C822000 JWT (晶威特) 8.8 pF ±8 ppm ≤22 Ω −30~+85 °C 2016 메트릭 <700 µs <10 µA 0x1D0 −34~−9.6 kHz / −25~+10 kHz / +27.9~+46.1 kHz

RF 캘리브레이션 열의 의미

CBANK_SEL은 SiFli의 인증 데이터에 보고된 트림 설정입니다. TX Ch39 주파수 오프셋은 원본의 테스트 레이블과 세 온도 지점의 결과를 그대로 유지합니다. 워크북은 Bluetooth 모드나 테스트 주파수를 명시하지 않으므로, 이것이 BLE 광고 채널 39나 특정 중간 대역 채널을 뜻한다고 가정하지 마십시오. 결과를 비교하거나 트림 설정을 보드에 적용하기 전에 테스트 구성과 캘리브레이션 절차를 확인하십시오. 일반 요구 사항은 ESR ≤30 Ω이지만 TKD 행 세 개는 ESR ≤40 Ω으로 등재되어 있습니다. 이 원본 불일치도 확인이 필요합니다.

크리스털 표의 추가 전류 수치에는 기준 조건과 전체 테스트 구성에 대한 문서가 없습니다. 이 값은 크리스털 단독의 공급 전류가 아니므로, 후보를 비교하거나 시스템 전력 예산에 값을 사용하기 전에 측정 정의를 확인하십시오.

32.768 kHz RTC 크리스털

요구 사항

부하 커패시턴스 CL ≤ 12.5 pF (7 pF 권장) · 주파수 편차 ΔF/F0 ≤ ±20 ppm · ESR ≤ 80 kΩ (38 kΩ 권장)

32.768 kHz RTC 크리스털 인증 부품
인증 P/N 업체 CL ΔF/F0 ESR 동작 온도 패키지 출처 백분율, 의미 미확인 (−35 °C / 25 °C / 105 °C)
ETST00327000LE Hosonic (鸿星) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40~+85 °C 3215 메트릭 32%~55% / 43%~54% / 38%~45%
SF32K32768D71T01 TKD (泰晶) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40~+85 °C 3215 메트릭 33%~54% / 42%~56% / 35%~44%
X1A0001210008xx Epson (爱普生) 7 pF ±20 ppm ≤90 kΩ −40~+85 °C 1610 메트릭 35%~61% / 42%~58% / 36%~48%
DH2032K76807T2719002 JWT (晶威特) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40~+85 °C 3215 메트릭 43%~60% / 45%~59% / 37%~48%
SF32WK32768D71T024 TKD (泰晶) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40~+85 °C 3215 메트릭 34%~55% / 41%~54% / 36%~46%

워크북은 모든 부품에 대해 세 개의 개별 테스트 온도(−35 °C, 25 °C, 105 °C)에서 32.76 kHz를 보고합니다. 이 표시 정밀도는 ppm 수준의 정확도나 연속적인 온도 범위에서의 성능을 보증하지 않습니다. 위의 백분율 값은 원본 헤더가 TX_CH39_Freq_offset(KHz)인 열에 나타나지만, 형식으로 보면 듀티 사이클 측정값으로 보입니다. 듀티 사이클 한계로 사용하기 전에 SiFli에 그 의미를 확인하십시오. 또한 105 °C 테스트 지점이 등재된 −40~+85 °C 동작 범위를 넓혀 주지는 않습니다. Epson 부품에 등재된 ESR 한계 90 kΩ은 일반 요구 사항 80 kΩ을 초과합니다. 이 원본 불일치를 그대로 유지했으니, 설계에서 허용 가능한지 확인하십시오.

