Перейти к содержанию

Руководство по аппаратной разработке SF32LB58-MOD

1. Обзор

SF32LB58-MOD — универсальный Bluetooth MCU-модуль с низким энергопотреблением на базе чипа SiFli SF32LB586VDD36. В чипе установлен трёхъядерный процессор Arm Cortex-M33 STAR-MC1 с частотой до 240 MHz. Модуль оснащён кварцевым резонатором 48 MHz; резонатор 32,768 kHz устанавливается опционально. В зависимости от кода заказа модуль также комплектуется HPI-PSRAM, Flash QSPI-NOR/NAND или памятью eMMC. Это модуль для поверхностного монтажа на 138 выводов, размером 24 × 24 × 3,1 mm.

Руководство описывает аппаратную интеграцию на уровне модуля: назначение выводов, интерфейсы периферии, электрические характеристики, требования к питанию, эталонные схемы, контрольный список проверки схемы, механические размеры и посадочное место PCB, а также требования к обращению с изделием. В качестве источника использован даташит SiFli DS5802-SF32LB58-MOD V0.1.

Подробное описание архитектуры чипа (ядер, графики, подсистемы памяти и периферии) см. в документах SF32LB58x и Руководство по аппаратной разработке SF32LB58x.

Источник данных и оформление рисунков

Технические данные модуля приведены по даташиту DS5802-SF32LB58-MOD V0.1. Некоторые схемы выводов, электрические схемы и механические чертежи в даташите представлены растровыми изображениями; здесь на них даны ссылки, а не перерисованные варианты. Нумерация рисунков и таблиц соответствует этому руководству; в подписях к невоспроизведённым схемам указаны номера рисунков из официального даташита.

2. Краткая сводка по проектированию

2.1 Варианты модуля

Таблица 2.1-1. Варианты модуля
Код модуля Flash PSRAM Стандартная флеш-память Температура Размеры (mm)
SF32LB58-MOD-N16R32N1 16 MB QSPI-NOR 16+16 MB HPI-PSRAM 1 MB QSPI-NOR -40~85 °C 24 × 24 × 3,1
SF32LB58-MOD-A128R32N1 128 MB QSPI-NAND 16+16 MB HPI-PSRAM 1 MB QSPI-NOR -40~85 °C 24 × 24 × 3,1
SF32LB58-MOD-E4R32N1 4 GB eMMC 16+16 MB HPI-PSRAM 1 MB QSPI-NOR -40~85 °C 24 × 24 × 3,1

2.2 Основные характеристики

Таблица 2.2-1. Основные характеристики
Параметр Спецификация
Прикладные ядра (HCPU/ACPU) 2× Arm Cortex-M33 STAR-MC1, до 240 MHz
Энергоэффективное ядро (LCPU) Arm Cortex-M33 STAR-MC1, до 96 MHz
SRAM 2176 KB (HCPU) + 512 KB (ACPU) + 1056 KB retention SRAM (LCPU)
Беспроводная связь Двухрежимный Bluetooth 5.3 с обратной совместимостью с 4.2/4.1/4.0; поддерживаются BLE и Bluetooth Classic
Графика ePicasso 2.0 + Vivante GCNanoUltraV, разрешение до 1024×1024, eZip 2.0, аппаратный JPEG-кодек
Аудио 2× 24-разрядный аудио-ЦАП (DAC) и 2× 24-разрядный аудио-АЦП Sigma-Delta (ADC)
Память 5× MPI (в корпусе и внешние), 2× SD/SDIO/eMMC
Корпус 138 выводов, 24 × 24 × 3,1 mm
Питание VDD_3V3 (2,97–3,6 V), VDD_1V8 (1,7–1,95 V), VDDIOA/VDDIOA2/VDDIOB (1,7–3,6 V)
Антенна Внешняя антенна подключается через RF-вывод типа stamp-hole или совместимый с IPEX разъём, в зависимости от модели
Рабочая температура от -40 до 85 °C

3. Функциональная блок-схема

В модуле установлены чип SF32LB586VDD36, кварцевый резонатор 48 MHz, дополнительный резонатор 32,768 kHz (опционально) и, в зависимости от SKU, HPI-PSRAM, Flash QSPI-NOR/NAND или eMMC в корпусе; также предусмотрены RF-цепь согласования и подключение антенны.

Рисунок 3-1. Функциональная блок-схема

См. рисунок 2-1 в официальном даташите; в этом руководстве он не воспроизведён.

4. Назначение выводов

4.1 Схема расположения выводов

По периметру модуля расположено 138 выводов.

Рисунок 4-1. Схема расположения выводов, вид сверху

См. рисунок 3-1 в официальном даташите; в этом руководстве он не воспроизведён.

4.2 Таблица назначений выводов

В таблице ниже приведены все 138 выводов модуля.

Таблица 4.2-1. Назначение выводов
Имя № Тип MUX по умолчанию I/O по умолчанию Функция
VDDIOB 1 P 1,8/3,3 V P Питание интерфейса ввода-вывода PB
PB36 2 I/O/T USART4_RXD I GPIO_B36, USART4_RXD, GPTIM3_CH1, #GPADC_CH4
PB37 3 I/O/T USART4_TXD O GPIO_B37, USART4_TXD, GPTIM3_CH2, #GPADC_CH5
PB54 4 I/O/T GPIO_B54 I GPIO_B54, #WKUP_PIN0
PA75 5 I/O/T GPIO_A75 I/O GPIO_A75, SD2_DIO1, SPI2_DI
PA76 6 I/O/T GPIO_A76 I/O GPIO_A76, SD2_DIO0, SPI2_DO
PA77 7 I/O/T GPIO_A77 I/O GPIO_A77, SD2_CLK, SPI2_CLK
PA70 8 I/O/T GPIO_A70 I/O GPIO_A70, SD2_CMD, SPI2_CS
PA81 9 I/O/T GPIO_A81 I/O GPIO_A81, SD2_DIO3
PA79 10 I/O/T GPIO_A79 I/O GPIO_A79, SD2_DIO2
BOOT_MODE 11 I BOOT_MODE I 1: режим загрузки; 0: пользовательский режим
RSTN 12 I RSTN I 1: пользовательский режим; 0: режим сброса
VDD_1V8 13 P 1,8 V P Входное питание основного MCU и памяти в корпусе
GND 14 P Земля P Земля
VDDIOA 15 P 1,8/3,3 V P Питание интерфейса ввода-вывода PA, кроме PA00–PA11
VDD_3V3 16 P 3,3 V P Аналоговое питание MCU
PA13 17 I/O/T GPIO_A13 O GPIO_A13, GPTIM1_CH2, ATIM1_BKIN, LCDC1_DPI_DE
PA15 18 I/O/T GPIO_A15 O GPIO_A15, GPTIM1_CH3, ATIM1_BKIN2, LCDC1_DPI_VSYNC
PA14 19 I/O/T GPIO_A14 O GPIO_A14, I2S1_LRCK, LCDC1_DPI_HSYNC
PA12 20 I/O/T GPIO_A12 O GPIO_A12, GPTIM1_CH1, ATIM1_CH4, LCDC1_DPI_CLK
PA67 21 I/O/T GPIO_A67 O GPIO_A67, #WKUP_PIN9, GPTIM2_CH3, ATIM1_CH1N, LCDC1_DPI_B7, LCDC1_JDI_B2
PA65 22 I/O/T GPIO_A65 O GPIO_A65, #WKUP_PIN7, GPTIM2_CH2, ATIM1_CH1, LCDC1_DPI_B6, LCDC1_JDI_B1
PA63 23 I/O/T GPIO_A63 O GPIO_A63, I2C2_SDA, USART1_CTS, #GPCOMP_N, LCDC1_DPI_B5
PA62 24 I/O/T GPIO_A62 O GPIO_A62, I2C2_SCL, USART1_RTS, #GPCOMP_P, LCDC1_DPI_B4
PA61 25 I/O/T GPIO_A61 I GPIO_A61, SPI1_CS, USART2_TXD, LCDC1_DPI_B3
PA58 26 I/O/T GPIO_A58 I GPIO_A58, LPTIM1_ETR, GPTIM2_CH1, ATIM2_ETR, LCDC1_8080_DIO7, LCDC1_DPI_B2
PA57 27 I/O/T GPIO_A57 I GPIO_A57, SPI1_DI, USART2_RXD, LCDC1_DPI_B1
PA56 28 I/O/T GPIO_A56 I GPIO_A56, SPI1_CLK, USART2_CTS, LCDC1_DPI_B0
PA55 29 I/O/T GPIO_A55 O GPIO_A55, GPTIM1_CH4, ATIM2_BKIN2, LCDC1_DPI_G7
PA54 30 I/O/T GPIO_A54 O GPIO_A54, SPI1_DO, SPI1_DIO, USART2_RTS, LCDC1_DPI_G6
PA53 31 I/O/T GPIO_A53 I/O GPIO_A53, LCDC1_DPI_G5
PA50 32 I/O/T GPIO_A50 O GPIO_A50, MPI3_DIO0, LCDC1_8080_RD, LCDC1_SPI_DIO0, LCDC1_DPI_G4, LCDC1_JDI_G2
PA48 33 I/O/T GPIO_A48 O GPIO_A48, MPI3_DIO1, LCDC1_8080_DC, LCDC1_SPI_DIO1, LCDC1_DPI_G3, LCDC1_JDI_G1
PA47 34 I/O/T GPIO_A47 O GPIO_A47, MPI3_DIO2, LCDC1_8080_DIO0, LCDC1_SPI_DIO2, LCDC1_DPI_G2, LCDC1_JDI_R2
PA46 35 I/O/T GPIO_A46 O GPIO_A46, MPI3_CLK, LCDC1_8080_WR, LCDC1_SPI_CLK, LCDC1_DPI_G1, LCDC1_JDI_R1
