SF32LB57x 硬件设计指南 — 原理图核对表¶

SF32LB57x 硬件设计指南的一部分

本页列出第 5.8 节的原理图逐项核对内容，整理自思澈科技（SiFli）官方设计自查表。可返回最小系统与电源，查看三篇原理图设计指南中的第一页。

5.8. 原理图核对表¶

以下各表分别对应原理图中的一个功能模块。“适用型号”列用于标明仅适用于电池供电型号或 3.3 V 供电型号的检查项；未作限定的检查项适用于全部型号。

5.8.1. 封装¶

表 5.8.1-1：封装核对表

序号	检查项	适用型号	确认（是／否）
1	原理图符号库正确	全部型号

5.8.2. 电源¶

表 5.8.2-1：电源核对表

序号	检查项	适用型号
1	`VBUS` 输入供电电压严格控制在 4.6 V–5.5 V	电池供电型号
2	`VBAT` 充电支持额定电压 4.2 V–4.45 V 的电池；预充电电流为 40 mA，最大充电电流为 1C（400 mA）	电池供电型号
3	`VCC` 额定工作范围为 3.45 V–4.7 V；3.45 V 为硬件开机阈值，2.7 V 为硬件关机阈值	电池供电型号
4	`VSYS` 为内部专用电源，仅可为 `AVDD_BRF` 和 GPIO 上拉回路供电，不得驱动其他任何外部外设	电池供电型号
5	`VDD33_VOUT1` 负载仅限于封装内 Flash、外部 NOR/NAND Flash 与 `AVDD33_AUD`，不得驱动其他外设。软启动期间的负载电流不得超过 30 mA；完全使能后带载能力为 150 mA。	电池供电型号
6	`VDD33_VOUT2` 软启动电流限制为 30 mA；电压稳定在 3.3 V 后带载能力为 150 mA。该软启动限流可通过软件关闭——需核对所接外设的浪涌电流是否符合该电源轨的推荐规格	电池供电型号
7	`AVDD_BRF` 由 `VSYS` 域供电	电池供电型号
8	`AVDD33_AUD` 由 `VDD33_VOUT1` 域供电	电池供电型号
9	`PVDD` 额定供电范围为 2.93 V–3.63 V，典型默认工作电压为 3.3 V	3.3 V 供电型号
10	`VBATS` 电池电压检测范围为 0 V–4.5 V，不得超出该范围	3.3 V 供电型号
11	`AVDD_BRF` 由外部 3.3 V 电源供电	3.3 V 供电型号
12	`AVDD33_AUD` 由外部 3.3 V 电源供电	3.3 V 供电型号
13	`AVDD33_ANA` 由外部 3.3 V 电源供电	3.3 V 供电型号
14	`VDDIOA` 输入供电电压范围取决于具体订购型号——请查阅数据手册中的型号说明	3.3 V 供电型号
15	电池电压检测：芯片内部已将 GPADC 通道连接到 `VBAT`/`VBATS`，不要再将其额外接到其他 GPADC 通道	全部型号
16	`BUCK_LX`/`BUCK_FB` 走线严格遵循芯片硬件设计规范	全部型号
17	`VDD18_VOUT` 仅用于给芯片封装内的 PSRAM 供电，切勿用它给外部 1.8 V 外设供电	全部型号
18	`GPADC_VREF` 只能外接电容，不得外接电压源	全部型号
19	`AUD_VREF` 只能外接电容，不得外接电压源	全部型号

原始资料中的差异

原文自查表将 PVDD 下限写为 2.93 V、VBATS 上限写为 4.5 V，而封装供电表分别写为 2.97 V 和 4.7 V。本页保留自查表数值；这两处差异需按具体订购型号向思澈科技（SiFli）确认，不能将较宽的范围直接用于设计放行。

原文参考原理图还将 VCC 输入标为 3.2 V–4.7 V，并将 VDD33_VOUT1 标注为可给 Flash 和传感器供电；这与上表的 3.45 V 下限及禁止其他外设的负载限制不一致。保留上表限制，不依据图中的简写扩大供电范围或用途。

原文正文另将 VBUS 输入范围写为 4.5 V–5.5 V，将集成 LDO 的 OVP 输出范围写为 4.5 V–5.4 V；自查表对应值分别为 4.6 V–5.5 V 和 4.7 V–5.4 V。本页保留自查表数值，设计前应按具体器件和型号向思澈科技（SiFli）核实。