Buck 인덕터

요구 사항

인덕턴스 L = 4.7 µH ±20% · 직류 저항(DCR) ≤ 0.4 Ω · 포화 전류(Isat) ≥ 450 mA

Buck 인덕터 인증 부품
인증 P/N 업체 유형 허용 오차 SRF DCR Isat Irms 패키지
WPN201610U4R7MT Sunlord 권선형 ±20% 21 MHz ≤288 mΩ 1.3 A 1.45 A 0806 (2016 메트릭)
WPN201610H4R7MT Sunlord 권선형 ±20% 25 MHz ≤425 mΩ 1.2 A 1.0 A 0806 (2016 메트릭)
HTTX20161T-4R7MDR Cyntec 권선형 ±20% — ≤250 mΩ 1.7 A 1.5 A 0806 (2016 메트릭)
VLS201612CX-4R7M-1 TDK 권선형 ±20% 51 MHz ≤252 mΩ 0.88 A 1.32 A 0806 (2016 메트릭)
CIGW201610GL4R7MLE Samsung 권선형 ±20% — ≤240 mΩ 1.4 A 1.4 A 0806 (2016 메트릭)
DFE201612E-4R7M=P2 Murata 권선형 ±20% — ≤252 mΩ 1.8 A 1.2 A 0806 (2016 메트릭)
SWAI201610H4R7M 三体微 권선형 ±20% — ≤390 mΩ 1.3 A 1.05 A 0806 (2016 메트릭)
FSHJ201610-4R7M 方磁 권선형 ±20% — ≤425 mΩ 1.1 A 0.9 A 0806 (2016 메트릭)

이 표에 포함되었다고 해서 인덕터 8종이 전기적으로 서로 호환되는 것은 아닙니다. WPN201610H4R7MT와 FSHJ201610-4R7M은 각각 최대 DCR이 425 mΩ으로 등재되어 있어 일반 요구 사항인 0.4 Ω을 초과합니다. 워크북은 이 불일치를 설명하지 않으므로, 두 부품 중 어느 것도 해당 한계를 만족하는 것으로 취급하지 말고 SiFli에 허용 여부를 확인하십시오. 모든 후보에 대해 DCR 손실, Isat, Irms, SRF, 풋프린트, 높이, 온도 상승을 제품 전체의 평균 전류가 아니라 컨버터의 실제 인덕터 전류와 동작 조건에 비추어 확인하십시오.

NOR 플래시

V0.3에는 4 Mb에서 256 Mb까지 NOR 플래시 부품 44개가 용량별로 묶여 등재되어 있습니다. 클럭 값은 등재된 메모리 디바이스의 사양이며, 모든 SF32 디바이스나 보드에서의 동작 속도를 보증하지 않습니다. 정확한 설계에 맞게 읽기 명령 지원, 컨트롤러 한계, 타이밍, 드라이버 식별을 확인하십시오. 원본은 16진수 식별 값을 “Manufacture ID”로 표기하지만 여기에는 디바이스 식별 필드가 포함되어 있으므로, 제조사 바이트만 비교하지 말고 기대하는 전체 응답을 비교하십시오. 동작 및 Standby 전력을 계산할 때는 문서화된 동작 조건에서의 전류 값을 사용하십시오.

4 Mb~16 Mb

이 용량 구간의 부품 6개는 모두 DTR 모드를 지원하지 않으므로 SDR 클럭 열만 하나 표시합니다.

4 Mb~16 Mb NOR 플래시 인증 부품
인증 P/N 업체 용량 전압 온도 범위 최대 SDR 클럭 보고된 ID Standby Deep Power-Down 동작 읽기 전류
P25Q40SU PUYA 4 Mb 1.65~3.6 V −40~+85 °C 85 MHz @1.8 V / 104 MHz @3.3 V 0x856013 10 µA 0.1 µA @1.8 V / 0.6 µA @3.3 V 3.5 mA @85 MHz (1.8 V) / 5 mA @85 MHz (3.3 V) / EDH: 미지원
P25Q80LE PUYA 8 Mb 1.65~2.0 V −40~+85 °C 104 MHz 0x856014 9 µA 0.1 µA 1.5 mA @85 MHz / EDH: 미지원
GD25LE80E GD (GigaDevice) 8 Mb 1.65~2.0 V −40~+85 °C 133 MHz 0xC86014 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: 미지원
UC25WQ80IB UCUN 8 Mb 1.65~3.6 V −40~+85 °C 104 MHz 0xB36014 1.5 µA 0.5 µA 6 mA @85 MHz / EDH: 미제공
P25Q16LE PUYA 16 Mb 1.65~2.0 V −40~+85 °C 104 MHz 0x856015 18 µA 0.1 µA 3 mA @85 MHz / EDH: 미지원
GD25LE16E GD (GigaDevice) 16 Mb 1.65~2.0 V −40~+85 °C 133 MHz 0xC86015 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: 미지원