PA45 36 I/O/T GPIO_A45 O GPIO_A45, MPI3_DIO3, LCDC1_8080_DIO1, LCDC1_SPI_DIO3, LCDC1_DPI_G0, LCDC1_JDI_ENB
PA44 37 I/O/T GPIO_A44 O GPIO_A44, MPI3_CS, LCDC1_8080_CS, LCDC1_SPI_CS, LCDC1_DPI_R7, LCDC1_JDI_HST
PA43 38 I/O/T GPIO_A43 I/O GPIO_A43, LCDC1_8080_TE, LCDC1_SPI_TE, LCDC1_DPI_R6, LCDC1_JDI_HCK
PA27 39 I/O/T GPIO_A27 I/O GPIO_A27, SCI_DIO, GPTIM2_CH3, ATIM2_CH2N, LCDC1_8080_DIO3, LCDC1_DPI_R5, LCDC1_JDI_XRST
PA26 40 I/O/T GPIO_A26 O GPIO_A26, SCI_CLK, GPTIM2_CH2, ATIM2_CH2, LCDC1_8080_DIO2, LCDC1_DPI_R4
PA25 41 I/O/T GPIO_A25 O GPIO_A25, PDM2_CLK, SD1_CLKIN, GPTIM2_CH1, ATIM2_CH1N, LCDC1_DPI_R3, LCDC1_JDI_XRST
PA24 42 I/O/T GPIO_A24 O GPIO_A24, LCDC1_8080_RSTB, LCDC1_SPI_RSTB, LCDC1_DPI_R2
PA23 43 I/O/T GPIO_A23 O GPIO_A23, PDM1_CLK, I2S1_BCK, USART2_CTS, I2C2_SDA, LCDC1_DPI_R1
PA22 44 I/O/T GPIO_A22 O GPIO_A22, PDM2_DATA, GPTIM1_ETR, ATIM2_CH1, LCDC1_DPI_R0, LCDC1_JDI_VST
VDDIOA2 45 P 1,8/3,3 V P Питание ввода-вывода PA00–PA11
GND 46 P Земля P Земля
DSI_D0N 47 O DSI_D0N O Линия данных 0 MIPI DSI, отрицательный вывод
DSI_D0P 48 O DSI_D0P P Линия данных 0 MIPI DSI, положительный вывод
DSI_CLKN 49 O DSI_CLKN P Тактовая линия MIPI DSI, отрицательный вывод
DSI_CLKP 50 O DSI_CLKP P Тактовая линия MIPI DSI, положительный вывод
DSI_D1N 51 O DSI_D1N P Линия данных 1 MIPI DSI, отрицательный вывод
DSI_D1P 52 O DSI_D1P P Линия данных 1 MIPI DSI, положительный вывод
PA32 53 I/O/T USART1_RXD I GPIO_A32, USART1_RXD, I2C3_SDA
PA31 54 I/O/T USART1_TXD O GPIO_A31, USART1_TXD, I2C3_SCL
USB2_DN 55 I/O USB2_DN I/O Дифференциальный сигнал USB, отрицательный вывод
USB2_DP 56 I/O USB2_DP I/O Дифференциальный сигнал USB, положительный вывод
PA17 57 I/O/T GPIO_A17 I/O GPIO_A17, I2C1_SCL, USART2_RXD
PA16 58 I/O/T GPIO_A16 I/O GPIO_A16, I2C1_SDA, USART2_TXD
PA00 59 I/O/T GPIO_A00 I/O GPIO_A00, SD1_DIO7, CAN1_TXD, I2C1_SCL, ATIM1_CH1, USART3_RXD
PA03 60 I/O/T GPIO_A03 I/O GPIO_A03, SD1_DIO5, CAN1_RXD, I2C1_SDA, ATIM1_CH2, USART3_TXD
PB17 61 I/O/T GPIO_B17 I/O GPIO_B17, USART5_RXD, SPI3_CLK
PB18 62 I/O/T GPIO_B18 I/O GPIO_B18, USART5_TXD, SPI3_DI
PB11 63 I/O/T SWDIO I/O SWDIO, GPIO_B11, USART4_TXD, GPTIM5_CH4
PB07 64 I/O/T SWCLK O SWCLK, GPIO_B07, USART4_RXD, GPTIM4_CH4
GND 65 P Земля P Земля
AU_DAC1N_OUT 66 AO AU_DAC1N_OUT AO Отрицательный дифференциальный выход аудио DAC1
AU_DAC1P_OUT 67 AO AU_DAC1P_OUT AO Положительный дифференциальный выход аудио DAC1
MIC_BIAS 68 P MIC_BIAS P Напряжение смещения микрофона
AU_ADC1N_IN 69 AI AU_ADC1N_IN AI Отрицательный дифференциальный вход аудио ADC1
AU_ADC1P_IN 70 AI AU_ADC1P_IN AI Положительный дифференциальный вход аудио ADC1
GND 71 P Земля P Земля
BT_ANT 72 I/O BT_ANT I/O Вход/выход радиочастотного сигнала Bluetooth
PB51 73 I/O/T GPIO_B51 I/O GPIO_B51, PMIC_SDA, USART4_CTS, USART5_CTS, LPCOMP1_OUT
PB52 74 I/O/T GPIO_B52 I/O GPIO_B52, PMIC_SCLK, USART4_RTS, USART5_RTS, LPCOMP2_OUT
PB56 75 I/O/T GPIO_B56 I/O GPIO_B56, USART4_CTS, SPI3_CLK, #WKUP_PIN2
PB57 76 I/O/T GPIO_B57 I/O GPIO_B57, USART4_RTS, SPI3_DO, SPI3_DIO, #WKUP_PIN3
PB58 77 I/O/T GPIO_B58 I/O GPIO_B58, USART6_RXD, SPI3_DI, #WKUP_PIN4
PB59 78 I/O/T GPIO_B59 I/O GPIO_B59, USART6_TXD, SPI3_CS, #WKUP_PIN5
PA93 79 I/O/T GPIO_A93 I/O GPIO_A93, I2C3_SDA, USART3_TXD, USART3_RTS
PA92 80 I/O/T GPIO_A92 I/O GPIO_A92, I2C3_SCL, USART3_RXD, USART3_CTS
PA91 81 I/O/T GPIO_A91 I/O GPIO_A91, I2S2_BCK, GPTIM1_ETR, ATIM2_CH2N, LCDC1_SPI_DIO0, LCDC1_8080_RD, LCDC1_JDI_EXTCOMIN
PA90 82 I/O/T GPIO_A90 I/O GPIO_A90, I2S2_MCLK, GPTIM1_CH4, ATIM2_CH2, LCDC1_SPI_CLK, LCDC1_8080_WR, LCDC1_JDI_DISP
PA88 83 I/O/T GPIO_A88 I/O GPIO_A88, LCDC1_SPI_CS, LCDC1_8080_CS
PA86 84 I/O/T GPIO_A86 I/O GPIO_A86, I2S2_SDI, GPTIM1_CH3, ATIM2_CH1N, LCDC1_SPI_DIO3, LCDC1_8080_DIO1, LCDC1_JDI_SO
PA84 85 I/O/T GPIO_A84 I/O GPIO_A84, I2S2_LRCK, GPTIM1_CH2, ATIM2_CH1, LCDC1_SPI_DIO2, LCDC1_8080_DIO0, LCDC1_JDI_SCLK
PA82 86 I/O/T GPIO_A82 I/O GPIO_A82, I2S2_SDO, GPTIM1_CH1, ATIM1_CH3N, LCDC1_SPI_DIO1, LCDC1_8080_DC, LCDC1_JDI_SCS
PA60 87 I/O/T GPIO_A60 I/O GPIO_A60, I2C4_SCL, USART1_RXD, USART3_CTS
PA59 88 I/O/T GPIO_A59 I/O GPIO_A59, I2C4_SDA, USART1_TXD, USART3_RTS
PA52 89 I/O/T SWDIO I/O SWDIO, GPIO_A52, GPTIM1_CH3, ATIM2_BKIN, LCDC1_8080_DIO6
PA51 90 I/O/T SWCLK O SWCLK, GPIO_A51, GPTIM1_CH2, ATIM2_CH4, LCDC1_8080_DIO5
PA42 91 I/O/T GPIO_A42 I/O GPIO_A42, GPTIM2_CH4, ATIM2_CH3, LCDC1_8080_DIO4
PA20 92 I/O/T GPIO_A20 I/O GPIO_A20, USART3_RXD, SPI1_DI, USART2_CTS
PA21 93 I/O/T GPIO_A21 I/O GPIO_A21, USART3_TXD, SPI1_DO, USART2_RTS
PA29 94 I/O/T GPIO_A29 I/O GPIO_A29, USART2_RXD, SPI1_CS, I2C2_SDA
PA28 95 I/O/T GPIO_A28 I/O GPIO_A28, USART2_TXD, SPI1_CLK, I2C2_SCL
PA18 96 I/O/T GPIO_A18 I/O GPIO_A18, PDM1_DATA, I2S1_SDI, USART2_RTS, I2C2_SCL, LCDC1_DPI_SD
PA02 97 I/O/T GPIO_A02 I/O GPIO_A02, SD1_CLKIN, CAN2_RXD, ATIM1_CH1N, USART3_RXD
PA11 98 I/O/T GPIO_A11 I/O GPIO_A11, SCI_RST, CAN2_TXD, I2C1_SDA, ATIM1_CH3N, USART3_TXD
PA08 99 I/O/T GPIO_A08 I/O GPIO_A08, SD1_DIO6, SCI_DIO, USART2_RXD, ATIM1_CH3
