Руководство по проектированию аппаратуры SF32LB56x — рекомендации по разводке PCB¶

6. Рекомендации по разводке PCB¶

6.1. Посадочный рисунок и структура слоёв¶

Вариант U использует 68-выводный корпус QFN68L размером 7 × 7 × 0,75 mm с шагом выводов 0,35 mm. Для QFN допустимы сквозные переходные отверстия (PTH); SiFli рекомендует четырёхслойную структуру с PTH и выводом всех контактов на верхний слой. Вариант V использует корпус WBBGA на 175 шариков размером 6,5 × 6,1 × 0,94 mm с шагом 0,4 mm и диаметром шарика 0,25 mm. PTH не поддерживается, требуется HDI. Выведите два внешних ряда шариков на верхний слой, остальные — на внутренние. До выпуска разводки убедитесь, что изготовитель PCB поддерживает выбранную структуру слоёв, паяльную маску и стратегию fan-out.

6.2. Критичные цепи и их разводка¶

6.2.1. Разводка тактовых цепей¶

Размещайте кварцы внутри экрана, на расстоянии более 1 mm от края платы и, по возможности, не менее 5 mm от нагревающихся компонентов, таких как PA, зарядное устройство и PMU. Не размещайте другие металлические объекты и компоненты ближе 0,25 mm к цепи кварца. По возможности разводите кварц 48 MHz на верхнем слое; длина дорожек должна составлять 3–10 mm, ширина — 0,075 mm, предусмотрите 3D-экранирование с подключением к GND. Удалите дорожки от VBAT, DC-DC и высокоскоростных сигналов. Разводите кварц 32,768 kHz на верхнем слое; длина не должна превышать 10 mm, ширина должна составлять 0,075 mm, а расстояние между 32K_XI и 32K_XO — не менее 0,15 mm. Освободите верхний и соседний слои под обеими зонами кварцев; другие дорожки не должны пересекать эти зоны.

6.2.2. Разводка RF¶

Разводите RF как однотактную линию с контролируемым сопротивлением 50 Ω, по возможности шириной более 10 mil и на верхнем слое; избегайте переходных отверстий и острых углов. Размещайте цепь согласования рядом с микросхемой, а не антенной. Установите фильтрующий конденсатор AVDD_BRF рядом с выводом микросхемы и подключите его GND непосредственно к основной земле через переходное отверстие. Обеспечьте непрерывное экранирование GND: вдоль обеих сторон RF-дорожки разместите сшивающие переходные отверстия. Не размещайте в RF-зоне и под ней силовые цепи с высоким di/dt, высокоскоростные тактовые сигналы и линии I2C, SPI, SDIO, I2S и UART. Надёжно подключите к основной земле AVSS_RF1/2/3 у варианта U и AVSS_RRF, AVSS_TRF, AVSS_TRF2 и AVSS_BB у варианта V.

6.2.3. Питание и земля¶

Размещайте дроссель BUCK и фильтрующие конденсаторы рядом с выводами микросхемы. Дорожка BUCK_LX должна быть короткой и широкой; ширина BUCK_FB должна составлять не менее 0,25 mm. Не заливайте медью верхний слой под дросселем; на соседнем слое оставьте сплошную землю и не проводите другие цепи через область дросселя. Подключите земли выходных конденсаторов BUCK к основной плоскости несколькими переходными отверстиями. Разместите конденсатор PVDD рядом с выводом и проложите PVDD короткой широкой дорожкой; подключите PVSS к основной земле через переходные отверстия. Разместите развязывающие конденсаторы LDO и I/O рядом с выводами и выберите ширину дорожек питания с учётом тока нагрузки.

6.2.4. Аудио и аналоговые сигналы¶

Подавайте питание на AVDD33_ANA и AVDD33_AUD отдельными звездными цепями, ограждайте дорожки земляными защитными проводниками и удаляйте их от источников сильных токовых помех. Размещайте фильтрующие конденсаторы AVDD33_AUD, MIC_BIAS и AUD_VREF рядом с соответствующими выводами и подключайте их землю непосредственно к основной земле. Разводите ADCP/ADCN короткой дифференциальной парой с земляными защитными дорожками; связанные компоненты располагайте рядом с микросхемой. Разводите DACP/DACN дифференциальной парой с паразитной ёмкостью менее 10 pF и длиной менее 2 cm, вдали от сильных помех. Экранируйте линии GPADC землёй и удаляйте их от шумных линий измерения напряжения аккумулятора и температуры.

6.2.5. USB и SDIO¶

Разводите USB D+/D− (PA17/PA18) как дифференциальную пару 90 Ω с земляными защитными дорожками. Установите ESD-компоненты рядом с разъёмом и пропускайте сигналы через них до подключения к микросхеме; не делайте ответвлений до защитного компонента. Подключите землю компонента к основной земле короткими широкими дорожками и переходными отверстиями. У варианта U один интерфейс SDIO; у варианта V — SDIO1 и SDIO2. Разводите сигналы SDIO группой: общая длина не более 50 mm, разброс длины внутри группы не более 6 mm. Экранируйте тактовую линию землёй, предусмотрите земляные защитные дорожки также для DATA и CMD.

6.2.6. EMI, ESD и контрольные точки¶

Не прокладывайте длинные участки шумных тактовых и силовых цепей по верхнему слою вне экрана; по возможности используйте внутренние слои. Размещайте TVS/ESD-компоненты рядом с соответствующими разъёмами. Каждый сигнал сначала должен пройти через защитный компонент, затем подключите его контакт GND к основной земле короткими широкими дорожками и переходными отверстиями. Разместите контрольную точку кабеля USB-зарядки перед его TVS; TVS разъёма аккумулятора установите перед батарейной платформой, чтобы внешние линии проходили через TVS до подключения к микросхеме. Обеспечьте надёжное соединение сети GND под микросхемой с основной плоскостью земли глухими/скрытыми переходными отверстиями.

6.3. Контрольный список проверки разводки PCB¶

Каждая таблица ниже относится к отдельной области проверки разводки PCB. Если в таблице нет столбца «Применяется к», строка относится ко всем вариантам, охваченным исходной рабочей книгой.

6.3.1. Корпус¶

6.3.2. Питание¶

6.3.3. Размещение конденсаторов и дросселя цепи питания¶

6.3.4. Тактирование¶

6.3.5. Кнопки¶

6.3.6. RF¶

6.3.7. Аудио¶

6.3.8. ADC¶

6.3.9. Контрольные точки¶

6.3.10. GND¶

Последнее обновление: 2026-10-12