32 Mb~64 Mb

32 Mb~64 Mb NOR 플래시 인증 부품
인증 P/N 업체 용량 전압 온도 범위 최대 클럭 (SDR / DTR) 보고된 ID Standby Deep Power-Down 동작 읽기 전류
P25Q32L PUYA 32 Mb 1.65~2.0 V −40~+85 °C 120 MHz / — 0x856016 9 µA 0.2 µA 2 mA @85 MHz / EDH: 미지원
SK25LE032 SK 32 Mb 1.65~2.0 V −40~+85 °C 133 MHz / 80 MHz 0x257016 10 µA 0.1 µA 2 mA @80 MHz (SDR) / 2.6 mA @80 MHz (DTR)
GD25LE32E GD (GigaDevice) 32 Mb 1.65~2.0 V −40~+85 °C 133 MHz / — 0xC86016 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: 미지원
UC25IQ32A UCUN 32 Mb 2.7~3.6 V −40~+85 °C 133 MHz / 66 MHz 0xB34014 15 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 미제공
P25Q64LE PUYA 64 Mb 1.65~2.0 V −40~+85 °C 104 MHz / — 0x856017 18 µA 0.3 µA 2 mA @85 MHz / EDH: 미지원
P25Q64H PUYA 64 Mb 2.3~3.6 V −40~+85 °C 120 MHz / — 0x856017 18 µA 0.6 µA 4 mA @85 MHz / EDH: 미지원
P25Q64SH PUYA 64 Mb 2.3~3.6 V −40~+85 °C 120 MHz / 70 MHz 0x856017 10 µA 0.3 µA 6.8 mA @85 MHz (SDR) / 9.45 mA @70 MHz (DTR)
GD25LE64E GD (GigaDevice) 64 Mb 1.65~2.0 V −40~+85 °C 133 MHz / — 0xC86017 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: 미지원
ZB25LQ64A ZBIT 64 Mb 1.65~2.0 V −40~+85 °C 133 MHz / 66 MHz 0x5E7017 10 µA 1 µA 4 mA @104 MHz / EDH: 미제공
BY25Q64ES BOYA 64 Mb 2.7~3.6 V −40~+85 °C 120 MHz / — 0x684017 9 µA 0.4 µA 6 mA @80 MHz / EDH: 미지원
UC25IQ64A UCUN 64 Mb 2.7~3.6 V −40~+85 °C 133 MHz / 66 MHz 0xB34017 10 µA 1 µA 15 mA @80 MHz / EDH: 미제공

128 Mb

128 Mb NOR 플래시 인증 부품
인증 P/N 업체 전압 온도 범위 최대 클럭 (SDR / DTR) 보고된 ID Standby Deep Power-Down 동작 읽기 전류
P25Q128L PUYA 1.65~2.0 V −40~+85 °C 70 MHz / 43 MHz 0x856018 15 µA 0.5 µA 4.5 mA @85 MHz / EDH: 미제공
PY25Q128HA PUYA 2.7~3.6 V −40~+85 °C 104 MHz / 66 MHz 0x852018 15 µA 1 µA 7 mA @85 MHz (SDR) / 9 mA @66 MHz (DTR)
SK25LP128 SK 1.65~2.0 V −40~+85 °C 166 MHz / 104 MHz 0x257018 8 µA 0.1 µA 2 mA @80 MHz (SDR) / 2.6 mA @80 MHz (DTR)
GD25LQ128E GD (GigaDevice) 1.65~2.0 V −40~+85 °C 120 MHz / — 0xC86018 35 µA 1 µA 13 mA @80 MHz / EDH: 미지원
GD25Q128E GD (GigaDevice) 2.7~3.6 V −40~+85 °C 133 MHz / — 0xC84018 14 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 미지원
GD25F128F GD (GigaDevice) 2.7~3.6 V −40~+85 °C 166 MHz / 104 MHz 0xC84318 16 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: 미제공
W25Q128JW Winbond 1.7~1.95 V −40~+85 °C 133 MHz / — 0xEF6018 10 µA 1 µA — / EDH: 미지원
W25Q128JV Winbond 2.7~3.6 V −40~+85 °C 133 MHz / — 0xEF4018 10 µA 1 µA 12 mA @104 MHz / EDH: 미지원
XT25F128F XTX 2.7~3.6 V −40~+85 °C 133 MHz / 104 MHz 0x0B4018 15 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 미제공
XT25Q128DW XTX 1.7~2.0 V −40~+85 °C 108 MHz / 76 MHz 0x0B6018 12 µA 0.4 µA 9 mA @80 MHz / EDH: 미제공
FM25W128 FM 1.65~3.6 V −40~+85 °C 50 MHz @1.8 V / 100 MHz @3.3 V (SDR only, DTR not supported) 0xA12818 5 µA 1 µA @3.3 V — / EDH: 미지원
XM25QU128C XMC 1.65~1.95 V −40~+85 °C 133 MHz / — 0x204118 18 µA 6 µA 6 mA @66 MHz / EDH: 미지원
ZB25VQ128D ZBIT 2.3~3.6 V −40~+85 °C 104 MHz / — 0x5E4018 10 µA 1 µA 4 mA @104 MHz / EDH: 미지원
ZB25LQ128B ZBIT 1.65~2.0 V −40~+85 °C 104 MHz / — 0x5E5018 9 µA 3 µA 9 mA @104 MHz / EDH: 미지원
BY25Q128ES BOYA 2.7~3.6 V −40~+85 °C 108 MHz / — 0x684018 14 µA 0.2 µA 6 mA @80 MHz / EDH: 미지원
UC25IQ128A UCUN 2.7~3.6 V −40~+85 °C 133 MHz / 66 MHz 0xB34018 15 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: 미제공

256 Mb

256 Mb NOR 플래시 인증 부품
인증 P/N 업체 전압 온도 범위 최대 클럭 (SDR / DTR) 보고된 ID Standby Deep Power-Down 동작 읽기 전류
W25Q256JW Winbond 1.7~1.95 V −40~+85 °C 133 MHz / — 0xEF6019 10 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 미지원
W25Q256JV Winbond 2.7~3.6 V −40~+85 °C 133 MHz / — 0xEF7019 10 µA 1 µA 12 mA @104 MHz / EDH: 미지원
PY25Q256HB PUYA 2.7~3.6 V −40~+85 °C 133 MHz / 100 MHz 0x852019 20 µA 1 µA 7 mA @80 MHz (SDR) / 11.5 mA @80 MHz (DTR)
GD25LQ256D GD (GigaDevice) 1.65~2.0 V −40~+85 °C 120 MHz / — 0xC86019 70 µA 2 µA 10 mA @80 MHz / EDH: 미지원
GD25Q256E GD (GigaDevice) 2.7~3.6 V −40~+85 °C 133 MHz / — 0xC84019 16 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: 미지원
XM25QU256C XMC 1.65~1.95 V −40~+85 °C 133 MHz / — 0x204119 15 µA 7 µA 11 mA @66 MHz / EDH: 미지원
XM25QH256C XMC 2.3~3.6 V −40~+85 °C 133 MHz / — 0x204019 15 µA 7 µA 7 mA @66 MHz / EDH: 미지원
XT25F256BW XTX 2.7~3.6 V −40~+85 °C 104 MHz / 50 MHz 0x0B4019 15 µA 0.5 µA 8 mA @80 MHz / EDH: 미제공
DS25M4BA Dosilicon 1.65~1.95 V −40~+85 °C 108 MHz / 80 MHz 0xE54219 15 µA 5 µA 13 mA @108 MHz / EDH: 미제공
BY25Q256FS BOYA 2.7~3.6 V −40~+85 °C 100 MHz / 54 MHz 0x684919 28 µA 2 µA 13 mA @80 MHz / EDH: 미제공
MX25U25643G MXIC (Macronix) 1.65~2.0 V −40~+85 °C 133 MHz / 54 MHz 0xC22539 15 µA 0.8 µA 7 mA @84 MHz / EDH: 미제공

전류 및 모드 한계는 원래의 조건과 함께 봐야 합니다

이 값은 AVL에 보고된 값이며, 이 사이트에서 독립적으로 측정한 값은 아닙니다. 별도 표기가 없으면 전형값(typ.)인지 최대값(max.)인지 단정하지 마십시오. 명시되지 않은 전압·온도·클럭 조건이 다른 행과 같다고 가정해서도 안 됩니다. 부품 데이터시트를 확인하고 자체 보드에서 측정하십시오. 읽기 전류 값은 원본의 EBH 및 EDH 열에서 가져왔습니다. 전류 셀의 "—"는 값이 제공되지 않았다는 뜻이고, DTR 클럭의 "—"는 원본에 미지원 모드로 표기되어 있다는 뜻입니다. 원본은 두 번째 클럭 열을 TDR이라고 부르지만, 이 페이지에서는 DTR을 사용합니다. 정확한 읽기 모드와 명령은 디바이스별로 확인해야 합니다.

EDH 레이블은 데이터 누락과 미지원 동작을 구분하는 원본의 표기를 그대로 유지하며, 클럭 열에서 추론한 것이 아닙니다. P25Q128L에는 원본의 불일치가 있습니다. 최대 SDR 클럭은 70 MHz로 등재되어 있지만 읽기 전류는 85 MHz에서 지정되어 있습니다. 두 값을 모두 유지했으니, 사용하기 전에 유효한 조건을 확인하십시오.

SPI-NAND 플래시

V0.3에는 512 Mb와 1 Gb의 SPI-NAND 부품 18개가 등재되어 있습니다. 호환되는 드라이버와 소프트웨어 스택이 있으면 파일 또는 데이터 스토리지로 사용할 수 있으며, FatFS, FlashDB, LittleFS가 그 예이지만 호환성은 선택한 부품에서 검증해야 합니다. NAND의 페이지 접근, ECC, 불량 블록 관리는 NOR의 직접 XIP 접근과 다릅니다. 워크북은 등재된 모든 부품의 Golden Block을 block0으로 기록하지만, 보증 조건이나 이를 사용하는 펌웨어 루틴은 명시하지 않습니다. 이러한 가정은 디바이스 및 SDK 문서와 대조해 확인하십시오.

GD5F1GM7RE와 GD5F1GM7UE의 경우 원본은 페이지당 2048+64 바이트이면서 블록당 128K+8K 바이트로 등재합니다. 스페어 영역 수치는 페이지에서 블록으로 단순 계산한 값과 일치하지 않습니다. 두 값을 아래에 그대로 보존했으니, 드라이버를 구성하기 전에 정확한 디바이스 데이터시트로 페이지, 블록, 스페어 영역 구조를 확인하십시오.

512 Mb

512 Mb SPI-NAND 플래시 인증 부품
인증 P/N 업체 전압 온도 범위 보고된 ID 페이지 / 블록 크기 최대 속도 ECC Golden Block Standby 페이지 읽기 프로그램/소거
F35SQA512M FORESEE 2.7~3.6 V −40~+85 °C 0xCD7070 2048+64 B / 128K+4K 133 MHz HW 1-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
F35UQA512M FORESEE 1.7~1.95 V −40~+85 °C 0xCD6060 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW 1-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35M12B Dosilicon 1.7~1.95 V −40~+85 °C 0xE5A5E5 2048+128 B / 128K+8K 83 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35Q12B Dosilicon 2.7~3.6 V −40~+85 °C 0xE5F5E5 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA

1 Gb

표: 1 Gb SPI-NAND 플래시 인증 부품
인증 P/N 업체 전압 온도 범위 보고된 ID 페이지 / 블록 크기 최대 속도 ECC Golden Block Standby 페이지 읽기 프로그램/소거
W25N01GW Winbond 1.7~1.95 V −40~+85 °C 0xEFBA21 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW 1-bit block0 10 µA 25 mA 25 mA
W25N01GV Winbond 2.7~3.6 V −40~+85 °C 0xEFAA21 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW 1-bit block0 10 µA 25 mA 25 mA
GD5F1GM7RE GD (GigaDevice) 1.7~2.0 V −40~+85 °C 0xC881C8 2048+64 B / 128K+8K 104 MHz SDR / 80 MHz DTR HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 10 mA
GD5F1GM7UE GD (GigaDevice) 2.7~3.6 V −40~+85 °C 0xC891C8 2048+64 B / 128K+8K 133 MHz SDR / 104 MHz DTR HW 8-bit block0 10 µA 15 mA 15 mA
F35SQA001G FORESEE 2.7~3.6 V −40~+85 °C 0xCD7171 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW 1-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
HYF1GQ4IDACAE HeYangTek 1.7~1.98 V −40~+85 °C 0xC981C9 2048+64 B / 128K+4K 80 MHz HW 4-bit block0 10 µA 5 mA —
HYF1GQ4UDACAE HeYangTek 2.7~3.6 V −40~+85 °C 0xC921C9 2048+64 B / 128K+4K 108 MHz HW 4-bit block0 10 µA 15 mA —
XT26Q01D XTX 1.7~1.95 V −40~+85 °C 0x0B5100 2048+128 B / 128K+8K 108 MHz HW 8-bit block0 15 µA 26 mA 28 mA / 18 mA
XT26G01C XTX 2.7~3.6 V −40~+85 °C 0x0B3100 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz HW 8-bit block0 180 µA 25 mA 30 mA / 25 mA
DS35M1GB Dosilicon 1.7~1.95 V −40~+85 °C 0xE5A1E5 2048+128 B / 128K+8K 83 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35Q1GB Dosilicon 2.7~3.6 V −40~+85 °C 0xE5F1E5 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
ZB35Q01A ZBIT 2.7~3.6 V −40~+85 °C 0x5E415E 2048+64 B / 128K+4K 80 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 10 mA
FM25SL01 FM 1.75~1.95 V −40~+85 °C 0xA1A5A1 2048+128 B / 128K+8K 80 MHz HW 1-bit block0 10 µA 16 mA 16 mA
TC58CYG0S3HRAIJ KIOXIA 1.7~1.95 V −40~+85 °C 0x98D240 2048+64 B / 128K+4K 133 MHz HW 8-bit block0 30 µA 17 mA 26 mA

플래시 감지를 구현하기 전에 각 부품 데이터시트에서 JEDEC/제조사 ID 시퀀스를 확인하십시오. 옵코드 0x9F 이후 반환되는 ID 바이트 수는 업체마다 다릅니다. 일부는 2바이트 디바이스 ID를 DID1+DID2로 반환하고, 일부는 ID 바이트 하나를 반환합니다. 이러한 차이 때문에 새로운 세컨드 소스 부품을 브링업할 때 "인식되지 않는 플래시" 오류가 발생할 수 있습니다.

출처 ID 읽기 시퀀스

워크북에는 다음 세 가지 ID 읽기 형식이 기록되어 있습니다. MID는 제조사 ID를, DID, DID1, DID2는 디바이스 ID 필드를 뜻합니다. 이 문자열은 원본 표기를 옮긴 것이며 실행 가능한 트랜잭션은 아닙니다. 구현 전에 정확한 디바이스 데이터시트에서 명령 코드, 더미/주소 단계, 반환 바이트 수, 칩 선택 신호 타이밍을 확인하십시오. 부품 표의 16진수 ID가 모두 제조사 ID 바이트 하나를 나타내는 것은 아닙니다.

V0.3에 보고된 SPI-NAND ID 읽기 시퀀스
부품 출처 시퀀스
F35SQA512M, F35UQA512M, W25N01GW, W25N01GV, F35SQA001G, TC58CYG0S3HRAIJ 9F+dummy(8bit)+MID+DID1+DID2
DS35M12B, DS35Q12B, GD5F1GM7RE, GD5F1GM7UE, DS35M1GB, DS35Q1GB, FM25SL01 9F+dummy(8bit)+MID+DID
HYF1GQ4IDACAE, HYF1GQ4UDACAE, XT26Q01D, XT26G01C, ZB35Q01A 9F+00+MID+DID

SD-NAND 플래시

V0.3에는 SD 2.0 인터페이스를 갖춘 1 Gb SD-NAND 인증 부품 5개가 등재되어 있습니다. 물리적인 카드 슬롯 없이 SD 인터페이스로 접근하는 고정 스토리지의 후보입니다. 선택하기 전에 정확한 부품과 제품에 대한 컨트롤러 및 드라이버 호환성을 확인하십시오.

SD-NAND 플래시 인증 부품
인증 P/N 업체 온도 범위 전압 인터페이스 최대 클럭 Standby 동작 전류
CSNP1GCR01-BOW CS −30~+85 °C 2.7~3.6 V SD 2.0 50 MHz 150 µA (typ) 15 mA @50 MHz (typ)
XTSD01GLGEAG XTX −30~+85 °C 2.7~3.6 V SD 2.0 50 MHz 200 µA (max) 30 mA @50 MHz (max)
XSSD01GGAI XSS 0~+70 °C 2.7~3.6 V SD 2.0 50 MHz 300 µA (max) 45 mA @50 MHz (max)
MKDV1GCL-AB MK −25~+85 °C 2.7~3.6 V SD 2.0 50 MHz 50 µA (max) 28 mA @50 MHz (max)
XS26D01GACW Icthink −25~+85 °C 2.7~3.6 V SD 2.0 50 MHz 250 µA (max) 100 mA @50 MHz (max)

XSSD01GGAI는 0~+70 °C로 등재되어 있습니다. 나머지 부품 4개는 하한이 −25 °C 또는 −30 °C이고 상한이 +85 °C입니다. 공통 온도 등급이 있다고 가정하지 말고 각 행의 실제 한계를 사용하십시오. 제품 환경에 필요한 여유를 확인하십시오.

LCD 드라이버

V0.3 디스플레이 드라이버 지원 범위

V0.3에는 LCD 드라이버 하나가 등재되어 있습니다. V0.3 워크북은 고정된 스냅샷이며 향후 리비전으로 연결되는 링크가 아닙니다. 여기에 없다고 해서 지원되지 않는다는 뜻은 아니므로, 등재되지 않은 부품은 양산 선정 전에 SiFli에 확인하십시오. 등재된 MIPI 및 QSPI 인터페이스는 디스플레이 드라이버의 인터페이스이며, 모든 SF32 디바이스가 반드시 지원하는 것은 아닙니다. 선택한 칩의 인터페이스와 드라이버 지원을 확인하십시오. 그래픽 개요와 ePicasso 2D / 2.5D 그래픽 엔진을 참조하십시오. 원본은 SDR 속도를 ?MHz로 표기하므로 지정되지 않은 값이며, DDR은 미지원으로 표기합니다.

LCD 드라이버 인증 부품
인증 P/N 업체 해상도 유형 IO 전압 인터페이스 GRAM 색 심도 최대 속도 (SDR / DDR)
RM69090 Raydium 368×448 AMOLED 1.65~3.3 V MIPI, QSPI 있음 16.7M 색 미지정 / 미지원

터치 패널 컨트롤러

V0.3에는 터치 컨트롤러 항목이 없습니다. 이것이 이후 리비전에서의 인증 상태를 보증하거나 디바이스가 지원되지 않는다는 뜻은 아닙니다. 사용하려는 부품은 정확한 주문 코드와 제품 요구 사항을 SiFli FAE 또는 영업팀에 전달하여 인증 상태와 드라이버 지원을 확인하십시오. 연락처 정보를 참조하십시오.

설계 검토 체크리스트

회로도나 BOM을 확정하기 전에 선택한 각 AVL 부품을 실제 제품 설계에 비추어 검토하십시오.

  • 정확한 부품 번호, 패키지, 온도 등급, 주문 접미사가 승인된 행과 일치하거나 명시적인 엔지니어링 승인 경로가 있습니다.
  • 전압 범위가 보드에서 사용하는 SF32 IO 레일, 플래시 레일, 디스플레이 레일 또는 전원 컨버터 레일과 일치합니다.
  • 패키지, 랜드 패턴, 높이, 조립 제약이 PCB 라이브러리와 제조 공정에 맞습니다.
  • 펌웨어가 해당 부품을 올바르게 식별할 수 있습니다. 해당하는 경우 JEDEC/제조사 ID 또는 동등한 런타임 프로브를 사용합니다.
  • 부팅, 플래싱, OTA, 파일 시스템, 디스플레이 또는 터치 드라이버 동작을 정확한 부품에서 검증했습니다.
  • 저전력 전류를 AVL이나 부품 데이터시트의 값을 그대로 옮기지 않고 실제 하드웨어에서 측정했습니다.
  • 크리스털 주파수 오프셋, CBANK_SEL 동작, RF 캘리브레이션을 최종 PCB, 안테나, 인클로저에서 검증했습니다.
  • 플래시 소거/프로그램/읽기 타이밍을 제품에서 예상되는 전압 및 온도 범위에서 테스트했습니다.
  • 크리스털, 인덕터, 플래시, 디스플레이 패널 같은 고위험 BOM 항목에는 세컨드 소스 후보를 하나 이상 확인했습니다.

이 체크리스트는 의도적으로 "부품이 AVL에 있다"는 기준보다 엄격합니다. AVL은 탐색 범위를 좁혀 줄 뿐이며, 제품 릴리스는 여전히 보드 수준의 증거에 달려 있습니다.

소싱 체크리스트

  • 부품 번호와 리비전 접미사를 현재 다운로드 가능한 AVL과 교차 확인합니다. 스프레드시트 스냅샷(이 페이지 포함)은 새 로트가 인증되면서 최신 상태가 아니게 됩니다.
  • 플래시 부품은 브링업 코드가 기대하는 제조사/JEDEC ID가 같은 계열의 다른 부품이 아니라 실제 주문한 부품과 일치하는지 확인합니다. 마케팅 이름이 같아도 부품에 따라 반환하는 ID 바이트가 다를 수 있습니다.
  • NAND, SD-NAND, 파일 시스템을 뒷받침하는 모든 부품은 실제 하드웨어에서 부팅/플래싱 툴 지원, OTA 업데이트 흐름, 파일 시스템 동작(FatFS/FlashDB/LittleFS)을 검증합니다. 브링업 중 올바르게 읽힌다고 해서 OTA까지 자동으로 검증된 것은 아닙니다.
  • 크리스털은 보드에서 CBANK_SEL과 보고된 TX Ch39 주파수 오프셋을 검증합니다. 워크북은 레퍼런스 레이아웃이나 전체 측정 구성을 명시하지 않으므로, 결과를 비교하기 전에 테스트 모드와 조건을 확인하십시오.
  • 자체 보드에서 Standby, deep-power-down, 동작 읽기 전류를 측정합니다. AVL은 모든 값의 출처나 전체 동작 조건을 보증하지 않으므로 데이터시트와 측정 조건을 확인하십시오.
  • 전기 사양뿐 아니라 패키지와 풋프린트가 PCB 라이브러리 및 조립 역량에 맞는지 확인하십시오.
  • 이 목록에 아직 없는 부품은 BOM에 반영하기 전에 해당 부품 분류의 요구 사항 행에 비추어 인증하고, 인증 데이터를 SiFli와 공유하는 것을 고려합니다.
  • 단일 업체 품목마다 세컨드 소스 후보를 확보합니다. V0.3에는 LCD 드라이버가 하나 등재되어 있고 터치 컨트롤러는 없으므로, 이 스냅샷을 최신 상태로 간주하지 말고 현재 공급 가능 여부와 지원을 확인하십시오.
  • 주요 BOM 동결 전마다 이 목록을 다시 확인합니다. 이 목록은 라이브 데이터베이스가 아니라 스냅샷입니다.

최종 업데이트: