Руководство по проектированию аппаратуры SF32LB55x — рекомендации по разводке PCB¶
6. Рекомендации по разводке PCB¶
6.1. Посадочный рисунок и структура слоёв¶
Сверяйтесь с чертежом корпуса, требованиями к посадочному рисунку и возможностями монтажа выбранного корпуса QFN или BGA. Для BGA заранее подтвердите возможность трассировки от шариковых выводов (fan-out), стратегию переходных отверстий, правила паяльной маски и производственные ограничения.
6.1.1. Рекомендации по слоям и изготовлению¶
SiFli рекомендует обычный процесс PTH и четырёхслойную плату для QFN68L и BGA145. Для BGA169 в качестве эталонного решения рекомендуется одноэтапный HDI с глухими/скрытыми переходными отверстиями. В показанных примерах четырёх- и шестислойных плат готовая толщина составляет 0,7 mm ±10%. Это примеры конструкции, а не универсальные ограничения. Сверьтесь с чертежом выбранного корпуса и подтвердите готовую толщину и возможности процесса у изготовителя PCB.
| Слой / материал | Расчётная площадь меди | Тип материала | Dk | DF | Теоретическая толщина (mil) | Теоретическая толщина (mm) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Верхняя паяльная маска | - | - | 3.5 | 0.8 | 1 | 0.0254 |
| Медь + металлизация L1 | - | Медь + металлизация | - | - | 0.048 | 0.001219 |
| Препрег | 70% | 2116 | 4.2 | 0.015 | 4.2 | 0.10668 |
| Медь L2 | - | Медь | - | - | 0.07 | 0.001778 |
| Сердцевина | 70% | Не указано на исходном рисунке | 4 | 0.017 | 16.1 | 0.408941 |
| Медь L3 | - | Медь | - | - | 0.07 | 0.001778 |
| Препрег | 70% | 2116 | 4.2 | 0.015 | 4.2 | 0.10668 |
| Медь + металлизация L4 | - | Медь + металлизация | - | - | 0.048 | 0.001219 |
| Нижняя паяльная маска | - | - | 3.5 | 0.8 | 1 | 0.0254 |
| Теоретическая суммарная толщина | - | - | - | - | 26.736 | 0.679096 |
На исходном рисунке указана готовая толщина платы 0,7 mm ±10%, включая металлизацию и паяльную маску. Для толщины меди с металлизацией L1/L4 указано 0,048 mil (0,001219 mm), а для меди L2/L3 — 0,07 mil (0,001778 mm). Эти значения заметно отличаются от обычной записи толщины меди в PCB. Они приведены точно по рисунку и не являются производственными требованиями; до использования получите письменное подтверждение от SiFli и изготовителя платы.
| Слой / материал | Расчётная площадь меди | Тип материала | Dk | DF | Теоретическая толщина (mil) | Теоретическая толщина (mm) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Верхняя паяльная маска | - | - | 3.5 | 0.8 | 0.4 | 0.01016 |
| Медь + металлизация L1 | - | Медь + металлизация | - | - | 1.2 | 0.03048 |
| Препрег | 70% | 1080 | 4.14 | 0.02 | 2.6 | 0.06604 |
| Медь L2 | - | Медь | - | - | 0.7 | 0.01778 |
| Препрег | 70% | 2116 | 4.14 | 0.02 | 4.8 | 0.12192 |
| Медь L3 | - | Медь | - | - | 0.7 | 0.01778 |
| Сердцевина | 70% | FR-4 CORE | 4.43 | 0.017 | 4 | 0.1016 |
| Медь L4 | - | Медь | - | - | 0.7 | 0.01778 |
| Препрег | 70% | 2116 | 4.14 | 0.02 | 4.8 | 0.12192 |
| Медь L5 | - | Медь | - | - | 0.7 | 0.01778 |
| Препрег | 70% | 1080 | 4.14 | 0.02 | 2.6 | 0.06604 |
| Медь + металлизация L6 | - | Медь + металлизация | - | - | 1.2 | 0.03048 |
| Нижняя паяльная маска | - | - | 3.5 | 0.8 | 0.4 | 0.01016 |
| Теоретическая суммарная толщина | - | - | - | - | 24.8 | 0.629921 |
На исходном рисунке указана готовая толщина шестислойной платы HDI 0,7 mm ±10%, включая металлизацию и паяльную маску. Стек, диэлектрические параметры и теоретическая толщина приведены как справочные; перед серийным производством попросите изготовителя проверить их по фактическим материалам, толщине меди и требованиям к импедансу.
6.1.2. Размеры контактных площадок¶
- BGA145/BGA169: диаметр шара 0,25 mm, шаг 0,5 mm; на эталонном посадочном рисунке указаны окно паяльной маски 0,33 mm и отверстие в трафарете 0,25 mm.
- QFN68L: периферийные площадки 0,2 × 0,55 mm с шагом 0,35 mm; на эталонном рисунке указаны окно паяльной маски 0,3 × 0,65 mm и отверстие в трафарете 0,2 × 0,55 mm. Номинальный размер открытой площадки составляет 5,49 × 5,49 mm, диапазон — 5,39–5,59 mm.
Перед выпуском посадочного рисунка проверьте чертёж корпуса и требования сборочного производства к трафарету и паяльной маске.
6.2. Общие правила разводки PCB¶
- Делайте контуры BUCK короткими и широкими; обратный ток должен проходить рядом с контуром переключения.
- Размещайте зоны RF, кварцевого резонатора, GPADC и аудио вдали от импульсных источников питания, тактовых цепей дисплея, двигателей и зарядных устройств.
- Разводите высокоскоростные интерфейсы памяти и дисплея над непрерывной опорной плоскостью GND.
- Размещайте защиту от ESD рядом с разъёмами и прокладывайте сигнальные линии так, чтобы они сначала проходили через защитный компонент.
- Предусмотрите достаточно контрольных точек для питания, загрузки, отладки, RF и производственной калибровки.
6.2.1. Эталонные технологические зазоры¶
Ниже приведены значения с эталонных чертежей правил PTH и шестислойной HDI от SiFli. Они не заменяют актуальные производственные правила изготовителя для выбранной структуры слоёв.
| Правило / зазор | Четырёхслойная PTH (mm) | Шестислойная HDI (mm) |
|---|---|---|
| Ширина дорожки: минимум / рекомендуется | 0.10 / 0.10 | 0.075 / 0.075 |
| Ширина дорожки: максимум | 2.54 | 2.54 |
| Дорожка-дорожка, дорожка-переходное отверстие, отверстие-отверстие | 0.10 | 0.075 |
| Площадка/SMD-дорожка или переходное отверстие | 0.10 | 0.075 |
| Площадка-площадка или SMD-площадка | 0.10 | 0.10 |
| Медь-дорожка, переходное отверстие, площадка или SMD | 0.127 | 0.10 |
| Медь-медь | 0.15 | 0.15 |
| Край платы-дорожка, переходное отверстие, площадка, SMD или медь | 0.25 | 0.20 |
| Сверление-дорожка или переходное отверстие | 0.10 | 0.075 |
| Сверление-площадка, SMD или медь | 0.10 | 0.10 |
| Отверстие-отверстие; корпус компонента-корпус компонента | 0.10 | 0.10 |
В матрице зазоров для одной сети на исходных рисунках значение 0 mm указано только в отдельных ячейках; пустые ячейки не определены. Не считайте, что для неуказанных сочетаний также допустим зазор 0 mm. До выпуска разводки подтвердите все правила у изготовителя платы.
6.2.2. Разводка питания и земли¶
- Размещайте дроссели и конденсаторы DC-DC рядом с выводами. Дорожка BUCK_VSW должна быть короткой и широкой; минимизируйте площадь контура, подключайте землю выходных конденсаторов к плоскости несколькими переходными отверстиями, а ширина дорожки обратной связи BUCK_VOUT должна превышать 0,25 mm. Не размещайте поверхностную медь и посторонние дорожки под дросселем; на соседнем слое должна быть сплошная плоскость земли.
- Размещайте конденсаторы PVDD_PMU1 (вывод 67) рядом с выводом и используйте дорожку шириной не менее 0,3 mm. Конденсаторы LDO/IO также располагайте рядом с соответствующими выводами; ширину дорожек выбирайте по току нагрузки, а чувствительные к пульсациям или устойчивости цепи разводите короткими и широкими дорожками.
- Подключайте открытую площадку QFN напрямую к основной земле несколькими переходными отверстиями, особенно в областях RF и PMU. Для BGA145 и BGA169 шары RF-земли — C12, C13, D12 и E13; подключайте их к основной земле по карте шаров BGA145, карте BGA169 для устройства 1 и карте BGA169 для устройства 2. D2 и B3 являются шарами земли PMU на BGA169; в BGA145 D2 — это PA79, а B3 — BUCK2_VOUT. Не соединяйте отдельные шары земли поверхностной медью.
Уточнение по исходному рисунку: В исходном тексте координата E13 повторяется в перечне шаров RF-земли. На рисунке RF-земли указаны AVSS_TRF на C13, AVSS_RRF на E13, AVSS_BB на C12 и AVSS_VCO на D12. Выше приведены координаты с рисунка; перед разводкой сверьте их с картой шаров выбранного корпуса.
6.2.3. EMI, ESD и защита¶
По возможности прокладывайте тактовые сигналы и шумные цепи питания на внутренних слоях. Размещайте устройства ESD у разъёма так, чтобы каждый сигнал проходил через защиту до входа на плату, без ответвления; используйте короткое широкое соединение с землёй и прямое переходное отверстие к плоскости. Для USB-зарядки контрольную точку располагайте со стороны разъёма относительно TVS. На входе аккумулятора установите TVS между разъёмом и нагрузкой платы, чтобы путь к микросхеме сначала проходил через TVS; соединение TVS с землёй должно быть коротким.
6.3. Разводка интерфейсов¶
Дорожки тактовых сигналов должны быть короткими, экранированными и изолированными от быстрых цифровых сигналов. Для RF необходимо обеспечить волновое сопротивление 50 Ω и компактно разместить согласующую цепь. Длину дорожек памяти и дисплея следует контролировать с учётом скорости сигналов; шины нужно разводить группами. Аудиосигналы и GPADC следует экранировать и удалять от токов переключения.
6.3.1. Размещение и разводка кварцевых резонаторов¶
- Размещайте каждый резонатор внутри экранированной области, на расстоянии более 1 mm от края платы и более 5 mm от источников тепла, таких как PA, зарядное устройство и PMU. Обеспечьте зазор не менее 0,25 mm вокруг резонатора.
- Прокладывайте дорожки резонатора 48 MHz на верхнем слое: длина 3–10 mm, ширина 0,1 mm. Между 48M_XI и 48M_XO оставьте не менее 0,15 mm, как показано в исходной модели разводки; обеспечьте 3D-экранирование с заземлением. Располагайте дорожки вдали от VBAT, DC-DC и высокоскоростных сигналов. В исходном тексте под областью резонатора предписана зона без меди на верхнем и соседнем слоях; посторонние дорожки через неё проводить нельзя.
- Прокладывайте дорожки резонатора 32,768 kHz на верхнем слое: длина не более 10 mm, ширина 0,1 mm. Между XI и XO оставьте не менее 0,15 mm и обеспечьте 3D-экранирование с заземлением. В исходном тексте под областью резонатора предписана зона без меди на верхнем и соседнем слоях; посторонние дорожки через неё проводить нельзя.
6.3.2. RF и высокоскоростные интерфейсы¶
Размещайте согласующую цепь RF рядом с микросхемой, а не у антенны. Конденсатор AVDD_BRF должен находиться рядом с выводом, а его земля — напрямую подключаться к основной земле. Прокладывайте RF на верхнем слое без смены слоя и обеспечьте контролируемый импеданс 50 Ω. В исходном тексте рекомендуется ширина более 10 mil, тогда как исходный контрольный список требует не менее 10 mil. Сохраняйте различие между рекомендацией и обязательным минимумом; окончательную ширину определяйте для получения 50 Ω на выбранном стеке слоёв. Обеспечьте 3D-экранирование с заземлением и stitching-переходные отверстия с обеих сторон; избегайте острых углов и удалите от области RF цепи DC-DC, VBAT, тактовые сигналы и высокоскоростные I2C/SPI/SDIO/I2S/UART.
Разводите MIPI_DSI дифференциальными парами с импедансом 100 Ω и согласуйте длину пар данных с парой тактового сигнала. Согласуйте длины шин OPI PSRAM и LCDC SPI/QSPI. По возможности окружайте тактовые линии и I2C землёй и избегайте длинных параллельных участков с посторонними сигналами.
6.3.3. Разводка аналоговых сигналов¶
Экранируйте дорожки GPADC землёй в трёх измерениях и удаляйте их от шумных цепей измерения напряжения аккумулятора и температуры. Проверьте импеданс делителя и ток утечки с учётом требуемого времени установления.
6.4. Контрольный список проверки разводки PCB¶
Каждая таблица ниже относится к отдельной области проверки разводки PCB. Если столбца «Применяется к» нет, строка относится ко всем вариантам, охваченным исходной рабочей книгой.
6.4.1. Корпус¶
| № | Проверка | Применяется к | Категория |
|---|---|---|---|
| 1 | Посадочный рисунок соответствует спецификации корпуса | Все варианты | Обязательно |
6.4.2. Питание¶
| № | Проверка | Применяется к | Категория |
|---|---|---|---|
| 1 | Ширина дорожки питания VDD1 — не менее 8 mil | Все варианты | Обязательно |
| 2 | Ширина дорожки питания VDD2 — не менее 8 mil | Только 555 | Обязательно |
| 3 | Ширина дорожек BUCK1_VSW и BUCK1_VOUT — не менее 8 mil | Все варианты | Обязательно |
| 4 | Ширина дорожек BUCK2_VSW и BUCK2_VOUT — не менее 8 mil | Только 555 | Обязательно |
| 5 | Ширина дорожки LDOVCC2_VOUT — не менее 8 mil | Только 555 | Необязательно |
| 6 | Ширина дорожки питания AVDD_DSI — не менее 8 mil | Только 555 | Обязательно |
| 7 | Ширина дорожки питания VDD_SIP — не менее 6 mil | Все варианты | Обязательно |
| 8 | Ширина дорожки питания VDDIOA — не менее 10 mil | Все варианты | Обязательно |
| 9 | Ширина дорожки питания VDDIOB — не менее 10 mil | Все варианты | Обязательно |
6.4.3. Размещение конденсаторов и дросселей цепи питания¶
| № | Проверка | Применяется к | Категория |
|---|---|---|---|
| 1 | Разместите конденсатор VDD1 рядом с выводом | Все варианты | Обязательно |
| 2 | Разместите конденсатор VDD2 рядом с выводом | Только 555 | Обязательно |
| 3 | Разместите дроссель BUCK1 рядом с микросхемой | Все варианты | Обязательно |
| 4 | Разместите конденсатор BUCK1 как можно ближе к выводу микросхемы | Все варианты | Обязательно |
| 5 | Разместите дроссель BUCK2 рядом с микросхемой | Только 555 | Обязательно |
| 6 | Разместите конденсатор 0,1 µF цепи AVDD_DSI рядом с выводом | Только 555 | Обязательно |
| 7 | Разместите конденсатор LDO_VOUT1 рядом с выводом | Все варианты | Обязательно |
| 8 | Разместите конденсатор LDO_VOUT2 рядом с выводом | Все варианты | Обязательно |
| 9 | Разместите конденсатор VDD_RET рядом с выводом | Все варианты | Обязательно |
| 10 | Разместите конденсатор VDD_RTC рядом с выводом | Все варианты | Обязательно |
| 11 | Разместите конденсатор VDD_SIP рядом с выводом | Все варианты | Обязательно |
| 12 | Разместите конденсатор AVDD33 рядом с выводом | Все варианты | Обязательно |
| 13 | Разместите конденсатор AVDD_BRF рядом с выводом | Все варианты | Обязательно |
| 14 | Разместите конденсатор VDDIOA рядом с выводом | Все варианты | Обязательно |
| 15 | Разместите конденсатор VDDIOB рядом с выводом | Все варианты | Обязательно |
6.4.4. Тактирование¶
| № | Проверка | Применяется к | Категория |
|---|---|---|---|
| 1 | Разместите кварцевый резонатор рядом с микросхемой | Все варианты | Обязательно |
| 2 | Организуйте экран GND вокруг кварцевого резонатора | Все варианты | Обязательно |
| 3 | Контрольный список требует зоны без меди под кварцевым резонатором: на верхнем слое 4-слойной платы и, при необходимости, также на слоях 2 и 3 | Все варианты | Обязательно |
| 4 | Зазор между дорожками кварцевого резонатора и защитной медью GND должен превышать 3 ширины дорожки | Все варианты | Обязательно |
| 5 | Не прокладывайте сигнал кварцевого резонатора 32 kHz параллельно BUCK1; разместите между ними GND | Все варианты | Обязательно |
Уточнение по исходным материалам: Исходный текст требует зону без меди под областью резонатора на верхнем и соседнем слоях; контрольный список указывает верхний слой 4-слойной платы, а при необходимости — также слои 2 и 3. При этом модель разводки 48 MHz и модель 32,768 kHz показывают плоскость GND на L2 под дорожками XI/XO. В источнике не уточняется, относится ли запрет меди только к области корпуса резонатора или также к области трассировки, и как соотносятся требования к слоям. До выпуска платы подтвердите у SiFli требуемую зону без меди; не делайте предположений.
6.4.5. Кнопки¶
| № | Проверка | Применяется к | Категория |
|---|---|---|---|
| 1 | Разместите защитный компонент ESD кнопки рядом с самой кнопкой | Все варианты | Обязательно |
6.4.6. RF¶
| № | Проверка | Применяется к | Категория |
|---|---|---|---|
| 1 | Дорожка RF должна соответствовать требованию к волновому сопротивлению 50 Ω для несимметричной линии | Все варианты | Обязательно |
| 2 | Ширина дорожки RF — не менее 10 mil | Все варианты | Обязательно |
| 3 | Предусмотрите с обеих сторон дорожки RF полосы меди GND шириной не менее 60 mil и соедините их достаточным количеством переходных отверстий с основной плоскостью GND | Все варианты | Обязательно |
| 4 | Предусмотрите место для согласующей цепи антенны типа π и разместите её рядом с микросхемой | Все варианты | Обязательно |
| 5 | Под сигналом RF должна проходить непрерывная плоскость GND | Все варианты | Обязательно |
| 6 | Не прокладывайте под сигналом RF дорожки высокоскоростных цифровых сигналов | Все варианты | Обязательно |
| 7 | Не прокладывайте под сигналом RF дорожки питания с высоким di/dt | Все варианты | Обязательно |
6.4.7. Высокоскоростные сигналы¶
| № | Проверка | Применяется к | Категория |
|---|---|---|---|
| 1 | Дифференциальные сигналы DSI должны соответствовать требованию к дифференциальному волновому сопротивлению 100 Ω | Только 555 | Обязательно |
| 2 | Разница длин дифференциальных пар данных DSI и дифференциальной пары тактового сигнала не должна превышать 200 mil | Только 555 | Обязательно |
| 3 | По возможности разводите сигналы DSI на одном слое | Только 555 | Обязательно |
| 4 | Разница длин дорожек сигналов OPI PSRAM не должна превышать 200 mil | Только 555 | Необязательно |
6.4.8. ADC¶
| № | Проверка | Применяется к | Категория |
|---|---|---|---|
| 1 | Не прокладывайте быстро переключающиеся сигналы параллельно сигналу GPADC без надлежащей защиты (экранирования) | Все варианты | Обязательно |
| 2 | Резисторы делителя напряжения аккумулятора размещены рядом с входным выводом микросхемы | Все варианты | Обязательно |
| 3 | Сигнал измерения напряжения аккумулятора необходимо снимать с разъёма аккумулятора и защищать заземлённой охранной дорожкой | Все варианты | Обязательно |
| 4 | Не прокладывайте быстро переключающиеся сигналы параллельно сигналу SDMADC без надлежащей защиты (экранирования) | Только 555 | Необязательно |
6.4.9. Контрольные точки¶
| № | Проверка | Применяется к | Категория |
|---|---|---|---|
| 1 | Расположение контрольных точек позволяет подключить измерительный щуп или припаять их к тестовой оснастке | Все варианты | Обязательно |
| 2 | Контрольные площадки для загрузки программы и калибровки кварцевого резонатора (VBAT, GND, SWDCLK, SWDIO, MODE, RSTN, VDDIOA, UART3_TXD, UART3_RXD и др.) должны иметь диаметр не менее 0,8 mm и располагаться с шагом 2 mm; вокруг них должна быть свободная от компонентов зона 2 mm | Все варианты | Обязательно |
6.4.10. Заземление¶
| № | Проверка | Применяется к | Категория |
|---|---|---|---|
| 1 | На слоях, соседних с основным чипом, предусмотрена сплошная плоскость основной земли с достаточным количеством заземляющих переходных отверстий | Все варианты | Обязательно |
| 2 | Открытая контактная площадка (EPAD) соединена с основной землёй переходными отверстиями | Все варианты | Обязательно |
| 3 | Под чипом размещено достаточное количество заземляющих переходных отверстий, соединённых с основной плоскостью земли | Все варианты | Обязательно |
| 4 | По периметру платы расположен кольцевой ряд заземляющих переходных отверстий | Все варианты | Обязательно |
Последнее обновление: