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Lista de proveedores aprobados para SF32

Propósito de esta lista

La Lista de proveedores aprobados (AVL) documenta las cualificaciones de componentes realizadas por SiFli para diseños SF32. V0.3 incluye cristales pasivos, inductores para convertidores reductores, Flash NOR/NAND, SD-NAND y un controlador LCD; la hoja de controladores táctiles no contiene entradas. Úsela para seleccionar candidatos y segundas fuentes, y valide la referencia exacta en su PCB, firmware, carcasa, proceso de producción y cadena de suministro. La inclusión no sustituye la validación del producto.

Esta página se basa directamente en la hoja de cálculo oficial de la AVL de SiFli, SIFLI-MCU-AVL-认证表, versión V0.3 (2026-01-21). La AVL puede cambiar a medida que se cualifican nuevos componentes; esta página refleja la versión V0.3, fechada el 2026-01-21, y no se actualiza en tiempo real. Esta revisión solo confirma el contenido de V0.3; no determina si algún componente sigue aprobado en revisiones posteriores de la AVL. Consulte el archivo fuente vigente antes de cerrar la BOM:

Cómo utilizar esta lista

La fuente ofrece requisitos generales para cristales e inductores de convertidores reductores; las demás tablas registran principalmente datos de cada referencia. Úselos para evaluar candidatos, sin suponer que todos los componentes listados cumplen cada límite general: las discrepancias de la fuente se señalan más abajo. Se omiten las columnas vacías en todas las filas, como el soporte de herramientas de descarga de Flash; su omisión no confirma dicho soporte. En las tablas detalladas, el guion (—) suele indicar que V0.3 no proporciona un valor para ese campo. En las celdas de reloj DTR de NOR Flash, en cambio, representa la indicación explícita de la fuente «no soportado»; consulte la nota de NOR Flash.

Evalúe los componentes de la BOM en tres etapas, en lugar de elegir un número de pieza sin más:

  1. Preseleccione según los requisitos. Compruebe que la capacidad, el riel de tensión, el encapsulado y los requisitos específicos de cada clase (capacitancia de carga para cristales, DCR/Isat para inductores y reloj SDR/DTR para Flash) concuerden con el esquemático y el presupuesto de consumo.
  2. Revise las limitaciones que no se resumen en el valor principal de la hoja de datos. Confirme que el rango de temperatura cubra las condiciones de uso y almacenamiento del producto, que el firmware espere el identificador de fabricante/JEDEC exacto de esa pieza y que la compatibilidad con OTA, el sistema de archivos o las herramientas de descarga se haya probado con esa pieza concreta, no solo con otra de la misma familia.
  3. Valide el hardware real antes de comprometer la producción. Mida en su propia placa la corriente en reposo y durante el funcionamiento, vuelva a comprobar la calibración RF del cristal en la PCB y la carcasa finales, e identifique al menos una segunda fuente para cada línea de la BOM con un solo proveedor.

Resumen de cobertura

Tabla: resumen de cobertura
Categoría Componentes cualificados Criterios principales de selección
Cristales de 48 MHz 10 Capacitancia de carga, tolerancia de frecuencia, ESR, tiempo de arranque, calibración CBANK y desviación de frecuencia Bluetooth
Cristales de 32,768 kHz 5 Capacitancia de carga, tolerancia de frecuencia, ESR, encapsulado, temperatura de funcionamiento
Inductores reductores 8 Valor de 4,7 µH, DCR, corriente de saturación (Isat), corriente nominal (Irms), SRF y compatibilidad con tamaño 2016
Flash NOR 44 Capacidad, riel de tensión, reloj SDR/DTR, ID indicado y corriente en espera/Deep Power-Down
Flash SPI-NAND 18 Capacidad, modo ECC, geometría de páginas/bloques, Golden Block y corrientes en espera/lectura/programación
Flash SD-NAND 5 Compatibilidad con SD 2.0, operación a 50 MHz, corriente en espera y rango de temperatura de funcionamiento
Controladores LCD 1 Una referencia incluida; confirme temporización del panel, soporte del controlador y modo de interfaz antes de la liberación
Controladores de panel táctil 0 Sin entradas en V0.3; confirme por separado la cualificación y el soporte del controlador

Use el resumen para conocer la cobertura de V0.3. La selección de pantalla y control táctil requiere especial atención: esta versión incluye un único controlador LCD y ningún controlador táctil. Confirme la referencia con SiFli y valídela en el producto; su inclusión en una revisión posterior no elimina esa necesidad.

Historial de revisiones

Tabla: historial de revisiones
Versión Fecha Autor Cambio
V0.1 2023-12-29 yzli Versión inicial.
V0.2 2025-07-16 yzli Se añadieron cristales de 48 MHz de Huilun y JWT (晶威特).
V0.3 2026-01-21 yzli Se añadió Flash NOR de UCUN: UC25WQ80IB, UC25IQ32A, UC25IQ64A y UC25IQ128A.

Cristales

La AVL incluye cristales de sistema de 48 MHz y cristales de RTC de 32,768 kHz. Consulte los requisitos de las fuentes de reloj en la guía de diseño del dispositivo SF32 exacto y seleccione según capacitancia de carga, tolerancia de frecuencia, ESR, comportamiento de arranque y presupuesto de consumo. Las tablas de cualificación no establecen una única configuración de reloj obligatoria para todos los productos SF32.

Cristal de sistema de 48 MHz

Requisitos

Capacitancia de carga CL ≤ 12 pF (7 pF recomendado) · Desviación de frecuencia ΔF/F0 ≤ ±10 ppm · ESR ≤ 30 Ω (22 Ω recomendado)

Componentes cualificados: cristales de sistema de 48 MHz
N.º de pieza cualificado Proveedor CL ΔF/F0 ESR Temperatura de funcionamiento Encapsulado Tiempo de arranque Corriente adicional CBANK_SEL óptimo Desviación de frecuencia TX Ch39 (−35 °C / 25 °C / 105 °C)
E1SB48E001G00E Hosonic (鸿星) 8.8 pF −10 a +9 ppm ≤22 Ω −30°C a +85°C 2016 (métrico) <700 µs 0 µA 0x1C9 −32 a −1 kHz / ±20 kHz / +33 a +73 kHz
SX20Y048000B31T-8.8 TKD (泰晶) 8.8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −20°C a +75°C 2016 (métrico) <800 µs <30 µA 0x1DC −52 a −15 kHz / ±22 kHz / +50 a +100 kHz
SX20Y048000B31T001 TKD (泰晶) 8.8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −40°C a +85°C 2016 (métrico) <800 µs <30 µA 0x1F7 −53 a +13 kHz / ±30 kHz / +44 a +90 kHz
CN4048M00085C822000 JWT (晶威特) 8 pF ±8 ppm ≤22 Ω −30°C a +85°C 2016 (métrico) <700 µs 0 µA 0x195 −40 a +1 kHz / −25 a +14 kHz / +12 a +45 kHz
HS48000013 汇隆电子 8.8 pF ±10 ppm ≤22 Ω −30°C a +85°C 2016 (métrico) <700 µs <12 µA 0x1F3 −27 a +8 kHz / −25 a +10 kHz / −1.2 a +32 kHz
SX20Y048000B81T003 TKD (泰晶) 8 pF ±10 ppm ≤40 Ω −30°C a +85°C 2016 (métrico) <700 µs <10 µA 0x1F4 −41 a +7 kHz / −30 a +20 kHz / +5 a +57 kHz
L214S480D11-S Lucki (蓝晶) 8 pF ±10 ppm ≤30 Ω −30°C a +85°C 2016 (métrico) <750 µs <50 µA 0x196 −38 a 0 kHz / −28 a 0 kHz / −4 a +45 kHz
8Y48090002 TXC (晶技) 8.8 pF −6 a +8 ppm ≤22 Ω −30°C a +85°C 2016 (métrico) <700 µs <30 µA 0x1D0 −34 a −9.6 kHz / — / +27.9 a +46.1 kHz
9S48000051 惠伦晶体 8.8 pF −6 a +8 ppm ≤20 Ω −30°C a +85°C 2016 (métrico) <700 µs <15 µA — —
CN4048M000885C822000 JWT (晶威特) 8.8 pF ±8 ppm ≤22 Ω −30°C a +85°C 2016 (métrico) <700 µs <10 µA 0x1D0 −34 a −9.6 kHz / −25 a +10 kHz / +27.9 a +46.1 kHz

Significado de las columnas de calibración RF

CBANK_SEL es el ajuste registrado en los datos de cualificación de SiFli. TX Ch39 Freq Offset conserva la etiqueta de prueba original y los resultados en tres temperaturas. La hoja no identifica el modo Bluetooth ni la frecuencia de prueba; no suponga que se refiere al canal de publicidad BLE 39 o a un canal concreto de banda media. Confirme la configuración de prueba y el procedimiento de calibración antes de comparar resultados o aplicar los ajustes a su placa. Tres referencias de TKD indican ESR ≤40 Ω pese al requisito general de ≤30 Ω; esta discrepancia también requiere confirmación.

Las cifras de corriente adicional de la tabla de cristales no tienen una referencia de comparación ni una configuración de ensayo completa documentadas. No son corrientes de alimentación del cristal por sí solo; confirme la definición de la medida antes de comparar candidatos o incorporarlas al presupuesto de consumo del sistema.

Cristal de RTC de 32,768 kHz

Requisitos

Capacitancia de carga CL ≤ 12,5 pF (7 pF recomendado) · Desviación de frecuencia ΔF/F0 ≤ ±20 ppm · ESR ≤ 80 kΩ (38 kΩ recomendado)

Componentes cualificados: cristales de RTC de 32,768 kHz
N.º de pieza cualificado Proveedor CL ΔF/F0 ESR Temperatura de funcionamiento Encapsulado Porcentajes de la fuente; significado sin confirmar (−35 °C / 25 °C / 105 °C)
ETST00327000LE Hosonic (鸿星) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40°C a +85°C 3215 (métrico) 32% a 55% / 43% a 54% / 38% a 45%
SF32K32768D71T01 TKD (泰晶) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40°C a +85°C 3215 (métrico) 33% a 54% / 42% a 56% / 35% a 44%
X1A0001210008xx Epson (爱普生) 7 pF ±20 ppm ≤90 kΩ −40°C a +85°C 1610 (métrico) 35% a 61% / 42% a 58% / 36% a 48%
DH2032K76807T2719002 JWT (晶威特) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40°C a +85°C 3215 (métrico) 43% a 60% / 45% a 59% / 37% a 48%
SF32WK32768D71T024 TKD (泰晶) 7 pF ±20 ppm ≤70 kΩ −40°C a +85°C 3215 (métrico) 34% a 55% / 41% a 54% / 36% a 46%

La hoja registra 32,76 kHz para cada componente en tres temperaturas de prueba concretas: −35 °C, 25 °C y 105 °C. Esa precisión de presentación no demuestra una exactitud de nivel ppm ni el comportamiento en todo el intervalo térmico. Los porcentajes de la tabla aparecen en columnas cuyo encabezado original es TX_CH39_Freq_offset(KHz), aunque su formato sugiere medidas del ciclo de trabajo. Confirme su significado con SiFli antes de utilizarlos como límites del ciclo de trabajo. La prueba a 105 °C tampoco amplía el intervalo de funcionamiento indicado, de −40 °C a +85 °C. El límite de ESR de 90 kΩ del componente Epson supera el requisito general de 80 kΩ; se conserva esa discrepancia del original y debe confirmarse su aceptación para el diseño.

Inductores para convertidores reductores

Requisitos

Inductancia L = 4,7 µH ±20 % · Resistencia en corriente continua (DCR) ≤ 0,4 Ω · Corriente de saturación (Isat) ≥ 450 mA

Componentes cualificados: inductores para convertidores reductores
N.º de pieza cualificado Proveedor Tipo Tolerancia SRF DCR Isat Irms Encapsulado
WPN201610U4R7MT Sunlord Bobinado ±20% 21 MHz ≤288 mΩ 1.3 A 1.45 A 0806 (métrica 2016)
WPN201610H4R7MT Sunlord Bobinado ±20% 25 MHz ≤425 mΩ 1.2 A 1.0 A 0806 (métrica 2016)
HTTX20161T-4R7MDR Cyntec Bobinado ±20% — ≤250 mΩ 1.7 A 1.5 A 0806 (métrica 2016)
VLS201612CX-4R7M-1 TDK Bobinado ±20% 51 MHz ≤252 mΩ 0.88 A 1.32 A 0806 (métrica 2016)
CIGW201610GL4R7MLE Samsung Bobinado ±20% — ≤240 mΩ 1.4 A 1.4 A 0806 (métrica 2016)
DFE201612E-4R7M=P2 Murata Bobinado ±20% — ≤252 mΩ 1.8 A 1.2 A 0806 (métrica 2016)
SWAI201610H4R7M 三体微 Bobinado ±20% — ≤390 mΩ 1.3 A 1.05 A 0806 (métrica 2016)
FSHJ201610-4R7M 方磁 Bobinado ±20% — ≤425 mΩ 1.1 A 0.9 A 0806 (métrica 2016)

La inclusión en esta tabla no hace que los ocho inductores sean eléctricamente intercambiables. WPN201610H4R7MT y FSHJ201610-4R7M tienen una DCR máxima indicada de 425 mΩ, superior al requisito general de 0,4 Ω. La hoja no explica esta discrepancia; confirme su aceptación con SiFli en lugar de asumir que cumplen ese límite. Para cada candidato, compruebe las pérdidas por DCR, Isat, Irms, SRF, patrón de pads, altura y aumento de temperatura según la corriente real del inductor y las condiciones del convertidor, no según la corriente media del producto completo.

Flash NOR

V0.3 incluye 44 referencias de Flash NOR de 4 Mb a 256 Mb, agrupadas por capacidad. Las frecuencias indicadas corresponden a las memorias y no garantizan esas velocidades en cualquier dispositivo SF32 o placa. Compruebe los comandos de lectura, los límites del controlador, la temporización y la identificación del dispositivo por el controlador de software en su diseño exacto. La fuente denomina «Manufacture ID» a los valores hexadecimales, pero estos también incluyen campos de identificación del dispositivo: compare la respuesta completa prevista, no solo el byte del fabricante. Calcule el consumo activo y en espera con corrientes cuyas condiciones de funcionamiento estén documentadas.

4 Mb–16 Mb

Ninguno de los seis componentes de este rango de capacidad admite el modo DTR; por ello, solo se muestra el reloj SDR.

Componentes cualificados: Flash NOR de 4 Mb a 16 Mb
N.º de pieza cualificado Proveedor Capacidad Tensión Rango de temperatura Reloj SDR máx. ID indicado Corriente en espera Corriente en Deep Power-Down Corriente de lectura activa
P25Q40SU PUYA 4 Mb 1.65–3.6 V −40°C a +85°C 85 MHz @1.8 V / 104 MHz @3.3 V 0x856013 10 µA 0.1 µA @1.8 V / 0.6 µA @3.3 V 3.5 mA @85 MHz (1.8 V) / 5 mA @85 MHz (3.3 V) / EDH: no soportado
P25Q80LE PUYA 8 Mb 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 104 MHz 0x856014 9 µA 0.1 µA 1.5 mA @85 MHz / EDH: no soportado
GD25LE80E GD (GigaDevice) 8 Mb 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 133 MHz 0xC86014 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: no soportado
UC25WQ80IB UCUN 8 Mb 1.65–3.6 V −40°C a +85°C 104 MHz 0xB36014 1.5 µA 0.5 µA 6 mA @85 MHz / EDH: no indicado
P25Q16LE PUYA 16 Mb 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 104 MHz 0x856015 18 µA 0.1 µA 3 mA @85 MHz / EDH: no soportado
GD25LE16E GD (GigaDevice) 16 Mb 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 133 MHz 0xC86015 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: no soportado

32 Mb–64 Mb

Componentes cualificados: Flash NOR de 32 Mb a 64 Mb
N.º de pieza cualificado Proveedor Capacidad Tensión Rango de temperatura Reloj máx. (SDR / DTR) ID indicado Corriente en espera Corriente en Deep Power-Down Corriente de lectura activa
P25Q32L PUYA 32 Mb 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 120 MHz / — 0x856016 9 µA 0.2 µA 2 mA @85 MHz / EDH: no soportado
SK25LE032 SK 32 Mb 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 133 MHz / 80 MHz 0x257016 10 µA 0.1 µA 2 mA @80 MHz (SDR) / 2.6 mA @80 MHz (DTR)
GD25LE32E GD (GigaDevice) 32 Mb 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 133 MHz / — 0xC86016 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: no soportado
UC25IQ32A UCUN 32 Mb 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 133 MHz / 66 MHz 0xB34014 15 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: no indicado
P25Q64LE PUYA 64 Mb 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 104 MHz / — 0x856017 18 µA 0.3 µA 2 mA @85 MHz / EDH: no soportado
P25Q64H PUYA 64 Mb 2.3–3.6 V −40°C a +85°C 120 MHz / — 0x856017 18 µA 0.6 µA 4 mA @85 MHz / EDH: no soportado
P25Q64SH PUYA 64 Mb 2.3–3.6 V −40°C a +85°C 120 MHz / 70 MHz 0x856017 10 µA 0.3 µA 6.8 mA @85 MHz (SDR) / 9.45 mA @70 MHz (DTR)
GD25LE64E GD (GigaDevice) 64 Mb 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 133 MHz / — 0xC86017 10 µA 0.2 µA 3 mA @80 MHz / EDH: no soportado
ZB25LQ64A ZBIT 64 Mb 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 133 MHz / 66 MHz 0x5E7017 10 µA 1 µA 4 mA @104 MHz / EDH: no indicado
BY25Q64ES BOYA 64 Mb 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 120 MHz / — 0x684017 9 µA 0.4 µA 6 mA @80 MHz / EDH: no soportado
UC25IQ64A UCUN 64 Mb 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 133 MHz / 66 MHz 0xB34017 10 µA 1 µA 15 mA @80 MHz / EDH: no indicado

128 Mb

Componentes cualificados: Flash NOR de 128 Mb
N.º de pieza cualificado Proveedor Tensión Rango de temperatura Reloj máx. (SDR / DTR) ID indicado Corriente en espera Corriente en Deep Power-Down Corriente de lectura activa
P25Q128L PUYA 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 70 MHz / 43 MHz 0x856018 15 µA 0.5 µA 4.5 mA @85 MHz / EDH: no indicado
PY25Q128HA PUYA 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 104 MHz / 66 MHz 0x852018 15 µA 1 µA 7 mA @85 MHz (SDR) / 9 mA @66 MHz (DTR)
SK25LP128 SK 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 166 MHz / 104 MHz 0x257018 8 µA 0.1 µA 2 mA @80 MHz (SDR) / 2.6 mA @80 MHz (DTR)
GD25LQ128E GD (GigaDevice) 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 120 MHz / — 0xC86018 35 µA 1 µA 13 mA @80 MHz / EDH: no soportado
GD25Q128E GD (GigaDevice) 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 133 MHz / — 0xC84018 14 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: no soportado
GD25F128F GD (GigaDevice) 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 166 MHz / 104 MHz 0xC84318 16 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: no indicado
W25Q128JW Winbond 1.7–1.95 V −40°C a +85°C 133 MHz / — 0xEF6018 10 µA 1 µA — / EDH: no soportado
W25Q128JV Winbond 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 133 MHz / — 0xEF4018 10 µA 1 µA 12 mA @104 MHz / EDH: no soportado
XT25F128F XTX 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 133 MHz / 104 MHz 0x0B4018 15 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: no indicado
XT25Q128DW XTX 1.7–2.0 V −40°C a +85°C 108 MHz / 76 MHz 0x0B6018 12 µA 0.4 µA 9 mA @80 MHz / EDH: no indicado
FM25W128 FM 1.65–3.6 V −40°C a +85°C 50 MHz @1.8 V / 100 MHz @3.3 V (solo SDR, sin soporte para DTR) 0xA12818 5 µA 1 µA @3.3 V — / EDH: no soportado
XM25QU128C XMC 1.65–1.95 V −40°C a +85°C 133 MHz / — 0x204118 18 µA 6 µA 6 mA @66 MHz / EDH: no soportado
ZB25VQ128D ZBIT 2.3–3.6 V −40°C a +85°C 104 MHz / — 0x5E4018 10 µA 1 µA 4 mA @104 MHz / EDH: no soportado
ZB25LQ128B ZBIT 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 104 MHz / — 0x5E5018 9 µA 3 µA 9 mA @104 MHz / EDH: no soportado
BY25Q128ES BOYA 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 108 MHz / — 0x684018 14 µA 0.2 µA 6 mA @80 MHz / EDH: no soportado
UC25IQ128A UCUN 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 133 MHz / 66 MHz 0xB34018 15 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: no indicado

256 Mb

Componentes cualificados: Flash NOR de 256 Mb
N.º de pieza cualificado Proveedor Tensión Rango de temperatura Reloj máx. (SDR / DTR) ID indicado Corriente en espera Corriente en Deep Power-Down Corriente de lectura activa
W25Q256JW Winbond 1.7–1.95 V −40°C a +85°C 133 MHz / — 0xEF6019 10 µA 1 µA 8 mA @80 MHz / EDH: no soportado
W25Q256JV Winbond 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 133 MHz / — 0xEF7019 10 µA 1 µA 12 mA @104 MHz / EDH: no soportado
PY25Q256HB PUYA 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 133 MHz / 100 MHz 0x852019 20 µA 1 µA 7 mA @80 MHz (SDR) / 11.5 mA @80 MHz (DTR)
GD25LQ256D GD (GigaDevice) 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 120 MHz / — 0xC86019 70 µA 2 µA 10 mA @80 MHz / EDH: no soportado
GD25Q256E GD (GigaDevice) 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 133 MHz / — 0xC84019 16 µA 1 µA 12 mA @80 MHz / EDH: no soportado
XM25QU256C XMC 1.65–1.95 V −40°C a +85°C 133 MHz / — 0x204119 15 µA 7 µA 11 mA @66 MHz / EDH: no soportado
XM25QH256C XMC 2.3–3.6 V −40°C a +85°C 133 MHz / — 0x204019 15 µA 7 µA 7 mA @66 MHz / EDH: no soportado
XT25F256BW XTX 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 104 MHz / 50 MHz 0x0B4019 15 µA 0.5 µA 8 mA @80 MHz / EDH: no indicado
DS25M4BA Dosilicon 1.65–1.95 V −40°C a +85°C 108 MHz / 80 MHz 0xE54219 15 µA 5 µA 13 mA @108 MHz / EDH: no indicado
BY25Q256FS BOYA 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 100 MHz / 54 MHz 0x684919 28 µA 2 µA 13 mA @80 MHz / EDH: no indicado
MX25U25643G MXIC (Macronix) 1.65–2.0 V −40°C a +85°C 133 MHz / 54 MHz 0xC22539 15 µA 0.8 µA 7 mA @84 MHz / EDH: no indicado

Las corrientes y los límites de modo requieren sus condiciones originales

Son valores registrados en la AVL, no mediciones independientes de este sitio. Salvo indicación expresa, no suponga que un valor es típico o máximo, ni que las condiciones de tensión, temperatura y reloj no especificadas coinciden con otra fila. Verifique la hoja de datos del componente y mida su placa. Las corrientes de lectura proceden de las columnas EBH y EDH de la fuente. «—» en una celda de corriente significa que falta el valor; en la columna de reloj DTR representa una entrada de modo no compatible. La fuente denomina TDR a su segunda columna de reloj; esta página utiliza DTR, pero debe comprobar el modo de lectura y el comando para cada dispositivo.

Las etiquetas EDH conservan la distinción de la fuente entre datos ausentes y funcionamiento no soportado; no se deducen de la columna de reloj. P25Q128L presenta una incoherencia: su frecuencia SDR máxima figura como 70 MHz, pero la corriente de lectura se especifica a 85 MHz. Se conservan ambos valores; confirme las condiciones válidas antes de utilizarlos.

Flash SPI-NAND

V0.3 incluye 18 referencias SPI-NAND de 512 Mb y 1 Gb. Con un controlador y una pila de software compatibles pueden almacenar archivos o datos; FatFS, FlashDB y LittleFS son ejemplos, pero debe validarse la compatibilidad con la referencia elegida. El acceso por páginas, ECC y la gestión de bloques defectuosos de NAND difieren del acceso XIP directo en NOR. La hoja de cálculo indica Golden Block como block0 para todas las referencias, sin especificar las condiciones de garantía ni qué rutinas de firmware dependen de él. Confirme estos supuestos en la documentación del dispositivo y del SDK.

Para GD5F1GM7RE y GD5F1GM7UE, la fuente indica 2048+64 bytes por página y 128K+8K bytes por bloque. Los tamaños del área de reserva no concuerdan con un cálculo directo de páginas por bloque. La tabla conserva ambos valores; confirme la geometría de páginas, bloques y áreas de reserva en la hoja de datos de la referencia exacta antes de configurar el controlador de software.

512 Mb

Componentes cualificados: Flash SPI-NAND de 512 Mb
N.º de pieza cualificado Proveedor Tensión Rango de temperatura ID indicado Tamaño de página/bloque Velocidad máx. ECC Golden Block Corriente en espera Lectura de página Programación/borrado
F35SQA512M FORESEE 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 0xCD7070 2048+64 B / 128K+4K 133 MHz HW 1-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
F35UQA512M FORESEE 1.7–1.95 V −40°C a +85°C 0xCD6060 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW 1-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35M12B Dosilicon 1.7–1.95 V −40°C a +85°C 0xE5A5E5 2048+128 B / 128K+8K 83 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35Q12B Dosilicon 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 0xE5F5E5 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA

1 Gb

Tabla: componentes cualificados de Flash SPI-NAND de 1 Gb
N.º de pieza cualificado Proveedor Tensión Rango de temperatura ID indicado Tamaño de página/bloque Velocidad máx. ECC Golden Block Corriente en espera Lectura de página Programación/borrado
W25N01GW Winbond 1.7–1.95 V −40°C a +85°C 0xEFBA21 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW 1-bit block0 10 µA 25 mA 25 mA
W25N01GV Winbond 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 0xEFAA21 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW 1-bit block0 10 µA 25 mA 25 mA
GD5F1GM7RE GD (GigaDevice) 1.7–2.0 V −40°C a +85°C 0xC881C8 2048+64 B / 128K+8K 104 MHz SDR / 80 MHz DTR HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 10 mA
GD5F1GM7UE GD (GigaDevice) 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 0xC891C8 2048+64 B / 128K+8K 133 MHz SDR / 104 MHz DTR HW 8-bit block0 10 µA 15 mA 15 mA
F35SQA001G FORESEE 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 0xCD7171 2048+64 B / 128K+4K 104 MHz HW 1-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
HYF1GQ4IDACAE HeYangTek 1.7–1.98 V −40°C a +85°C 0xC981C9 2048+64 B / 128K+4K 80 MHz HW 4-bit block0 10 µA 5 mA —
HYF1GQ4UDACAE HeYangTek 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 0xC921C9 2048+64 B / 128K+4K 108 MHz HW 4-bit block0 10 µA 15 mA —
XT26Q01D XTX 1.7–1.95 V −40°C a +85°C 0x0B5100 2048+128 B / 128K+8K 108 MHz HW 8-bit block0 15 µA 26 mA 28 mA / 18 mA
XT26G01C XTX 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 0x0B3100 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz HW 8-bit block0 180 µA 25 mA 30 mA / 25 mA
DS35M1GB Dosilicon 1.7–1.95 V −40°C a +85°C 0xE5A1E5 2048+128 B / 128K+8K 83 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
DS35Q1GB Dosilicon 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 0xE5F1E5 2048+128 B / 128K+8K 104 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 15 mA
ZB35Q01A ZBIT 2.7–3.6 V −40°C a +85°C 0x5E415E 2048+64 B / 128K+4K 80 MHz HW 8-bit block0 10 µA 10 mA 10 mA
FM25SL01 FM 1.75–1.95 V −40°C a +85°C 0xA1A5A1 2048+128 B / 128K+8K 80 MHz HW 1-bit block0 10 µA 16 mA 16 mA
TC58CYG0S3HRAIJ KIOXIA 1.7–1.95 V −40°C a +85°C 0x98D240 2048+64 B / 128K+4K 133 MHz HW 8-bit block0 30 µA 17 mA 26 mA

Antes de escribir el código de detección de Flash, consulte en cada hoja de datos la secuencia para leer el ID JEDEC/del fabricante. El número de bytes devueltos tras el opcode 0x9F varía según el proveedor: algunos devuelven un ID de dispositivo de dos bytes (DID1 y DID2), mientras que otros devuelven un solo byte. Estas diferencias pueden provocar errores de «Flash no reconocido» al poner en marcha una pieza de una segunda fuente nueva.

Secuencias de lectura de ID de la fuente

La hoja registra los tres formatos de lectura de ID siguientes. MID identifica al fabricante; DID, DID1 y DID2 son campos de identificación del dispositivo. Son cadenas de la fuente, no transacciones ejecutables. Antes de implementar el controlador, confirme el opcode, la fase dummy o de dirección, el número de bytes devueltos y la temporización de selección de chip en la hoja de datos de la pieza exacta. Los ID hexadecimales de las tablas no representan siempre un único byte de ID de fabricante.

Secuencias de lectura de ID SPI-NAND registradas en V0.3
Componentes Secuencia de la fuente
F35SQA512M, F35UQA512M, W25N01GW, W25N01GV, F35SQA001G, TC58CYG0S3HRAIJ 9F+dummy(8bit)+MID+DID1+DID2
DS35M12B, DS35Q12B, GD5F1GM7RE, GD5F1GM7UE, DS35M1GB, DS35Q1GB, FM25SL01 9F+dummy(8bit)+MID+DID
HYF1GQ4IDACAE, HYF1GQ4UDACAE, XT26Q01D, XT26G01C, ZB35Q01A 9F+00+MID+DID

Flash SD-NAND

V0.3 incluye cinco referencias SD-NAND cualificadas de 1 Gb con interfaz SD 2.0. Son candidatas para almacenamiento fijo al que se accede por una interfaz SD, sin una ranura física para tarjetas. Antes de seleccionarlas, confirme que el controlador SD del sistema y el controlador de software correspondiente sean compatibles con la referencia exacta y el diseño del producto.

Componentes cualificados: Flash SD-NAND
N.º de pieza cualificado Proveedor Rango de temperatura Tensión Interfaz Reloj máx. Corriente en espera Corriente de funcionamiento
CSNP1GCR01-BOW CS −30°C a +85°C 2.7–3.6 V SD 2.0 50 MHz 150 µA (typ) 15 mA @50 MHz (typ)
XTSD01GLGEAG XTX −30°C a +85°C 2.7–3.6 V SD 2.0 50 MHz 200 µA (max) 30 mA @50 MHz (max)
XSSD01GGAI XSS 0°C a +70°C 2.7–3.6 V SD 2.0 50 MHz 300 µA (max) 45 mA @50 MHz (max)
MKDV1GCL-AB MK −25°C a +85°C 2.7–3.6 V SD 2.0 50 MHz 50 µA (max) 28 mA @50 MHz (max)
XS26D01GACW Icthink −25°C a +85°C 2.7–3.6 V SD 2.0 50 MHz 250 µA (max) 100 mA @50 MHz (max)

XSSD01GGAI figura para 0°C a +70°C. Las otras cuatro referencias tienen límites inferiores de −25°C o −30°C y un límite superior de +85°C. Use los límites reales de cada fila, sin asumir un mismo grado de temperatura, y compruebe el margen necesario para el entorno del producto.

Controlador LCD

Controladores de pantalla incluidos en V0.3

V0.3 incluye un controlador LCD. El libro de cálculo V0.3 es una versión fija, no un enlace a revisiones futuras. La ausencia de una referencia no implica falta de soporte; confírmela con SiFli antes de seleccionarla para producción. MIPI y QSPI son interfaces del controlador de pantalla, no necesariamente de todos los dispositivos SF32. Compruebe las interfaces y el soporte del controlador de software del chip elegido; consulte la descripción general de gráficos y la arquitectura de la GPU ePicasso. La fuente indica ?MHz para SDR, sin un valor concreto, y marca DDR como no soportado.

Componentes cualificados: controladores LCD
N.º de pieza cualificado Proveedor Resolución Tipo Tensión IO Interfaz GRAM Profundidad de color Velocidad máxima (SDR / DDR)
RM69090 Raydium 368×448 AMOLED 1.65–3.3 V MIPI, QSPI Sí 16,7 M colores Sin especificar / no soportado

Controlador de panel táctil

V0.3 no contiene entradas de controladores táctiles. Esto no determina su estado de cualificación en revisiones posteriores ni significa que un dispositivo no esté soportado. Para una referencia propuesta, consulte al equipo FAE o comercial de SiFli sobre su cualificación y el soporte del controlador, e indique el código de pedido exacto y los requisitos del producto. Consulte la información de contacto.

Lista de comprobación para la revisión del diseño

Antes de cerrar el esquemático o la BOM, contraste cada componente AVL seleccionado con el diseño real del producto:

  • El número de pieza, encapsulado, grado de temperatura y sufijo de pedido exactos coinciden con la fila aprobada o cuentan con una vía explícita de aprobación de ingeniería.
  • El rango de tensión coincide con la línea de alimentación de E/S del SF32 o con las líneas de Flash, pantalla o convertidor de potencia utilizadas en la placa.
  • El encapsulado, patrón de pads, altura y restricciones de montaje son compatibles con la biblioteca de PCB y el proceso de fabricación.
  • Cuando corresponda, el firmware identifica correctamente el componente mediante el ID JEDEC/del fabricante o una comprobación equivalente en tiempo de ejecución.
  • El arranque, la descarga, OTA, el sistema de archivos, la pantalla o el controlador táctil se han verificado con el componente exacto.
  • La corriente de bajo consumo se ha medido en hardware real; no se ha copiado directamente de la AVL o de la hoja de datos.
  • El desplazamiento de frecuencia del cristal, el comportamiento de CBANK_SEL y la calibración RF se han validado con la PCB, antena y carcasa finales.
  • Los tiempos de borrado, programación y lectura de Flash se han probado en el rango previsto de tensión y temperatura del producto.
  • Se ha identificado al menos un candidato de segunda fuente para cada componente crítico de la BOM, como cristales, inductores, Flash y paneles de pantalla.

Esta lista establece un nivel de exigencia superior a «el componente aparece en la AVL». La AVL reduce el abanico de opciones, pero la liberación del producto sigue requiriendo evidencias de validación en la placa.

Lista de comprobación de abastecimiento

  • Compare el número de pieza y el sufijo de revisión con la AVL descargable vigente; las instantáneas de la hoja, incluida esta página, quedan desactualizadas al cualificarse nuevos lotes.
  • En componentes Flash, confirme que el identificador de fabricante/JEDEC esperado por el código de puesta en marcha corresponde a la pieza exacta pedida, no solo a la familia. Algunas familias comparten nombre comercial, pero devuelven bytes de ID distintos.
  • En NAND, SD-NAND y componentes que almacenen un sistema de archivos, verifique en hardware real el arranque, la herramienta de descarga, el flujo OTA y el comportamiento de FatFS/FlashDB/LittleFS. Que una pieza se lea correctamente durante la puesta en marcha no significa que OTA esté validado.
  • Valide CBANK_SEL y el desplazamiento de frecuencia TX Ch39 indicado en su placa. La hoja de cálculo no especifica el diseño de referencia ni la configuración completa de medida; confirme el modo y las condiciones de ensayo antes de comparar resultados.
  • Mida las corrientes en espera, en deep-power-down y durante la lectura en su placa. La AVL no establece la procedencia ni todas las condiciones de cada valor; compruebe la hoja de datos y las condiciones de medida.
  • Confirme que el encapsulado y la huella coinciden con la biblioteca de PCB y las capacidades de montaje, además de cumplir las especificaciones eléctricas.
  • Antes de incluir en la BOM una pieza aún no listada, cualifíquela según los requisitos de su clase de componente y considere compartir los datos de cualificación con SiFli.
  • Busque una segunda fuente para cada componente con un único proveedor. V0.3 incluye un controlador LCD y ningún controlador táctil; confirme la disponibilidad y el soporte actuales sin considerar esta instantánea como el estado más reciente.
  • Vuelva a revisar la lista antes de cada cierre importante de la BOM: es una instantánea, no una base de datos en tiempo real.

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