原文自查表第 25 项的标题为 VDD33_VOUT2 电容检查，但核查要点误写为 VDD33_VOUT1（第 24 项也检查该电源轨）。本页按第 25 项标题将其列为 VDD33_VOUT2；请向思澈科技（SiFli）确认原意。

5.8.3. 电源电容与电感¶

表 5.8.3-1：电源电容与电感核对表

序号	检查项	适用型号
1	`VBUS` 电容 ≥10 uF/10 V，靠近引脚放置	电池供电型号
2	`VBAT` 电容 ≥4.7 uF/10 V，靠近引脚放置	电池供电型号
3	`VCC` 电容 ≥10 uF/10 V，靠近引脚放置	电池供电型号
4	`VSYS` 电容 = 2.2 uF/6.3 V；该电源域总电容 ≤9.6 uF，靠近引脚放置	电池供电型号
5	`VDD33_VOUT1` 电容 = 2.2 uF/6.3 V；该电源域总电容 ≤9.6 uF，靠近引脚放置	电池供电型号
6	`VDD33_VOUT2` 电容 = 2.2 uF/6.3 V；该电源域总电容 ≤9.6 uF，靠近引脚放置	电池供电型号
7	`PVDD` 电容 ≥10 uF/6.3 V，靠近引脚放置	3.3 V 供电型号
8	`VBATS` 电容 = 0.1 uF/10 V 去耦电容，靠近引脚放置	3.3 V 供电型号
9	`VDDIOA` 电容 = 4.7 uF/6.3 V，靠近引脚放置	3.3 V 供电型号
10	`AVDD33_ANA` 电容 = 1 uF/6.3 V，靠近引脚放置	3.3 V 供电型号
11	`BUCK_FB` 电容 = 4.7 uF，放置在电感与芯片引脚之间	全部型号
12	`VDD_VOUT1` 电容 = 4.7 uF/6.3 V，靠近引脚放置	全部型号
13	`VDD_VOUT2` 电容 = 4.7 uF/6.3 V，靠近引脚放置	全部型号
14	`VDD_RET` 电容 = 0.47 uF/6.3 V，靠近引脚放置	全部型号
15	`VDD_RTC` 电容 = 1 uF/6.3 V，靠近引脚放置	全部型号
16	`MIC_BIAS` 电容 = 1 uF/6.3 V，靠近引脚放置	全部型号
17	`AVDD_BRF` 电容 = 4.7 uF/6.3 V，靠近引脚放置	全部型号
18	`AVDD33_AUD` 电容 = 2.2 uF/6.3 V，靠近引脚放置	全部型号
19	`AUD_VREF` 电容 = 1 uF/6.3 V，靠近引脚放置	全部型号
20	`GPADC_VREF` 电容 = 4.7 uF/6.3 V，靠近引脚放置	全部型号
21	优先选用思澈科技（SiFli）合格供应商名录（AVL）中的 BUCK 电感；若使用其他型号，其电感值须为 4.7 uH，DCR ≤0.4 Ω，Isat ≥450 mA	全部型号
22	若产品含 GPS 或其他易受干扰的外设，则需在 `BUCK_LX` 预留对地并联电容焊盘，容值小于 100 pF，最终取值以整机 EMC 测试结果为准	全部型号

5.8.4. 充电与 OVP¶

表 5.8.4-1：充电与 OVP 核对表

序号	检查项	适用型号
1	充电输入接口具备 OVP 过压保护电路	电池供电型号
2	若产品要求插入充电器后立即点亮屏幕，则不使用片内充电器，应改用具备电源路径管理（power-path management）功能的外部充电 IC	电池供电型号
3	仅当可接受电池充电至 3.6 V 后再由软件点亮屏幕时，才可使用片内充电器	电池供电型号
4	推荐使用带集成 LDO 输出的 OVP 器件（如 `LP5305AQVF`）：LDO 输出 4.7 V–5.4 V，带载能力 ≥0.5 A，过流保护触发阈值 ≥0.7 A	电池供电型号
5	若使用支持可调 OVLO 的 OVP 器件，则分压电阻需为 1% 精度，OVLO 阈值误差需小于 3%，且调节范围应设置在 5.15 V–5.55 V	电池供电型号
6	若不使用片内充电器，则 `VBUS` 可悬空、其外部电容也可省略；此时 `VBAT` 将无法对外输出电力	电池供电型号

5.8.5. 功耗¶

表 5.8.5-1：功耗核对表

序号	检查项	适用型号
1	LDO/DCDC 电源芯片使用高电平有效的 EN 引脚；若输出默认关闭，则 EN 需通过 1 MΩ–5.1 MΩ 电阻下拉，阻值根据整机低功耗需求选定	全部型号
2	基于 MOSFET 的电源开关采用 PMOS+NMOS 结构，控制引脚高电平开启、低电平关闭，并在控制引脚上固定接一个 1 MΩ 对地下拉电阻	全部型号
3	外部启动存储介质的电源开关仅由 `PA21` 控制	全部型号
4	若 `VSYS` 用作 GPIO 上拉电源，需充分评估其常通静态电流，并确认满足整机低功耗目标	电池供电型号
5	若 LDO2 或 LDO3 用作 GPIO 上拉电源，需评估其掉电场景，确认不会产生漏电或 IO 电平异常	电池供电型号
6	I2C 上拉电源与对应外设的 IO 域电源同步开关，以防止睡眠期间漏电	全部型号
7	已确认深度睡眠（Deep Sleep）模式下的整机静态电流上限，符合项目规格要求	全部型号
8	已记录深度睡眠（Deep Sleep）模式下所有外设静态电流总和，且满足项目功耗目标	全部型号
9	已确认待机（Standby）模式下的整机静态电流上限，符合项目规格要求	全部型号
10	已记录待机（Standby）模式下所有外设静态电流总和，且满足项目功耗目标	全部型号

5.8.6. 时钟¶

表 5.8.6-1：时钟核对表

序号	检查项	适用型号
1	主 48 MHz 晶体为思澈科技（SiFli）合格供应商名录（AVL）中的料号	全部型号
2	若 48 MHz 晶体不在 AVL 清单内，则需满足 7 pF ≤ CL ≤ 12 pF（推荐 8.8 pF）、频率偏差 ≤±10 ppm、ESR ≤30 Ω（推荐 22 Ω）	全部型号
3	32.768 kHz RTC 晶体为 AVL 清单内的料号	全部型号
4	若 32.768 kHz 晶体不在 AVL 清单内，则需满足 CL = 7 pF 或 11.5 pF（推荐 7 pF）、频率偏差 ≤±20 ppm、ESR ≤80 kΩ（推荐 38 kΩ）	全部型号

5.8.7. 存储与启动¶

表 5.8.7-1：存储与启动核对表

序号	检查项	适用型号
1	MPI3 外接 SPI NOR Flash 时：`PA13`（MPI D1）与 `PA17`（MPI D3）均不需要上拉	全部型号
2	MPI3 外接 SPI NAND Flash 时：`PA13`（MPI D1）不需要上拉；`PA17`（MPI D3）需要 7.5 kΩ 上拉	全部型号
3	MPI3 外接 SD NAND Flash 时：`PA13`（SD D3）与 `PA15`（SD CMD）均需要 7.5 kΩ 上拉；`PA17`（SD D1）不需要上拉	全部型号
4	MPI3 外接 eMMC 时：`PA13`（SD D3）、`PA17`（SD D1）与 `PA15`（SD CMD）均需要 7.5 kΩ 上拉	全部型号
5	若封装内存储已占用 MPI3，则 MPI3 的外部扩展仅限连接 SD NAND / eMMC，不得外接 SPI NOR/SPI NAND Flash	全部型号
6	MPI3 外部存储电源控制：SPI NOR Flash 可以常通电；SPI NAND/SD NAND/eMMC 需要电源开关控制；若从外部存储介质启动，则该存储供电应默认上电	全部型号
7	所选外部存储器料号在项目 AVL 清单内	全部型号
8	存储器件的工作电压范围与主芯片的 IO 供电电平匹配	全部型号

5.8.8. 射频¶

表 5.8.8-1：射频核对表

序号	检查项	适用型号	确认（是／否）
1	ANT 信号走线已明确标注单端 50 Ω 特性阻抗设计约束	全部型号
2	信号链路预留 π 型匹配网络，并联位置为 NC（不贴装）电容，串联位置为 15 pF 电容（最终取值以实际硬件调试结果为准）	全部型号

5.8.9. 显示¶

表 5.8.9-1：显示核对表

序号	检查项	适用型号
1	QSPI 接口显示屏优先使用 `PA00`–`PA08` 组内专用的 Function-1 引脚	全部型号
2	RGB 接口显示屏在常规信号速率下可使用任意 GPIO；速率高于 30 MHz 时，引脚限定为 `PA22`–`PA50` 与 `PA52`–`PA54`（仅限 `B1`–`B6`）	全部型号
3	MCU 8080 接口显示屏遵循与 RGB 相同的引脚分配规则；高速场景下限定为 `PA22`–`PA50` 与 `PA52`–`PA54`	全部型号
4	EPD 电子纸显示屏遵循与 RGB 相同的引脚分配规则；高速场景下限定为 `PA22`–`PA50` 与 `PA52`–`PA54`	全部型号
5	显示屏与背光功耗较高，因此应配置电源开关控制电路；除常亮显示（always-on display）设计外，显示屏与背光电源在上电时应默认关闭	全部型号
6	显示屏与触摸器件的工作电压范围与主芯片的 IO 域供电电平匹配	全部型号

5.8.10. 音频¶

表 5.8.10-1：音频核对表

序号	检查项	适用型号
1	MEMS 麦克风的信号、偏置及其他引脚接线符合硬件设计规范	全部型号
2	MEMS 麦克风使用芯片的 `MIC_BIAS` 作为偏置电源	全部型号
3	单端模拟 ECM 麦克风的信号、偏置及其他引脚接线符合硬件设计规范	全部型号
4	单端模拟 ECM 麦克风使用芯片的 `MIC_BIAS` 作为偏置电源	全部型号
5	每路音频 ADC 输入通道均带有至少 2.2 uF 的串联隔直电容	全部型号
6	`DACP`/`DACN` 各在靠近芯片处串联一个 1 kΩ 电阻，并在两信号之间并联一个 1.5 nF 电容	全部型号
7	复用 `ADC1P` 的引脚 `PA55` 在 `ADC1P` 启用时需配置为高阻输入，以避免功能冲突或信号问题	全部型号
8	复用 `ADC2P` 的引脚 `PA10` 在 `ADC2P` 启用时需配置为高阻输入，以避免功能冲突或信号问题	全部型号
9	复用 `MICBIAS` 的引脚 `PA56` 在 `MICBIAS` 启用时需配置为高阻输入，以防止引脚功能冲突导致漏电或电路故障	全部型号

5.8.11. 摄像头¶

表 5.8.11-1：摄像头核对表

序号	检查项	适用型号	确认（是／否）
1	摄像头的信号、电源及其他引脚接线符合硬件设计规范	全部型号
2	每款摄像头模组的核心电源均满足其自身数据手册要求	全部型号

5.8.12. 按键¶

表 5.8.12-1：按键核对表

序号	检查项	适用型号
1	已根据产品方案确认按键是否需要硬件唤醒能力，并完成相应的电路与软件配置	全部型号
2	普通按键上拉电路阻值选取正确，且上拉电压域与 IO 供电域匹配	全部型号
3	电源/复位键使用 `PA34`，配置为高电平有效；支持长按 10 秒硬件复位；10 kΩ 下拉电阻需放置在主板上	全部型号
4	每个按键输入信号均在靠近按键处配备匹配的 ESD 保护器件	全部型号

5.8.13. UART¶

表 5.8.13-1：UART 核对表

序号	检查项	适用型号
1	UART 接线遵循交叉接线规则：MCU 的 RXD 接外设的 TXD，MCU 的 TXD 接外设的 RXD	全部型号
2	MCU 复位期间，`PA35`/`PA36`（复用为 UART）上连接的外部外设需处于掉电状态，或由软件将 `PA35`/`PA36` 拉低，以避免异常电平导致外设误动作	全部型号
3	所接 UART 器件的 IO 工作电压范围与主芯片对应的 IO 域匹配	全部型号

5.8.14. I2C¶

表 5.8.14-1：I2C 核对表

序号	检查项	适用型号
1	SDA 与 SCL 均已上拉（400 kHz 工作时推荐 2.2 kΩ）；上拉电压域取自外设侧供电，以便随外设一同掉电	全部型号
2	已确认 I2C 配套中断引脚是否需要硬件唤醒，并完成相应配置	全部型号
3	加速度计、心率传感器、地磁传感器等 I2C 传感器均支持在一次连续突发读取（burst read）中读出全部寄存器	全部型号
4	共用同一 I2C 总线的各器件从机地址均唯一，无冲突	全部型号

5.8.15. SPI¶

表 5.8.15-1：SPI 核对表

序号	检查项	适用型号
1	SPI 接线遵循交叉接线规则：主机 SDO 接外设 SDI，主机 SDI 接外设 SDO；CLK 与 CS 直接对接	全部型号
2	主机配置的时钟频率、相位与极性与外设器件规格完全匹配	全部型号
3	外设的 IO 工作电压范围与主芯片对应的 IO 域匹配	全部型号

5.8.16. GPADC¶

表 5.8.16-1：GPADC 核对表

序号	检查项	适用型号
1	GPADC 输入信号仅可分配到具备 GPADC 复用能力的 11 个引脚 `PA28`–`PA38`	全部型号
2	输入每路 GPADC 通道的模拟电压均保持在额定的 0 V–3.3 V 范围内	全部型号
3	采用分压方式的采样通道使用 1% 精度电阻；每路 GPADC 输入均在靠近芯片引脚处配备 100 nF 滤波电容	全部型号

5.8.17. USB¶

表 5.8.17-1：USB 核对表

序号	检查项	适用型号
1	USB 差分信号、电源与地引脚接线遵循 USB 硬件设计规范，无错接或短路	全部型号
2	USB 数据线、`VBUS` 及其他关键引脚均配备满足整机 ESD 规格的 ESD 保护器件	全部型号
3	MCU 处于非睡眠状态时，USB 保持使能，以便通过 USB 协议正常识别插拔	全部型号
4	若需在 MCU 睡眠期间检测 USB 插入，应通过 `VBUS` 分压电路将兼容的 IO 电平送至具备硬件唤醒能力的引脚；建议该引脚同时用于充电器插入检测	全部型号
5	复用 `USB_DP` 的引脚 `PA35` 在 `USB_DP` 启用时需配置为高阻输入	全部型号
6	复用 `USB_DM` 的引脚 `PA36` 在 `USB_DM` 启用时需配置为高阻输入	全部型号

5.8.18. 外部硬件唤醒¶

表 5.8.18-1：外部硬件唤醒核对表

序号	检查项	适用型号	确认（是／否）
1	外部硬件唤醒中断仅可使用 `PA33`–`PA42` 范围内的 10 个 GPIO	全部型号

5.8.19. 调试与下载¶

表 5.8.19-1：调试与下载核对表

序号	检查项	适用型号
1	`PA18`（RXD）与 `PA19`（TXD）为默认的 DBG-UART 下载/调试接口；已确认 TXD 与 RXD 使用正确	全部型号
2	`PA43`/`PA44` 为默认的 SWD 调试/下载引脚，已预留可焊接测试点，供编程与调试使用	全部型号
3	`PA00` 为启动模式选择引脚，已预留上拉电阻及对应测试点	全部型号
4	`PA01` 为 SWD 引脚位置切换引脚，已根据产品设计需要预留上拉电阻及测试点	全部型号

5.8.20. EOS 与 ESD¶

表 5.8.20-1：EOS 与 ESD 核对表

序号	检查项	适用型号
1	充电接口配备完整的 EOS 浪涌、ESD 与 OVP 保护器件	全部型号
2	电池接口的电源与信号引脚均配备 ESD 保护器件	全部型号
3	射频天线信号引脚配备专用 ESD 保护器件	全部型号
4	LCD 与触摸屏供电引脚均配备 ESD 保护器件	全部型号
5	触摸屏的 I2C 总线、`RST` 与 `INT` 信号线均配备 ESD 保护器件	全部型号
6	心率传感器模组的供电引脚及各信号传输引脚均配备 ESD 保护器件	全部型号

5.8.21. 产线¶

表 5.8.21-1：产线核对表

序号	检查项	适用型号
1	程序下载/调试测试点已预留 `VBAT` 或 3.3 V、`GND`、`PA18`（`DBG_UART_RXD`）、`PA19`（`DBG_UART_TXD`）、`VSYS`（3.3 V 供电型号不适用）与 `PA34`	电池供电型号
2	每个预留测试点的布局均便于人工探针测试与手工补焊，无遮挡或走线拥挤问题	全部型号
3	治具专用测试点（`VBAT` 或 3.3 V、`GND`、`PA18`、`PA19`、适用时的 `VDD33_VOUT1`、`PA00`、`PA01`、`PA34`）的焊盘尺寸、间距与方向均符合产线治具的探针规格	全部型号

最后更新: 2026-10-21