PA07 100 I/O/T GPIO_A07 I/O GPIO_A07, SD1_DIO4, SCI_CLK, USART2_TXD, ATIM1_CH2N
PA10 101 I/O/T GPIO_A10 I/O GPIO_A10, SD1_CMD, MPI4_CS
PA09 102 I/O/T GPIO_A09 I/O GPIO_A09, SD1_CLK, MPI4_CLK
PA06 103 I/O/T GPIO_A06 I/O GPIO_A06, SD1_DIO3, MPI4_DIO3
PA04 104 I/O/T GPIO_A04 I/O GPIO_A04, SD1_DIO1, MPI4_DIO1
PA05 105 I/O/T GPIO_A05 I/O GPIO_A05, SD1_DIO0, MPI4_DIO0
PA01 106 I/O/T GPIO_A01 I/O GPIO_A01, SD1_DIO2, MPI4_DIO2
PB10 107 I/O/T GPIO_B10 I/O GPIO_B10, LCDC2_JDI_HST, LCDC2_SPI_CLK, USART6_RXD, GPTIM5_CH3
PB09 108 I/O/T GPIO_B09 I/O GPIO_B09, LCDC2_JDI_R1, LCDC2_SPI_DIO0, USART6_TXD, GPTIM5_CH2, WLAN_ACTIVE
PB08 109 I/O/T GPIO_B08 I/O GPIO_B08, LCDC2_JDI_G1, LCDC2_SPI_CS, GPTIM5_CH1, BT_ACTIVE
PB06 110 I/O/T GPIO_B06 I/O GPIO_B06, LCDC2_JDI_R2, LCDC2_SPI_DIO3, LCDC2_JDI_SO, GPTIM4_CH3, USART6_CTS
PB04 111 I/O/T GPIO_B04 I/O GPIO_B04, LCDC2_JDI_G2, LCDC2_SPI_DIO2, LCDC2_JDI_DISP, GPTIM4_CH1, USART4_CTS
PB03 112 I/O/T GPIO_B03 I/O GPIO_B03, LCDC2_JDI_B2, LCDC2_SPI_DIO1, LCDC2_JDI_SCS, GPTIM3_CH4, USART4_RTS
PB02 113 I/O/T GPIO_B02 I/O GPIO_B02, LCDC2_JDI_B1, LCDC2_SPI_TE, LCDC2_JDI_SCLK, GPTIM3_CH3
PB01 114 I/O/T GPIO_B01 I/O GPIO_B01, I2C7_SCL, USART6_TXD, GPTIM3_CH2, LPTIM3_OUT
PB00 115 I/O/T GPIO_B00 I/O GPIO_B00, I2C7_SDA, USART6_RXD, GPTIM3_CH1, LPTIM3_IN
PB23 116 I/O/T GPIO_B23 I/O GPIO_B23, USART5_CTS, SPI3_DO, SPI3_DIO, GPTIM4_CH2
PB26 117 I/O/T GPIO_B26 I/O GPIO_B26, USART5_RTS, SPI3_CS, GPTIM5_CH1
PB28 118 I/O/T GPIO_B28 I/O GPIO_B28, I2C6_SCL, USART6_RXD
PB29 119 I/O/T GPIO_B29 I/O GPIO_B29, I2C6_SDA, USART6_TXD
PB24 120 I/O/T GPIO_B24 I/O GPIO_B24, I2S3_SDO, GPTIM4_CH3
PB27 121 I/O/T GPIO_B27 I/O GPIO_B27, SPI4_CLK, I2S3_SDI, GPTIM5_CH2
PB31 122 I/O/T GPIO_B31 I/O GPIO_B31, SPI4_DI, I2S3_LRCK, AUD_CLK_EXT, GPTIM5_CH4
PB30 123 I/O/T GPIO_B30 I/O GPIO_B30, SPI4_DO, I2S3_BCK, SPI4_DIO, GPTIM5_CH3
PB34 124 I/O/T GPIO_B34 I/O GPIO_B34, SPI4_CS, I2S3_MCLK
PB39 125 I/O/T GPIO_B39 I/O GPIO_B39, USART6_RTS, GPTIM3_CH4
PB38 126 I/O/T GPIO_B38 I/O GPIO_B38, USART6_CTS, GPTIM3_CH3
PB47 127 I/O/T GPIO_B47 I/O GPIO_B47, I2C5_SDA, USART6_RXD, GPTIM5_CH2
PB48 128 I/O/T GPIO_B48 I/O GPIO_B48, I2C5_SCL, USART6_TXD, GPTIM5_CH3
AU_DAC2N_OUT 129 AO AU_DAC2N_OUT AO Отрицательный дифференциальный выход аудио DAC2
AU_DAC2P_OUT 130 AO AU_DAC2P_OUT AO Положительный дифференциальный выход аудио DAC2
AU_ADC2N_IN 131 AI AU_ADC2N_IN AI Отрицательный дифференциальный вход аудио ADC2
AU_ADC2P_IN 132 AI AU_ADC2P_IN AI Положительный дифференциальный вход аудио ADC2
GND 133–138 P Земля P Земля (6 выводов)

Обозначения: P = питание; I = вход; O = выход; T = можно настроить как высокоомный; AO = аудиовыход; AI = аудиовход.

Note

Выводы 2 (USART_RXD) и 3 (USART_TXD) используются по умолчанию для вывода журнала, отладки и загрузки программы.

4.3 Физическое расположение выводов

На физической схеме расположения выводов из даташита они сгруппированы по функциям — SDIO, SPI, I2C, UART, GPTIM, интерфейсы LCD (DPI/8080/SPI/JDI/DSI), GPADC, MPI, аналоговый аудиотракт, режим загрузки, питание, антенна BT, CAN/USB и SWD/UART отладки. Группы наложены на контур кристалла SF32LB586VDD36. Используйте эту схему вместе с таблицей назначений при размещении групп сигналов на хост-плате.

Рисунок 4-2. Физическое расположение выводов

См. рисунок 3-2 в официальном даташите; в этом руководстве он не воспроизведён.

5. Периферийные интерфейсы

5.1 Интерфейсы связи

Любой вывод с обозначением PAxx_I2C_UART или PBxx_I2C_UART в таблице выше можно настроить для работы как I2C или UART. Всего чип поддерживает до 7 интерфейсов I2C и 6 интерфейсов UART.

UART — Полнодуплексная связь, скорость передачи до 6 Mbps, настраиваемый формат данных, аппаратное управление потоком (CTS/RTS), многопакетная передача и приём с DMA. UART1–3 относятся к HPSYS, UART4–6 — к LPSYS.

I2C — Поддерживает режимы ведущего и ведомого устройства, FIFO на 8 байт, DMA, стандартный режим (100 kbps), быстрый (400 kbps), fast-mode plus (1 Mbps) и high-speed (3,4 Mbps), адресацию 7 или 10 бит в режиме ведущего, растяжение тактового сигнала (clock stretching) и настраиваемый цифровой фильтр подавления коротких импульсов. I2C1–4 относятся к HPSYS, I2C5–7 — к LPSYS.

SPI — Поддерживаются форматы SSP/SPI (полнодуплексный режим, ведущее или ведомое устройство) и Microwire (полудуплексный режим, только ведущее устройство), ширина данных 4–32 бита, настройка полярности и фазы тактового сигнала, настройка полярности chip-select, FIFO на 16 слов по 32 бита и DMA. SPI1/2 относятся к HPSYS (до 48 MHz), SPI3/4 — к LPSYS (до 24 MHz).

USB 2.0 HS — Один высокоскоростной порт Host/Device, совместимый с USB 2.0; настраиваемые конечные точки, поддержка приостановки/возобновления, запроса сеанса и протокола согласования Host, а также режимов high-speed и full-speed.

MPI (Memory Peripheral Interface) — Поддерживаются SPI NOR Flash (1/2/4 линии, режим DTR) и SPI NAND Flash (1/2/4 линии), доступ через регистры и memory-mapped с автоматическим аппаратным переключением. Интерфейс MPI4 модуля позволяет подключить внешнюю SPI NOR/NAND Flash.

SD/SDIO/eMMC — Соответствие SD 3.0 и eMMC 4.5.1; работа в режиме Host-контроллера с цепочечным DMA и FIFO 1 KB. Поддерживаются карты SDSC/SDHC/SDXC/SDHS, UHS-1 (SDR12/25/50/104/DDR50), режимы SDR с 1/4/8 линиями и DDR с 4/8 линиями.

I2S — Только режим ведущего устройства, полнодуплексная передача, форматы left-justified/right-justified/standard, моно и стерео с разрядностью 8 или 16 бит, ширина PCM до 24 бит.

Интерфейс LCD — Последовательный режим DBI SPI (3/4 линии, двух- или четырёхлинейная передача данных) и параллельный режим 8080 (шина 8/16/24 бита). В зависимости от режима поддерживаются форматы RGB332/RGB444/RGB565/RGB666/RGB888. На выводах 47–52 также доступны выделенные линии MIPI DSI (тактовая и две линии данных).

5.2 Аналоговая обработка сигналов

12-разрядный GPADC — АЦП SAR с максимальной частотой выборки 4 MS/s, диапазон входного сигнала 0–3,3 V в однополярном режиме и ±2,1 V в дифференциальном; 8 однополярных каналов (или 4 дифференциальные пары), одиночный и непрерывный режимы измерения, 4 настраиваемых временных интервала на измерение, запуск программно или аппаратно, поддержка DMA.

Датчик температуры — Разрешение 0,2 °C, диапазон от -40 °C до 125 °C, точность ±3 °C, чтение опросом или по прерыванию.

Аудио ЦАП — 2 встроенных 24-разрядных канала, частота дискретизации 8–48 kHz, дифференциальный выход.

Аудио PLL — Генерация тактового сигнала Fractional-N с разрешением 48 MHz/2^18; поддерживаются частота дискретизации 44,1 kHz, а также частоты, получаемые из 48 MHz и 32,768 kHz.

Аудио АЦП — 2 встроенных 24-разрядных канала, частота дискретизации 8–48 kHz, независимая регулировка усиления каждого канала.

6. Электрические характеристики

6.1 Абсолютные предельные значения

Таблица 6.1-1. Абсолютные предельные значения
Обозначение Параметр Мин. Макс. Единица
VDD_3V3 Вход питания 3,3 V -0,3 3,6 V
VDD_1V8 Вход питания 1,8 V -0,3 1,95 V
VDDIO Вход питания ввода-вывода -0,3 3,6 V
Tstore Температура хранения -40 125 °C
Таблица 6.2-1. Рекомендуемые условия эксплуатации
Обозначение Параметр Мин. Тип. Макс. Единица
VDD_3V3 Вход питания 3,3 V 2,97 3,3 3,6 V
VDD_1V8 Вход питания 1,8 V 1,7 1,8 1,95 V
VDDIO Вход питания ввода-вывода 1,7 - 3,6 V
TA Рабочая температура -40 - 85 °C

6.3 Электрические характеристики постоянного тока

Таблица 6.3-1. Электрические характеристики постоянного тока (3,3 V, 25 °C)
Обозначение Параметр Мин. Тип. Макс. Единица
CIN Ёмкость вывода 2,5 3 3,5 pF
VIH Высокий уровень входного напряжения 0,7×VDD - VDD V
VIL Низкий уровень входного напряжения VSS - 0,3×VDD V
VOH Высокий уровень выходного напряжения (высокоомная нагрузка) 0,8×VDD - VDD V
VOL Низкий уровень выходного напряжения (высокоомная нагрузка) VSS - 0,2×VDD V
IOH Нагрузочная способность по выходному току, высокий уровень 24 30 38 mA
IOL Нагрузочная способность по выходному току, низкий уровень 24 30 38 mA
RPU / RPD Внутренняя подтяжка вверх / вниз 7 10 20 kΩ
Таблица 6.3-2. Электрические характеристики постоянного тока (1,8 V, 25 °C)
Обозначение Параметр Мин. Тип. Макс. Единица
IOH Нагрузочная способность по выходному току, высокий уровень 8 10 13 mA
IOL Нагрузочная способность по выходному току, низкий уровень 8 10 13 mA
RPU / RPD Внутренняя подтяжка вверх / вниз 10 17 30 kΩ

Полные таблицы (включая входной ток утечки, пороги сброса и ёмкость выводов при обоих напряжениях питания) приведены в §5,3 официального даташита.

6.4 Энергопотребление

Таблица 6.4-1. Ток BLE (мощность передачи 0 dBm)
Обозначение Условие @1,8 V @3,8 V Единица
I∆TX Мощность TX = 0 dBm 4,19 2,21 mA
I∆RX — 4,03 2,12 mA
Таблица 6.4-2. Средний ток BLE/Bluetooth Classic (питание 3,8 V)
Режим Интервал @0 dBm @10 dBm Единица
BT Sniff (attempt=1) 50 ms 146,4 178,6 µA
BT Sniff (attempt=1) 1 s 7,3 8,9 µA
BLE ADV 50 ms 166,9 251,8 µA
BLE ADV 1 s 8,3 12,6 µA
BLE Connection 50 ms 128,8 148,4 µA
BLE Connection 1 s 6,4 7,4 µA
Standby — 4,2 — µA
Таблица 6.4-3. Потребление процессора (HPSYS/LPSYS, питание 3,8 V)
Обозначение Условие Ток (mA) Прирост (µA/MHz)
ICoreMark HPSYS @240 MHz 10,34 31,3
ICoreMark LPSYS @48 MHz 0,89 27,6
IWhileLoop HPSYS @240 MHz 7,98 21,3
IWhileLoop LPSYS @48 MHz 0,67 18,7

6.5 Радиочастотные характеристики двухрежимного Bluetooth

Поддерживается Bluetooth 5.3 с обратной совместимостью с 4.2/4.1/4.0, включая BLE и Bluetooth Classic. Центральная частота рабочих каналов: 2402–2480 MHz.

Передатчик BLE (1 Mbps): максимальная мощность 19 dBm, диапазон регулировки мощности от -20 до 19 dBm.

Приёмник BLE: типовая чувствительность составляет -100 dBm (1 Mbps), -97 dBm (2 Mbps), -104,5 dBm (LR S2/500 kbps) и -107,5 dBm (LR S8/125 kbps); измерения выполнены с пакетами длиной 37 байт при PER 30,8 % в условиях dirty-off.

Bluetooth Classic (Basic Data Rate): максимальная мощность передачи 19 dBm; чувствительность приёмника -96,3 dBm (dirty off) / -94 dBm (dirty on) при BER 0,1 %.

Bluetooth Classic (Enhanced Data Rate): максимальная мощность передачи 13 dBm; чувствительность приёмника -95,5 dBm для π/4-DQPSK и -88,5 dBm для 8DPSK.

Полные таблицы минимальных/типовых/максимальных характеристик передачи и приёма BLE (1 Mbps/2 Mbps/LR) и Bluetooth Classic (BR/EDR) приведены в §5.5 официального даташита.

7. Питание модуля

У модуля пять входов питания: VDD_3V3, VDD_1V8, VDDIOA, VDDIOA2 и VDDIOB.

  • VDD_3V3 питает шины AVDD33_ANA, AVDD33_AUD и AVDD_USB чипа, а также вход VDD встроенной eMMC модуля (если установлена). Рекомендуется использовать LDO.
  • VDD_1V8 питает шины PVDD1, PVDD2, AVDD_BRF и AVDD18_DSI чипа, а также встроенную в корпус память.
  • VDDIOA питает шину VDDIOA чипа, вход VIO встроенной eMMC (если установлена) и внешнюю флеш-память.
  • VDDIOA2 питает шину VDDIOA2 чипа, к которой относятся PA00–PA11.
  • VDDIOB питает шину VDDIOB чипа.

Рисунок 7-1. Блок-схема питания модуля

См. рисунок 7-1 в официальном даташите; в этом руководстве он не воспроизведён.

8. Эталонная схема и назначение выводов

В даташите приведена полная эталонная схема отладочной платы на базе SF32LB58-MOD, включающая цепи питания, сброса, JTAG/SWD, UART, SDIO, LCD, MIPI DSI и аудиотракт.

Рисунок 8-1. Эталонная схема отладочной платы

См. рисунки 7-2–7-8 в официальном даташите; схема не воспроизведена в этом руководстве.

В даташите также приведена рекомендуемая таблица назначения выводов этой платы, в том числе разводка разъёмов в стиле Raspberry Pi для вариантов дисплейного интерфейса LCD_DPI_24, LCD_DSI, LCD_QSPI и LCD_8080.

Рисунок 8-2. Рекомендуемое назначение выводов эталонной платы

См. рисунок 7-9 в официальном даташите; таблица не воспроизведена в этом руководстве.

Используйте эти материалы как основу для производственной схемы и подберите выводы с учётом набора периферии вашего изделия.

9. Контрольный список для разработки схемы

Таблица 9-1. Контрольный список для разработки схемы
№ Проверка
1 Входное напряжение VDD_3V3 должно находиться в диапазоне 2,97–3,6 V; установите конденсатор 4,7 µF рядом с выводом модуля.
2 Входное напряжение VDD_1V8 должно находиться в диапазоне 1,7–1,95 V; установите конденсатор 4,7 µF рядом с выводом модуля.
3 Входное напряжение VDDIOA, VDDIOA2 и VDDIOB должно находиться в диапазоне 1,7–3,6 V; установите конденсаторы рядом с выводами модуля.

Note

В этом руководстве приведены только три пункта выше. Перед утверждением производственной схемы сверьтесь с полным контрольным списком в §7.3 официального даташита (PDF).

10. Размеры модуля и посадочное место PCB

10.1 Размеры модуля

Размеры модуля: 24 × 24 × 3,1 mm.

Рисунок 10-1. Размеры модуля

См. рисунок 8-1 в официальном даташите; чертёж не воспроизведён в этом руководстве.

Рисунок 10-2. Рекомендуемое посадочное место PCB

См. рисунок 8-2 в официальном даташите; чертёж не воспроизведён в этом руководстве.

10.3 Разъём внешней антенны

В вариантах SKU с поддержкой внешней антенны используется RF-вывод типа stamp-hole или совместимый с IPEX разъём — в зависимости от кода заказа.

Рисунок 10-3. Размеры разъёма внешней антенны

См. рисунок 8-3 в официальном даташите; чертёж не воспроизведён в этом руководстве.

10.4 Размещение модуля на PCB

Зарезервируйте зону антенны модуля так, чтобы компоненты, медь, дорожки, металл корпуса и другие проводящие структуры не попадали в RF-зону keepout. При определении зазоров и проверке антенны руководствуйтесь официальным даташитом модуля и корпусом готового изделия.

  • По возможности выведите область антенны за край платы, расположив точку питания близко к краю.
  • Если антенну нельзя вывести за край платы, предусмотрите достаточно широкую зону keepout без заливки меди, дорожек и компонентов; по возможности удалите материал платы под антенной.
  • Для готового изделия оцените влияние корпуса на антенну и выполните проверку RF, включая итоговое испытание дальности связи.

11. Обращение с изделием

11.1 Условия хранения

  • Храните изделия в герметичном влагозащитном пакете (MBB) при температуре ниже 40 °C и влажности 90 %RH, без конденсации.
  • После вскрытия вакуумного пакета используйте модуль в пределах времени нахождения вне упаковки, установленного для его уровня чувствительности к влаге (MSL); иначе перед повторным оплавлением модуль необходимо просушить.

11.2 Электростатический разряд (ESD)

При сборке и испытаниях соблюдайте стандартные меры SiFli по защите модулей от ESD.

11.3 Профиль оплавления

Рекомендуется проводить оплавление модуля только один раз.

Рисунок 11-1. Рекомендуемый температурный профиль оплавления

См. рисунок 9-1 в официальном даташите; график не воспроизведён в этом руководстве.

11.4 Ультразвуковая вибрация

Не подвергайте модули SiFli вибрации от оборудования для ультразвуковой сварки или очистки. Ультразвуковая вибрация может вызвать резонанс внутренних кварцевых генераторов модуля, привести к их отказу или нарушению работы, вывести модуль из строя либо ухудшить его характеристики.

Note

Перед утверждением требований к производственному процессу подтвердите окончательный уровень чувствительности к влаге, допустимое время вне упаковки, пределы ESD и требования к оплавлению SF32LB58-MOD по §9 официального даташита (PDF).

13. История версий

Таблица 13-1. История версий
Дата Версия Примечания
2025 0.1 Первоначальная опубликованная версия

Это руководство основано на первоначальной опубликованной версии DS5802-SF32LB58-MOD V0.1. Для получения актуальной официальной версии используйте PDF даташита.

Последнее обновление: